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[发明专利]从SOI PMOSFET中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法-CN201210067440.X有效
发明人：杨东;黄良喜 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-03-14 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公布了一种从SOI PMOSFET中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法，用于在SOI PMOSFET器件的栅端和漏端加上应力偏置条件下分离出HCI效应与NBTI效应对器件的阈值电压漂移大小，其特征是，分别在SOI PMOSFET器件的栅端和漏端加上电压，测出其阈值电压漂移量；然后用该阈值电压漂移量减去在相同栅电压下测出的阈值电压漂移量，即可分离出HCI效应与NBTI效应这两种可靠性效应对SOI PMOSFET器件的阈值电压漂移量的不同影响。分离出两种可靠性效应对阈值电压的漂移量大小，能够更好地理解器件在最坏应力偏置条件下的退化机理，以致提出更好的可靠性退化加固方法，同时还能更好地对SOI PMOSFET器件进行建模以及提出更加精确的可靠性寿命预测方法
soi pmosfet 分离可靠性效应导致阈值电压漂移方法

[发明专利]自适应和自校准的多级非易失性存储器-CN200810088444.X有效
发明人：王力 -专利权人：弗拉什西利康股份有限公司
申请日： 2008-03-31 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：一种调整非易失性存储器单元的阈值电压的方法，包括：将与选择的阈值电压相应的选择的电荷放置在浮置栅极或电介质上；在电荷已经放置在浮置栅极或电介质上、并且与选择的阈值电压相应的电压已经被施加到控制栅极之后，测量来自该存储器单元的电流，该电荷被认为响应于施加到控制栅极的选择的阈值电压，允许单元导通；比较测量的电流与下述电流，当与期望的阈值电压相对应的电压被施加到非易失性存储器单元的控制栅极时，该电流应该流动；以及如果测量的电流在下述电流的范围外，当指定阈值电压被施加到控制栅极时，该电流应该从存储器单元流动，则调整在浮置栅极或电介质上的电荷，以将电流置于正施加到控制栅极的选择的阈值电压的期望范围内。
自适应校准多级非易失性存储器

[发明专利]像素电路、显示装置及显示驱动方法-CN201310029695.1有效
发明人：冷传利;张盛东 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2013-01-25 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种像素电路、显示装置及显示驱动方法，通过电流偏置方式提取第二晶体管的第一阈值电压信息及发光元件的第二阈值电压信息，并连同像素的灰度信息一起作为第一电容的基准电压，从而在发光阶段，使通过发光元件的驱动电流与上述第一阈值电压信息及第二阈值电压信息无关，精确补偿了TFT器件及OLED的阈值电压漂移或显示面板各处TFT器件阈值电压的不均匀性，通过电压编程方式将灰度信息存储至第一电容，实现了快速的数据输入，并且，简单的电路结构增加了像素的开口率和显示装置的成品率
像素电路显示装置显示驱动方法

[发明专利]一种快速收集阈值电压分布的方法-CN201610971021.7有效
发明人：席与凌;李强 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速收集阈值电压分布的方法，通过将传统采用统一电压扫描步长的一次扫描方式优化为采用不同电压扫描步长的二次扫描方式，第一次扫描采用较大的步长进行，根据存储单元失效数目，大致判断阈值电压分布范围，当出现第一个存储单元失效时，可依此判断阈值电压分布的开始值；当存储单元全部失效时，可依此判断阈值电压分布的结束值，确定阈值电压分布的大致范围后，采用较小的步长进行第二次扫描，从而可大大缩短收集阈值电压分布所需的时间
一种快速收集阈值电压分布方法

[发明专利]一种像素电路、显示装置及显示驱动方法-CN201410058970.7有效
发明人：张盛东;王翠翠;冷传利 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本申请的像素电路通过电流偏置的形式产生与驱动晶体管的第一阈值电压有关的信息，通过第一电容和第二电容的分压在第一电容两端产生与第一阈值电压和灰度信息有关的基准电压，发光过程中，使第一电容两端保持基准电压不变，从而使得流过发光器件的驱动电流与驱动晶体管的第一阈值电压及发光器件的第二阈值电压无关，该像素电路能够补偿驱动晶体管和发光器件的阈值电压偏移，还可以补偿显示面板各处驱动晶体管阈值电压不同而导致的显示不均匀问题
一种像素电路显示装置显示驱动方法

[发明专利]一种FinFET器件阈值电压模型构建方法-CN202111628303.4在审
发明人：迟旭;唐攀;易凯;李晨 -专利权人：成都通量科技有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种FinFET器件阈值电压模型构建方法，涉及半导体集成电路技术领域，包括：建立闪烁噪声、跨导‑沟道温度映射模型；通过闪烁噪声、跨导‑沟道温度映射模型，求解不同偏置电压下FinFET器件的沟道温度；通过插值法得到偏置电压‑沟道温度关系模型；建立FinFET器件阈值电压模型。本发明建立了偏置电压‑沟道温度关系模型，其与温度‑阈值电压方程的结合，精确描述了偏置电压因改变了沟道温度而对阈值电压的影响，解决了FinFET器件的阈值电压测算精度的问题。
一种 finfet 器件阈值电压模型构建方法

[发明专利]像素补偿电路、阵列基板及显示装置-CN201410111760.X有效
发明人：马占洁 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：针对现有技术中阈值电压偏移导致的发光不均匀、长时间开启偏压后出现TFT稳定性下降、以及信号线上会出现电压的衰减影响显示区电流均匀性的问题，本发明以一种6T1C的像素补偿电路为示例，使得其不仅具有补偿阈值电压偏移的功能，还具有补偿信号电压衰减对电流影响的功能，同时还极大地降低了帧与帧之间信号的影响。
像素补偿电路阵列显示装置

[发明专利]一种数据电流产生电路、驱动方法、驱动芯片和显示面板-CN202011634641.4在审
发明人：刘炳麟;张皓东 -专利权人：合肥视涯技术有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：本发明公开了一种数据电流产生电路、驱动方法、驱动芯片和显示面板，其中，数据电流产生电路的阈值抓取模块连接于第一晶体管的栅极和第二极之间，用于抓取第一晶体管的阈值电压；数据电压产生模块用于产生数据电压；数据电压传输模块连接于数据电压产生模块和阈值电压获取和叠加模块之间，用于在导通时将数据电压产生模块产生的数据电压传输至阈值电压获取和叠加模块；阈值电压获取和叠加模块，用于获取第一晶体管的阈值电压，并将数据电压传输模块传输的数据电压与阈值电压叠加之后传输至第一晶体管的栅极
一种数据电流产生电路驱动方法芯片显示面板

[发明专利]芯片与升温控制方法-CN202010842181.8有效
发明人：邱伟航;涂结盛 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G05D23/24 文献下载
摘要：温度传感器测量芯片的一温度以产生一温度电压。升温电路接收温度电压。升温电路比较温度电压与一第一阈值电压以产生一升温控制信号。升温电路比较温度电压与一第二阈值电压以产生一比较信号。其中，第一阈值电压大于第二阈值电压。处理器耦接升温电路，且升温电路将比较信号作为复位信号提供至处理器。当温度电压小于第一阈值电压时，升温电路根据升温控制信号来产生一热能藉以加热芯片。当温度电压小于第二阈值电压时，复位信号具有一禁能电平，使得处理器不操作。
芯片升温控制方法

[发明专利]基于阈值电压漂移的温度相关斜率管理阈值电压漂移-CN202010879562.3在审
发明人：郎慕蓉;周振明 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请涉及基于阈值电压漂移的温度相关斜率而管理所述阈值电压漂移。存储包含对应于一组裸片温度中的每一裸片温度的斜率值的数据结构，其中所述斜率值表示读取电压电平随存储器子系统的写到读延迟时间的改变。至少部分地基于所述所存储斜率值和所述当前写到读延迟时间而确定经调整读取电压电平。使用所述经调整读取电压电平来执行所述读取命令。
基于阈值电压漂移温度相关斜率管理

[发明专利]开关电路的控制方法、控制电路及开关电路-CN202010227042.4在审
发明人：徐爱民;周逊伟 -专利权人：杰华特微电子(杭州)有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关电路的控制方法、控制电路及开关电路，设置上控制阈值电压和下控制阈值电压；上控制阈值电压为补偿电压和第一斜坡之差，并控制开关电路电感电流的峰值；下控制阈值电压为补偿电压和第二斜坡之和，
开关电路控制方法控制电路

[发明专利]存储器件、存储系统及其操作方法-CN202111358539.0在审
发明人：金珉奭;张俊锡;金炯坤;李先庸 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种操作存储器件的方法，该方法包括：执行第一编程操作以形成多个第一阈值电压分布；以及基于偏移信息，通过使用粗略验证电压和精细验证电压来执行第二编程操作，以从多个第一阈值电压分布形成分别与多个编程状态对应的多个第二阈值电压分布，其中，偏移信息包括根据第二阈值电压分布的特性而变化的多个偏移。
存储器件存储系统及其操作方法

[发明专利]一种提高亚阈值SRAM存储单元工艺鲁棒性的电路-CN201110445966.2无效
发明人：柏娜;朱贾峰;吕百涛;吴秋雷;刘其龙 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明公开一种提高亚阈值SRAM存储单元工艺鲁棒性的电路，该电路作为亚阈值SRAM存储单元的辅助电路，将该电路的输出连接到亚阈值SRAM存储单元内PMOS管及自身电路中PMOS管的衬底。该电路包括SRAM存储单元内PMOS管阈值电压检测电路及差分输入单端输出放大器，通过检测工艺波动引起的PMOS管与NMOS管阈值电压波动，自适应改变亚阈值SRAM存储单元内PMOS管及自身电路中PMOS管的衬底电压进而调节其阈值电压，使得PMOS的阈值电压与NMOS的阈值电压相匹配。提高了亚阈值SRAM存储单元的噪声容限，有效地提高了亚阈值SRAM存储单元的工艺鲁棒性。
一种提高阈值 sram 存储单元工艺鲁棒性电路

[发明专利]存储器装置的降压操作-CN202111160438.2在审
发明人： E·E·哈尔茨;V·帕特尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：存储器装置可基于所述存储器装置的电源电压的值以不同的操作模式操作。例如，当所述电源电压的所述值超过第一阈值电压及第二阈值电压时，所述存储器装置可以正常操作模式操作。当所述电源电压的所述值在所述第一阈值电压与所述第二阈值电压之间时，所述存储器装置可以低电压操作模式操作，所述低电压操作模式可为相对于所述正常操作模式的缩减性能模式。当所述电源电压的所述值低于所述第二阈值电压时，可去激活所述存储器装置。
存储器装置降压操作

[发明专利]用于在存储器装置中执行扫描和读取的回写清除命令-CN202211396950.1在审
发明人： J·S·麦克尼尔;S·帕塔萨拉蒂;K·K·姆奇尔拉;P·R·哈亚特;S·齐德日茨;V·莫斯基亚诺;J·菲兹帕特里克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种方法包含：由存储器装置的控制逻辑从处理装置接收回写清除命令；响应于所述回写清除命令，使得页缓冲器对经配置为单层级单元的第一存储器单元执行双选通读取操作，所述双选通读取操作包含第一阈值电压下的软选通和第二阈值电压下的硬选通，所述第一阈值电压和所述第二阈值电压被感测到在所述第一存储器单元的阈值电压分布之间；使得所述页缓冲器确定在所述阈值电压分布内于所述第一/第二阈值电压之间的阈值电压范围中检测到的一位值的数目；及响应于一位值的所述数目不满足阈值准则
用于存储器装置执行扫描读取清除命令