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[发明专利]用于形成底层的组合物和使用其形成底层的方法-CN201680010048.8有效
发明人：铃木理人;滨祐介;柳田浩志;能谷刚;中杉茂正 -专利权人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C08G73/02 文献下载
摘要：提供用于形成底层的组合物，其可以形成具有平坦表面的底层。[解决方案]一种用于形成底层的组合物，其包含具有含氮重复单元的聚合物和溶剂。该底层是通过将该组合物涂布在基板上，优选在不活泼气氛中烘焙，然后在含氧空气中烘焙而形成的。
用于形成底层组合使用方法

[发明专利]用于半导体装置形成的底层膜-CN202180077832.1在审
发明人：李津;加布里埃拉·阿尔瓦 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种结构包括形成在基板上的底层、形成在底层上的心轴层，以及形成在心轴层上的间隔物层。底层包含第一材料，并且间隔物层包含第二材料。
用于半导体装置形成底层

[发明专利]用于毫米波几千兆位无线系统的模块、滤波器和天线技术-CN200680055223.1无效
发明人：斯蒂法尼·皮内尔;乔伊·拉斯卡 -专利权人：佐治亚科技研究公司
申请日： 2006-05-04 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：该方法包括：提供顶层；对顶层进行钻孔；铣削顶层；提供底层；铣削底层以形成底层空腔；将顶层与底层对齐；以及将顶层粘合到底层。本发明还包括以超高速操作的超高频模块，所述超高频模块具有：顶层，顶层形成顶层空腔；底层，该底层形成底层空腔；以及粘合剂，用以将顶层粘合到底层，其中顶层和底层由印刷电路板的大面积板形成。
用于毫米波千兆无线系统模块滤波器天线技术

[发明专利]深孔及其形成方法、三维存储器-CN202111643249.0在审
发明人：李明 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本申请提供一种深孔形成方法，包括：提供底层；于底层形成底层孔；于底层孔内形成填充材料；于底层上形成堆叠层；刻蚀形成贯穿堆叠层的顶层孔，并以填充材料作为刻蚀停止层；去除填充材料，形成由底层孔及顶层孔构成的深孔本申请首先在底层中形成底层孔，再利用填充材料作为刻蚀停止层，形成顶层孔，进而形成由底层孔与顶层孔构成的深孔，深孔底部关键尺寸及深孔底部的位置能够预先通过底层孔而设置，能够改善深孔刻蚀的沟槽均一性，保证深孔底部的关键尺寸
及其形成方法三维存储器

[发明专利]一种芯片堆栈立体封装结构及制造方法-CN201711216922.6有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：封装结构包括：芯片封装堆栈体，包括第一芯片封装体、底层芯片封装体和设置在第一芯片封装体和底层芯片封装体间的中介重布线层，底层芯片封装体具有一安装表面；表面重布线结构，形成于安装表面。中介重布线层与底层芯片封装体直接贴合；底层芯片封装体的底层芯片周围的塑封体中形成有底层穿孔，中介重布线层和表面重布线结构通过底层穿孔电性连接。制造方法包括：形成第一芯片模封体，在其表面形成中介重布线层；形成底层芯片模封体，使底层芯片模封体与中介重布线层以无间隙方式直接贴合，在底层芯片周围的塑封体中形成底层穿孔。
一种芯片堆栈立体封装结构制造方法

[发明专利]包括具有扩散阻挡层的软磁性底层的垂直磁性记录介质-CN200610149439.6无效
发明人：李在喆;尹成龙;吴薰翔;金雪基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-20 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直磁性记录介质，其包括具有扩散阻挡层的软磁底层。该垂直磁性记录介质包括软磁记录底层和形成在所述软磁性底层上的记录层。所述软磁性底层包括：衬底、底层、扩散阻挡层、反铁磁层和软磁性层。该底层形成在衬底上，且扩散阻挡层形成在底层上。反铁磁层形成在扩散阻挡层上，且软磁性层形成在反铁磁层上。
包括具有扩散阻挡磁性底层垂直记录介质

[发明专利]磁盘及其制造方法和磁记录装置-CN200510074878.0无效
发明人：堀笼茂;荒井贵 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-06-03 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： G11B5/84 文献下载
摘要：在形成底层的步骤中，在绝缘基底被由导电材料制成的支撑件支撑的同时形成底层。在形成记录层的步骤中，所述绝缘基底保持被支撑。可移动电极被推动以与绝缘基底的端面接触。通过溅射工艺形成记录层，同时施加负偏压。由于底层形成在基底的端面上，因此可移动电极与底层之间的电传导良好。此外，形成在基底表面上的底层跨接到支撑弹簧的接触部分的一部分。因此，支撑弹簧和底层被电连接。一偏压通过可移动电极和支撑弹簧被施加给所述底层。
磁盘及其制造方法记录装置

[发明专利]防腐防渗层及其制作方法-CN201710919487.7在审
发明人：李宏;黄俊;凌定祥;徐建;陈铁虎;陈喜坤 -专利权人：苏交科集团股份有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： E03F3/04 文献下载
摘要：防腐防渗层包括用于附着在构件上的底层、以及附着在底层上的面层，形成底层的底层材料包含MMA防水材料，形成面层的面层材料包含瓷釉。该防腐防渗层防腐防渗性好、制作简单、成本低、且可作为隧道内衬结构。上述制作方法包括底层材料涂覆步骤和面层材料涂覆步骤，底层材料涂覆步骤中，在构件的需要形成防腐防渗层的基面上涂覆底层材料，形成附着在构件上的底层；面层材料涂覆步骤中，在底层上涂覆面层材料，形成附着在底层上的面层
防腐防渗及其制作方法

[发明专利]低压降二极管及其制备方法-CN201910189075.1在审
发明人：王成森;潘建英;沈怡东;欧阳潇 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压降二极管及其制备方法，所述二极管包括N‑原始单晶层，所述N‑原始单晶层的下表面形成有N+衬底层，所述N+衬底层的下表面形成有N++衬底层，所述N++衬底层的下表面形成有N+++衬底层，所述N+++衬底层的下表面形成有阴极金属层，所述阴极金属层、N+++衬底层、N++衬底层、N+衬底层以及N‑原始单晶层形成完整的二极管阴极区，所述N‑原始单晶层的上表面形成有P型阳极层，所述P型阳极层的上表面形成有阳极金属层，所述P型阳极层以及部分N‑原始单晶层的四周形成有半环形沟槽，在所述半环形沟槽的内壁形成有钝化层。所述二极管中具有高浓度的厚衬底层，且通过设置N+++/N++/N+/N‑/P结构，使得阴极区串联电阻小，压降低。
衬底层原始单晶下表面阳极层低压降二极管阴极金属层二极管半环形上表面制备二极管阴极阳极金属层串联电阻钝化层阴极区内壁

[实用新型]低压降二极管-CN201920316249.1有效
发明人：王成森;潘建英;沈怡东;欧阳潇 -专利权人：捷捷半导体有限公司
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：所述二极管包括N‑原始单晶层，所述N‑原始单晶层的下表面形成有N+衬底层，所述N+衬底层的下表面形成有N++衬底层，所述N++衬底层的下表面形成有N+++衬底层，所述N+++衬底层的下表面形成有阴极金属层，所述阴极金属层、N+++衬底层、N++衬底层、N+衬底层以及N‑原始单晶层形成完整的二极管阴极区，所述N‑原始单晶层的上表面形成有P型阳极层，所述P型阳极层的上表面形成有阳极金属层，所述P型阳极层以及部分N‑原始单晶层的四周形成有半环形沟槽，在所述半环形沟槽的内壁形成有钝化层。所述二极管中具有高浓度的厚衬底层，且通过设置N+++/N++/N+/N‑/P结构，使得阴极区串联电阻小，压降低。
衬底层原始单晶下表面阳极层低压降二极管阴极金属层二极管半环形上表面本实用新型二极管技术二极管阴极阳极金属层串联电阻钝化层阴极区内壁

[发明专利]半导体工艺中顶层光刻成像的改善-CN00106712.5无效
发明人： S·布特;U·P·施勒德 -专利权人：因芬尼昂技术北美公司
申请日： 2000-04-12 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种腐蚀表面(12)的方法包括以下步骤：在表面上形成底层(14)而顶层(16)形成在底层上；在顶层刻图形以暴露出底层的某些部分；在底层的暴露部分形成含硅层(22)；除去顶层，暴露出底层未被硅层覆盖的部分；腐蚀底层未被硅层覆盖的部分，暴露出表面。
半导体工艺顶层光刻成像改善

[发明专利]MIM电容器及其制备方法-CN201510080421.4有效
发明人：郭海波;唐永进 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的MIM电容器及其制备方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次沉积第一底层金属层、第二底层金属层以及介质层，第一底层金属层与第二底层金属层形成下极板；选择性刻蚀介质层以及第二底层金属层，在介质层以及第二底层金属层中形成若干暴露出第一底层金属层的沟槽；沉积顶层金属层，顶层金属层填充沟槽，并覆盖介质层，顶层金属层形成上极板；去除沟槽所在区域内的顶层金属层以及第一底层金属层。本发明中，刻蚀介质层以及第二底层金属层，形成沟槽，顶层金属层填充沟槽，使得第一底层金属层与顶层金属层连接，将第一底层金属层与第二底层金属层中聚集的电荷通过顶层金属层释放掉，从而避免形成的MIM电容器中产生电弧放电缺陷
mim 电容器及其制备方法

[发明专利]花纹人造石板及其制备方法-CN201210476400.0无效
发明人：李金昌 -专利权人：昆山市大金机械设备厂
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： B32B13/02 文献下载
摘要：本发明揭示了一种花纹人造石板，包括底层和表层。底层含有树脂和石料颗粒。表层为树脂，树脂中掺入透明颗粒，表层的底面开有槽，槽互相连接形成图案，槽中注入有颜料，表层固化连接于底层之上。本发明还揭示了一种花纹人造石板的制备方法，包括制备底层预混料；制备表层预混料；将底层预混料加入到底层模具中固化成型；将表层预混料加入到表层模具中固化成型，其中表层模具在表层的底面形成槽，槽互相连接形成图案；将底层的表面涂覆热熔胶，将表层至于底层之上，并在表层的槽中注入颜料；加热底层和表层，热熔胶熔化粘接底层和表层；冷却凝固，热熔胶冷却凝固，底层和表层以及颜料结合形成花纹人造石板。
花纹人造石板及其制备方法

[发明专利]在光致抗蚀剂底层上形成粘合层的方法及包括其的结构-CN202210409140.9在审
发明人：刘泽铖;吉田嵩志;久保田智广;福田秀明 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G03F7/032 文献下载
摘要：公开了形成包括光致抗蚀剂底层和粘合层的结构的方法以及包括光致抗蚀剂底层和粘合层的结构。示例性方法包括使用循环沉积过程形成光致抗蚀剂底层和形成粘合层。粘合层可以在用于形成光致抗蚀剂底层的同一反应室内形成。
光致抗蚀剂底层形成粘合方法包括结构

[发明专利]磁记录介质和磁记录再现装置-CN202010376998.0有效
发明人：徐晨;张磊;福岛隆之;柴田寿人;山口健洋;丹羽和也;茂智雄;根本广明;梅本裕二;小柳浩 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：提供一种磁记录介质和磁记录再现装置，所述磁记录介质的特征在于，具有：基板；在所述基板之上形成的底层；及在所述底层之上形成的磁性层。所述底层包含第1底层和第2底层，所述第1底层包含Mo和Ru，Ru的含量位于5at％～30at％的范围内，所述第2底层包含具有BCC结构的材料。所述第2底层形成在所述第1底层和所述基板之间。
记录介质再现装置

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