“干式蚀刻”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果3977326个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]光掩模坯料及光掩模的制造方法-CN201080056696.X有效
发明人：小岛洋介;吉川博树;稻月判臣;小板桥龙二 -专利权人：凸版印刷株式会社;信越化学工业株式会社
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：在含有铬、在氟类干式蚀刻中不受到实质性的蚀刻并且在含氧氯类干式蚀刻中能够蚀刻的遮光膜（13）之上，层叠不含有铬、在氟类干式蚀刻且含氧氯类干式蚀刻中能够蚀刻的膜（14）。
光掩模坯料制造方法

[发明专利]蚀刻方法-CN201611015218.X在审
发明人：涂志强;陈俊郎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种蚀刻方法，包括装载工件于干式蚀刻系统内；对工件执行干蚀刻程序；以及于执行干蚀刻程序时，旋转上述工件。旋转式的干蚀刻方法是使用一种半导体制造系统来进行，其中半导体制造系统包括于其内部执行干蚀刻程序的干式蚀刻腔室、承载装置及控制器。承载装置配置有让可蚀刻工件水平地插入的水平向的插槽，其中可蚀刻工件包括光掩模或晶片。控制器耦合承载装置；于执行干蚀刻程序时，控制承载装置以顺时钟方向或逆时钟方向转动。执行干蚀刻程序时，由于可蚀刻工件插入水平向的插槽，使得可蚀刻工件的运动受到限制。
蚀刻方法

[发明专利]半导体基板的干式蚀刻方法及硅氧化膜的干式蚀刻方法-CN202180031524.5在审
发明人：大槻刚;阿部达夫 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-03-03 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明是一种半导体基板的干式蚀刻方法，其为具有氧化膜的半导体基板的干式蚀刻方法，其中，预先评价所述氧化膜的膜质，并基于该评价的结果确定进行所述干式蚀刻的时间。由此，提供以下的方法：在对半导体基板表面的氧化膜进行干式蚀刻时，可不受氧化膜的膜质差异影响，准确地控制氧化膜的蚀刻量，而抑制过度蚀刻或蚀刻不足。
半导体蚀刻方法氧化

[发明专利]显示装置和电子设备-CN200810178938.7有效
发明人：嶋田佑介;金谷康弘;中嶋大贵;八木圭一 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：该显示装置包括：具有像素区域的基体，像素以矩阵形式布置在该像素区域中；有机平坦化膜，其由有机膜构成并设置在基体上；干式蚀刻膜，其设置在有机平坦化膜上并利用干式蚀刻方法形成；导电膜，其设置在干式蚀刻膜上；在上述显示装置中，干式蚀刻膜或者在形成干式蚀刻膜之前形成的膜在有机膜除去区域中终止。根据本发明，当利用干式蚀刻方法来形成干式蚀刻膜时，能够防止有机平坦化膜在干式蚀刻膜的膜端部处具有倒锥形形状，这样就能够防止由放电所引起的缺陷的形成。
显示装置电子设备

[发明专利]干式蚀刻气体及干式蚀刻方法-CN200580025518.X无效
发明人：关屋章;杉本达也;山田俊郎;间濑贵信 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所;日本瑞翁株式会社
申请日： 2005-05-30 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及由分子内具有醚键或羰基及氟原子、仅由碳原子、氟原子及氧原子构成、且氟原子数与碳原子数之比(F/C)为1.9以下、碳原子数为4～6的含氟化合物(其中环状醚键为1个、碳碳双键为1个的含氟化合物及羰基为1个的含氟饱和化合物除外)构成的干式蚀刻气体>2F₂、CF₄、C₂F₆及C₃F₈的至少1种气体和上述干式蚀刻气体构成的混合干式蚀刻气体；将上述干式蚀刻气体等离子体化加工半导体材料的干式蚀刻方法等。根据本发明，提供能够安全地使用、对地球环境的影响小、能够对半导体材料高选择性且以高干式蚀刻速率实现图案形状良好的干式蚀刻的干式蚀刻气体、及使用该干式蚀刻气体的干式蚀刻方法等。
蚀刻气体方法

[发明专利]干式蚀刻方法-CN200780033651.9无效
发明人：森川泰宏;邹红罡 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2007-09-05 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供在干式蚀刻工艺中可以降低蚀刻生成物、谋求改善蚀刻对象物的面内均匀性的干式蚀刻方法。使用在电极的上表面的周边部分设置至少具有由含钇氧化物构成的表面层的电极压紧构件的电极，将基板载置在电极上，控制来自电极周边部分的蚀刻生成物而进行干式蚀刻。
蚀刻方法

[发明专利]两阶段的均匀干式蚀刻-CN201180055000.6有效
发明人： D·杨;J·唐;N·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：描述一种从多个槽蚀刻氧化硅的方法，该方法能容许槽之间更为一致的蚀刻速率。在蚀刻之后，槽内经蚀刻的氧化硅的表面也可较为平滑。该方法包括两个干式蚀刻阶段以及后续的升华步骤。第一干式蚀刻阶段迅速地移除氧化硅，且产生大的固体残余物颗粒。第二干式蚀刻阶段缓慢地移除氧化硅，且在大的固体残余物颗粒之间产生小的固体残余物颗粒。在后续的升华步骤中，小与大的固体残余物均被移除。该两个干式蚀刻阶段之间不存在有升华步骤。
阶段均匀蚀刻

[发明专利]树脂组合物、干式蚀刻用抗蚀掩模及图案形成方法-CN201480071050.7有效
发明人：伊部武史;矢田真 -专利权人： DIC株式会社
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种干式蚀刻抗蚀剂用固化性树脂组合物，其特征在于，所述干式蚀刻抗蚀剂用固化性树脂组合物含有聚合物(A)，所述聚合物(A)在侧链具有包含连接有乙烯基的芳香族基团的特定结构，该聚合物(A)中的特定结构在聚合物还提供一种干式蚀刻用抗蚀掩模，其特征在于，其是使该干式蚀刻抗蚀剂用固化性组合物固化而成的，以及提供一种干式蚀刻用抗蚀掩模，其具有由纳米压印法得到的图案。
树脂组合蚀刻用抗蚀掩模图案形成方法

[发明专利]带凹凸结构膜的玻璃基板的使用干式蚀刻的制造方法、带凹凸结构膜的玻璃基板、太阳能电池及太阳能电池的制造方法-CN201280042015.3有效
发明人：寺前文晴;难波江宏一;北野司;近藤俊行;铃木敦志;森绿 -专利权人：崇高种子公司
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明提供通过干式蚀刻精度良好地赋予微细的凹凸结构的带凹凸结构膜的玻璃基板的使用干式蚀刻的制造方法、带凹凸结构膜的玻璃基板、太阳能电池及太阳能电池的制造方法。在对由干式蚀刻时的蒸气压相互不同的多个氧化物构成的玻璃基板赋予凹凸结构时，包括在玻璃基板的平坦的表面形成由单一材料构成的被加工膜的被加工膜形成工序和利用干式蚀刻在被加工膜的表面形成周期性的凹凸结构的凹凸结构形成工序，通过干式蚀刻精度良好地赋予微细的凹凸结构。
凹凸结构玻璃使用蚀刻制造方法太阳能电池

[发明专利]干式蚀刻方法-CN202210020327.X在审
发明人：大森启之;八尾章史 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明的干式蚀刻方法的特征在于：其是对形成在基板上的硅氧化物层与硅氮化物层的积层膜，隔着形成在所述积层膜上的掩模，进行使干式蚀刻剂等离子体化并施加500V以上的偏压电压的蚀刻，从而对该层形成垂直方向的贯通孔的方法，并且所述干式蚀刻剂至少包含C3H2F4、CxFy所表示的不饱和全氟碳及氧化性气体，且所述干式蚀刻剂中所含的所述不饱和全氟碳的体积为所述干式蚀刻剂中所含的所述C3干式蚀刻方法，可以将SiOx的蚀刻速度相对于SiN的蚀刻速度的比(SiN/SiOx比)任意地控制在0.90～1.5之间，并且也可以对掩模实现高蚀刻选择性。
蚀刻方法

[发明专利]干式蚀刻方法-CN201680044981.7有效
发明人：大森启之;八尾章史 -专利权人：中央硝子株式会社
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的干式蚀刻方法的特征在于：其是对形成在基板上的硅氧化物层与硅氮化物层的积层膜，隔着形成在所述积层膜上的掩模，进行使干式蚀刻剂等离子体化并施加500V以上的偏压电压的蚀刻，从而对该层形成垂直方向的贯通孔的方法，并且所述干式蚀刻剂至少包含C3H2F4、CxFy所表示的不饱和全氟碳及氧化性气体，且所述干式蚀刻剂中所含的所述不饱和全氟碳的体积为所述干式蚀刻剂中所含的所述C3干式蚀刻方法，可以将SiOx的蚀刻速度相对于SiN的蚀刻速度的比(SiN/SiOx比)任意地控制在0.90～1.5之间，并且也可以对掩模实现高蚀刻选择性。
蚀刻方法

[发明专利]封装组件及其形成方法-CN202010222958.0在审
发明人：陈振宇;刘铭棋;陈逸群 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：在半导体衬底的前侧上方形成湿式蚀刻终止层。在湿式蚀刻终止层上方形成牺牲半导体层，以及在牺牲半导体层上方形成干式蚀刻终止层。可在干式蚀刻终止层上方形成半导体装置层的堆叠。执行湿式蚀刻工艺以去除半导体衬底，以及执行干式蚀刻工艺以去除湿式蚀刻终止层和牺牲半导体层。
封装组件及其形成方法

[发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN201910733035.9在审
发明人：长田大和;上村隆一郎 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-08-09 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的基板处理方法具有：干式蚀刻工序，对基板进行干式蚀刻处理；湿式冲洗工序，将所述基板浸渍到冲洗液中；和露点设定工序，在所述基板从所述干式蚀刻工序向所述湿式冲洗工序移动的空间中，将露点设为基准值以下。
处理方法装置

[发明专利]硅晶圆的制造方法-CN201980008674.7在审
发明人：大关正彬;五十岚健作;阿部达夫 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明为一种硅晶圆的制造方法，在粗研磨步骤与精研磨步骤之间具有干式蚀刻步骤，其特征在于，在所述干式蚀刻步骤中，以0.3μm/min以下的蚀刻速率对所述粗研磨步骤后的硅晶圆进行干式蚀刻。
硅晶圆制造方法

[发明专利]嵌入式闪存的多晶硅干蚀刻工艺的选择方法-CN201610885898.4有效
发明人：孙访策;李志国;杨勇;黄冲;邬镝 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：一种嵌入式闪存的多晶硅干蚀刻工艺的选择方法，所述方法包括以下步骤：提供所述嵌入式闪存的有源区的版图和浮栅区的版图；根据所述有源区的版图和浮栅区的版图，确定所述有源区与所述浮栅区的实际蚀刻区域的版图密度，所述实际蚀刻区域为通过干蚀刻工艺蚀刻多晶硅的区域；根据所述实际蚀刻版区域的版图密度和位于所述多晶硅下的氧化层在蚀刻后的预设厚度，选择对应的干蚀刻工艺。本发明方案可以根据多晶硅的实际蚀刻区域的版图密度，选择合适的多晶硅干蚀刻工艺，从而对浮栅末梢尖端进行精确控制，以提高闪存性能。
嵌入式闪存多晶蚀刻工艺选择方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top