专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]形成电阻布局图形的方法-CN201010292473.5有效
  • 程洁 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2010-09-19 - 2012-04-11 - H01L21/02
  • 本发明提供了一种形成电阻布局图形的方法,包括提供初始布局图形的步骤,所述初始布局图形至少包括电阻图形和至少一种应力膜图形,还包括下述步骤:根据目标电阻值、利用所述初始布局图形得到的电阻的阻值以及所述获取的多个组合布局图形与利用所述组合布局图形得到的电阻的方块电阻变化率的对应关系选择对应的组合布局图形;调整所述初始布局图形的应力膜图形,以使调整后的布局图形与所述选择的组合布局图形的应力膜图形对所述电阻图形的覆盖与否情形相同,提高了电阻的可调节性。
  • 形成电阻布局图形方法
  • [发明专利]制作光掩模版的方法及图案化的方法-CN200710171088.3有效
  • 王谨恒 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2007-11-27 - 2009-06-03 - G03F1/14
  • 一种图案化方法,包括:提供第一布局图形,所述第一布局图形包括待曝光电路图形和附加图形,所述待曝光电路图形具有至少两条不相连的相对布局线,所述附加图形将所述相对布局线相连;提供用于去除所述附加图形的第二布局图形;分别对第一布局图形和第二布局图形进行光学邻近修正形成第一布局修正图形和第二布局修正图形;分别将第一布局修正图形和第二布局修正图形转移至两块光掩模版上,形成第一掩模图形和第二掩模图形;依次将第一光掩模版和第二光掩模版上的掩模图形转移至晶圆上
  • 制作模版方法图案
  • [发明专利]布局图形校正方法-CN201110358302.2有效
  • 王伟斌;王辉 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2011-11-11 - 2013-05-15 - G03F1/36
  • 一种布局图形校正方法,包括:提供布局图形;对所述布局图形各边进行第一分割;对第一分割后的分割边进行第一光学邻近校正,得到布局中间图形,所述布局中间图形模拟形成的实际图形与目标图形之间存在预定误差;对所述布局中间图形各边进行第二分割;对第二分割后的分割边进行第二光学邻近校正,得到布局校正图形。本技术方案可以使实际形成的图形的特征尺寸、形状、位置较容易控制。
  • 布局图形校正方法
  • [发明专利]制作掩膜版的方法、对布局图形进行光学邻近修正方法-CN201010192865.4有效
  • 杨青 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2010-05-27 - 2011-11-30 - G03F1/14
  • 一种制作掩膜版的方法、对布局图形进行光学邻近修正方法,制作掩膜版的方法包括:提供布局图形;将布局图形分割成第一布局图形和第二布局图形;在所述第一布局图形的切割位置形成第一延伸段;在第二布局图形的切割位置形成第二延伸段;执行对第一布局图形和第一延伸段的光学邻近修正,获得第一修正图形,第一修正图形图形化仿真后包围第二延伸段所在区域;执行对第二布局图形和第二延伸段的光学邻近修正,获得第二修正图形,第二修正图形图形化仿真后包围第一延伸段所在区域;将第一修正图形写入第一掩膜版;将第二修正图形写入第二掩膜版。图形化时在叠加位置处,图形的宽度和目标宽度相等,至少图形宽度与图形目标宽度之间的差距缩小。
  • 制作掩膜版方法布局图形进行光学邻近修正
  • [发明专利]光学近距修正方法、光掩模版制作方法及图形化方法-CN200710042130.1有效
  • 何大权 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2007-06-18 - 2008-12-24 - G03F1/14
  • 一种光学近距修正方法,包括:确定横向最大尺寸和纵向最大尺寸均未达到目标尺寸的晶圆图形;对上述晶圆图形的目标布局图形进行模拟,得到目标布局图形的模拟图形,所述目标布局图形的模拟图形横向最大尺寸和纵向最大尺寸中的一个尺寸与晶圆图形相同;将目标布局图形的模拟图形横向最大尺寸和纵向最大尺寸中与晶圆图形不相同的另一个尺寸进行相减,得到模拟偏差值;对修正布局图形进行模拟,直至与模拟偏差值方向对应的修正布局图形的模拟图形减去目标布局图形尺寸等于模拟偏差值本发明还提供光掩模版制作方法及图形化方法。最终形成的晶圆图形尺寸与目标尺寸的差值在±5nm以内。
  • 光学近距修正方法模版制作方法图形
  • [发明专利]目标版图图形的形成方法-CN202211343858.9在审
  • 孟鸿林;张辰明;魏芳 - 上海华力微电子有限公司
  • 2022-10-31 - 2023-01-13 - G06F30/392
  • 本发明提供了一种目标版图图形的形成方法,包括:获取集成电路的版图布局数据,依据最小器件和最小特征图形匹配规则进行数据重构获得第一数据;在第一数据的版图布局数据中,根据存储区数据、逻辑区数据和固定IP进行动态切割成多个初始版图布局图形块;根据补偿规则分别对存储区数据、逻辑区数据和固定IP进行调整,以得到每个版图布局图形块的目标图形;对每个版图布局图形块的目标图形分别进行OPC处理,并将所有经过OPC处理后的版图布局图形块进行拼接;使用逻辑回归模型从拼接后的版图布局图形中提取掩模板数据本发明提高了版图布局图形块位置划分的准确度。
  • 目标版图图形形成方法
  • [发明专利]基于层次化模型的数据可视化方法及其系统-CN201610162397.3有效
  • 蔡毅;陈震鸿;闵华清 - 华南理工大学
  • 2016-03-21 - 2019-05-14 - G06F16/26
  • 本发明公开了一种基于层次化模型的数据可视化方法及系统,其中数据可视化方法包括下列步骤:图形数据准备、图形顶点采样分层、子图顶点连接、图形顶点受力计算、顶点位置更新、图形布局递归计算、图形布局层次化绘制;其中数据可视化系统包括下列模块:图形数据准备模块、图形顶点采样分层模块、子图顶点连接模块、图形顶点受力计算模块、顶点位置更新模块、图形布局递归计算模块、图形布局层次化绘制模块。本发明可以加快算法收敛,正确计算布局,保持效果稳定性。另外,本发明不仅可以科学地绘制大数据的图形布局,而且还提供了便捷的交互操作。因此,本发明具有快速高效地计算美观布局、帮助用户挖掘潜在知识规律的优点。
  • 基于层次模型数据可视化方法及其系统
  • [发明专利]校正布局图形的方法-CN201210113407.6有效
  • 张婉娟 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2012-04-17 - 2013-10-30 - G03F1/36
  • 一种校正布局图形的方法,包括:提供包括多个第一孔图形的第一布局图形;在所述第一孔图形中形成辅助图形,获得第二布局图形,所述辅助图形的尺寸小于光刻过程中的曝光分辨率;对所述第二布局图形进行光学邻近校正,获得第一修正图形,所述第一修正图形包括第一孔修正图形和辅助修正图形;模拟所述第一修正图形获得实际图形,所述实际图形与所述第一布局图形之间的边缘位置误差在预定范围之内。本技术方案可以解决在对孔图形进行光学邻近校正时,由于掩模版尺寸限制,形成在掩模版上的修正图形的边缘位置误差超出预定范围的问题。
  • 校正布局图形方法

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