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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种异质结电池的处理方法-CN202210250868.1在审
发明人：程尚之;周肃;龚道仁;符欣 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结电池的处理方法。所述的异质结电池的处理方法包括：提供异质结电池，所述异质结电池包括单晶半导体层和非晶半导体层；将所述异质结电池置于暗态环境中，在暗态环境中对所述异质结电池进行静置处理，直至所述异质结电池的效率稳定至第一效率；进行所述静置处理之后，对所述异质结电池进行光照处理，使所述异质结电池的效率上升至第二效率，所述第二效率大于所述第一效率。所述异质结电池的处理方法实现了对非晶半导体层内的缺陷以及潜在缺陷的钝化修复，避免了异质结电池因非晶半导体层内的缺陷和潜在缺陷的存在发生效率衰减。
一种异质结电池处理方法

[发明专利]异质结太阳能电池片的制造方法及异质结太阳能电池片-CN202110169676.3在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2021-02-07 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结太阳能电池片的制造方法和异质结太阳能电池片。异质结太阳能电池片的制造方法包括以下步骤：形成初始异质结太阳能电池片；分割初始异质结太阳能电池片，使得初始异质结太阳能电池片形成若干异质结太阳能电池片，异质结太阳能电池片具有分割面；分割初始异质结太阳能电池片的步骤包括：至少将部分厚度的初始太阳能电池片断裂，使分割面包括断裂面；至少对分割面中的断裂面进行清洗钝化处理。本发明提供的异质结太阳能电池片的制造方法可提高异质结太阳能电池片的光电转化效率。
异质结太阳能电池制造方法

[发明专利]半导体器件制备方法及半导体器件-CN202011461968.6有效
发明人：李马惠;师宇晨;张海超;穆瑶 -专利权人：陕西源杰半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：所述半导体器件制备方法包括如下步骤：提供衬底，并在所述衬底的表面生长第一包覆层；在所述第一包覆层远离所述衬底的表面生长第一限制异质结层；在所述第一限制异质结层远离所述第一包覆层的表面生长有源层；在所述有源层远离所述第一限制异质结层的表面生长第二限制异质结层；其中，沿所述第一包覆层至所述第二限制异质结层方向上，所述第一限制异质结层的禁带宽度逐渐变小，所述第二限制异质结层的禁带宽度逐渐变大。在第一限制异质结层与第二限制异质结层之间形成了禁带宽度梯度差，可以加快载流子在异质结中移动，从而降低了载流子在异质结中的渡越时间，提高了载流子注入效率。
半导体器件制备方法

[发明专利]一种识别二维三维材料异质结中二维材料层数的光学方法-CN202111555010.8在审
发明人：吴宏荣;赵军华;李娜;童品森 -专利权人：江南大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G01N21/55 文献下载
摘要：本发明公开了一种识别二维三维材料异质结中二维材料层数的光学方法，涉及二维/三维材料共形异质结测量表征技术领域，该方法包括：获取待识别二维/三维材料异质结的光学图像；从颜色厚度对应关系中确定与二维/三维材料异质结的颜色信息对应的二维/三维材料异质结厚度，从待识别二维/三维材料异质结的厚度对应的计算图谱中，得到二维/三维材料异质结的颜色随二维材料层数变化的计算图谱，将待识别二维/三维材料异质结光学图像与计算图谱进行比对，确定二维/三维材料异质结中二维材料的层数本发明基于光学图像与对应关系的比对，可以方便快捷有效的识别光学显微镜观测的二维/三维材料异质结中二维材料层数。
一种识别二维三维材料异质结中层数光学方法

[发明专利]电容器、其制造方法及其使用方法-CN202310733657.8在审
发明人：马俊;邹文松 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/92 文献下载
摘要：本发明提供了一种电容器、其制造方法及其使用方法，电容器包括承载结构、异质结堆叠结构、第一电极和第二电极，异质结堆叠结构连接于承载结构，异质结堆叠结构包括多个相互层叠的异质结，每一异质结包括势垒层和沟道层，同一异质结中：势垒层和沟道层相互层叠从而在沟道层中形成二维电子气，沟道层位于势垒层背对承载结构的一侧；第一电极和第二电极连接于异质结堆叠结构背对承载结构的一侧表面；异质结堆叠结构还可以具有鳍状结构。
电容器制造方法及其使用方法

[发明专利]异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件-CN202110808966.8在审
发明人：周肃;魏文文;符欣;龚道仁;王文静;徐晓华;李晨;程尚之;姚真真 -专利权人：安徽华晟新能源科技有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种异质结电池处理方法、切片异质结电池及异质结电池组件，属于光伏电池制备技术领域。该异质结电池处理方法包括以下步骤：对异质结电池进行切割，得到切片异质结电池；对所述切片异质结电池的切割面进行等离子刻蚀处理；对等离子刻蚀处理后的所述切片异质结电池进行氧化处理，使得所述切片异质结电池的切割面形成氧化硅薄膜通过本申请的异质结电池处理方法，能有效减小因激光切割造成的功率损失，提高切割后的异质结电池的效率。
异质结电池处理方法切片组件

[发明专利]异质结电池的制备方法以及异质结电池-CN202210087135.0在审
发明人：张达奇;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池的制备方法以及异质结电池，异质结电池的制备方法包括以下步骤：制作出异质结电池；采用UV光照射所述异质结电池的表面，得到表面能值大于40mN/m的异质结电池。UV光可以更好地将异质结电池表面的有机物脏污去除，从而可以提升异质结电池的表面能，得到表面能值大于40mN/m的异质结电池，而且这样可以有效地改善异质结电池与封装胶膜之间的剥离能，提升封装胶膜与异质结电池的连接可靠性
异质结电池制备方法以及

[发明专利]基于天线直接匹配的锗硅异质结双极晶体管探测器-CN201811094111.8有效
发明人：孙鹏林;傅海鹏;张齐军;马建国 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G01D5/40 文献下载
摘要：一种基于天线直接匹配的锗硅异质结双极晶体管探测器，有第一锗硅异质结双极晶体管和第二锗硅异质结双极晶体管，第一锗硅异质结双极晶体管和第二锗硅异质结双极晶体管的基极分别连接天线，第一锗硅异质结双极晶体管和第二锗硅异质结双极晶体管的发射极均接地，第一锗硅异质结双极晶体管的集电极通过第一四分之一波长微带线至输出端，第二锗硅异质结双极晶体管的集电极通过第二四分之一波长微带线至输出端，第一锗硅异质结双极晶体管的基极和第二锗硅异质结双极晶体管的集电极之间连接第电容，第二锗硅异质结双极晶体管的基极和第一锗硅异质结双极晶体管的集电极之间连接第电容，天线中的直流偏置走线连接直流偏置电压。
基于天线直接匹配锗硅异质结双极晶体管探测器

[发明专利]一种低温一步法制备单层硫化钼/硫化钨面内异质结的方法-CN201811446332.7有效
发明人：陶俊光;于宸崎;陈磊;陈士强;关丽秀;陈贵锋 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明涉及低温一步法制备单层MoS2/WS2面内异质结的方法，适用于制备二维过渡金属硫化物的异质结。该方法包括：按配比制备出前驱物和通过化学气相沉积法(CVD)制备异质结。通过相图确定前驱物中各组分的最佳配比以及反应所需的最低温度；生长异质结则是在一英寸CVD管式炉中，通过化学气相沉积法制得。通过低温下的一步法生长，很大程度上简便了实验流程，降低了异质结形成的反应温度，大大减少了实验能耗，为制备二维过渡金属硫化物异质结提供了一种方便可靠的方法，在异质结生长领域具有深远意义。
一种低温一步法制备单层硫化钨面内异质结方法

[发明专利]一种透明有机异质结阵列及其制备方法和应用-CN202110629285.5在审
发明人：王京霞;岳钰琛;江雷 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开一种透明有机异质结阵列，包括透明基底，以及分布在其上的有机异质结阵列；其中，单个有机异质结上表面的面积为900‑10000μm2，单个有机异质结的厚度为该阵列中的单个有机异质结的尺寸小于人眼分辨率，且结构中存在大量孔隙，在可见光范围内可保持70％以上的光透过率，呈透明状态。基于该透明有机异质结阵列的光电探测器，具有透明、柔性、微型化、阵列化、集成化和可大面积制备的优势，且光电探测器中电荷传输距离短、开关比大、暗电流小。同时本发明还提供了基于液桥现象的上述有机异质结的制备方法，该方法简单，易操作。
一种透明有机异质结阵列及其制备方法应用

[发明专利]极化超结的Ⅲ族氮化物二极管器件及其制作方法-CN201711383701.8有效
发明人：于国浩;陈扶;宋亮;郝荣晖;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种极化超结的Ⅲ族氮化物二极管器件及制作方法。所述器件包括：包括第一、第二半导体的第一异质结，所述第一异质结构中形成有二维电子气；包括所述第二半导体和第三半导体的第二异质结，所述第二异质结中形成有二维空穴气；形成于所述第二半导体上的第四半导体，所述第四半导体与第三半导体在水平方向上紧密连接；所述第四半导体为p型掺杂，可以将所述第一异质结中的二维电子气耗尽；与第一异质结连接的阳极和阴极，所述阳、阴极与所述第一异质结中二维电子气电连接，所属阳极同时与第四半导体形成电连接。
极化氮化物二极管器件及其制作方法

[发明专利]一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法-CN202210049787.5在审
发明人：徐杨;宁浩;吴少雄;吕建杭;刘粒祥;陈丽;汪晓晨;俞滨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法，包括组成阵列的若干异质结单元。异质结单元为二维材料/硅的垂直异质结，阵列是异质结单元的面阵阵列。本发明通过二维材料与硅的垂直异质结拓宽吸收波段、增强光吸收。本发明的异质结阵列中，每一列/行异质结共用同一条顶硅条带，每一行/列异质结的二维材料接触电极相互连接，组成一条该行/列的顶电极布线。本发明实现了二维材料/硅异质结器件的阵列制作，为二维材料和硅的大规模集成提供了方案。
一种基于绝缘层上硅衬底二维材料硅异质结阵列及其制备方法

[发明专利]一种表面生长有异质结纳米片层的泡沫镍及其制备方法和应用-CN202210504090.2在审
发明人：宫勇吉;金椿乔;翟朋博 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01M4/1397 文献下载
摘要：本发明涉及锂硫电池技术领域，尤其涉及一种表面生长有异质结纳米片层的泡沫镍及其制备方法和应用。发明提供的制备方法，包括以下步骤：将尿素、氧化剂和水混合，得到尿素溶液；将泡沫镍置于所述尿素溶液中，依次进行水热反应、退火处理和硫化反应，得到表面生长有异质结纳米片层的泡沫镍；所述异质结纳米片层中的异质结纳米片为NiO和Ni3S2的异质结纳米片，所述NiO和Ni3S2的异质结纳米片的厚度为1.7～3.2nm。利用本发明所述的制备方法制备得到的表面生长有异质结纳米片层的泡沫镍表面的异质结纳米片的厚度为1.7～3.2nm，具有更好的活性位点，且与泡沫镍的结合性强。
一种表面生长有异质结纳米泡沫及其制备方法应用

[发明专利]两步液相离子交换合成氧化锌/硫化镉异质结纳米棒阵列的方法-CN201310596030.9无效
发明人：杜希文;王琰 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： B01J13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种两步液相离子交换合成氧化锌/硫化镉异质结纳米棒阵列结构的方法：（1）以ZnO纳米棒阵列为原料，加入到30mL0.5M硫代乙酰胺（TAA）水溶液中，于反应釜中，90℃下保持2h，经清洗，得到ZnO/ZnS异质结纳米棒阵列；（2）将该ZnO/ZnS异质结纳米棒阵列加入到30mL0.1M氯化镉（CdCl2）水溶液中，于反应釜中，120℃下保持9h，再清洗，制得ZnO/CdS异质结纳米棒阵列。本发明的ZnO/CdS异质结纳米棒阵列尺寸均匀，操作方法简单，条件温和，是一种新型的操作简便可以大量合成ZnO/CdS异质结纳米棒阵列材料的方法。
两步液相离子交换合成氧化锌硫化镉异质结纳米阵列方法

[发明专利]一种异质结电池分层氢钝化方法、氢钝化装置、电池、电池组件及太阳能供电站-CN201910622728.0在审
发明人：周剑;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：苏州迈正科技有限公司
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结电池分层氢钝化方法、氢钝化装置、电池、电池组件及太阳能供电站，所述氢钝化方法为在异质结电池制备过程中对所述异质结电池的半成品至少进行一次氢钝化处理，进行氢钝化处理时对所述异质结电池的半成品进行加热并通过光源进行照射该异质结电池分层氢钝化方法是在异质结电池制备的过程中即采用氢钝化工艺，使得高浓度的氢原子可以扩散到硅晶体的界面，从而更好地钝化了界面上的硅悬挂键，显著降低了硅晶体的表面复合速率。
异质结电池氢钝化硅晶体分层半成品氢钝化处理太阳能供电表面复合电池组件钝化处理硅悬挂键制备过程氢原子次氢钝化光源加热制备照射电池扩散

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