专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体工艺设备的进装置及半导体工艺设备-CN202011050820.3有效
  • 赵庆峰;王晓飞 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2020-09-29 - 2022-11-25 - C23C16/455
  • 本发明提供一种半导体工艺设备的进装置及半导体工艺设备,其中,半导体工艺设备的进装置包括第一进组件和第二进组件,第一进组件设置在半导体工艺设备的工艺腔室的进端,包括第一进部件和与第一进部件连通的第一进气管,第二进组件包括第二进部件和与第二进部件连通的第二进气管,第一进气管和第二进气管分别用于通过第一进部件和第二进部件向工艺腔室内输送工艺气体,且第二进气管穿过第一进部件与第二进部件连通。本发明提供的半导体工艺设备的进装置及半导体工艺设备,能够提高工艺气体的进气量,以提高输送工艺气体的能力,从而提高晶片上薄膜的均匀性,提高产品良率,改善工艺效果。
  • 半导体工艺设备装置
  • [实用新型]一种低温甲醇洗工艺余压发电系统-CN202123426360.2有效
  • 陈一峰;李锋辉;戴军;林钢 - 上海慕帆动力科技有限公司
  • 2021-12-31 - 2022-09-02 - F01D15/10
  • 本实用新型公开了一种低温甲醇洗工艺余压发电系统,包括设于工艺输出管道内的余压发电装置,余压发电装置包括沿工艺气流向顺序设置的前导流罩、透平和电机,透平的输出端和电机的输入端连接。透平的静叶与工艺输出管道的内壁连接,前导流罩与工艺输出管道的内壁连接,用于将工艺导流至静叶。本实用新型提供的低温甲醇洗工艺余压发电系统,利用低温甲醇洗工艺的余压发电,有效利用了工艺的余压能量。同时,余压发电装置增设在工艺输出管路内,能够有效额外占用空间,且当在现有低温甲醇洗工艺系统中增设本实用新型时,只需对工艺输出管路拆除部分进行加装,无需对其他设备改动。
  • 一种低温甲醇工艺气余压发电系统
  • [发明专利]工艺腔室的进组件、进装置及半导体加工设备-CN202110093628.0有效
  • 李世凯 - 北京北方华创微电子装备有限公司
  • 2021-01-22 - 2022-07-22 - C30B25/14
  • 本发明实施例提供一种半导体工艺设备中工艺腔室的进组件、进装置及半导体加工设备,该进组件用于将工艺气体输送至与工艺腔室连通的进气管中,进组件中沿进方向依次设置有多个混气腔,任意相邻的两个混气腔互相连通,进组件包括进接头,该进接头与位于进方向最上游的混气腔连通,位于进方向最下游的混气腔与进气管连通。本发明实施例提供的半导体工艺设备中工艺腔室的进组件、进装置及半导体加工设备,可以对工艺气体进行充分混合和匀,从而不仅可以提高工艺气体的组分分布均匀性,而且还可以减小进气管不同区域之间的气流速度差异,从而可以提高工艺稳定性。
  • 工艺组件装置半导体加工设备
  • [发明专利]天然制氨和煤制氨与煤制甲醇的组合净化工艺-CN200710050995.2无效
  • 罗庆洪 - 罗庆洪
  • 2007-12-26 - 2008-07-09 - C01B3/50
  • 本发明天然制氨和煤制氨与煤制甲醇的组合净化工艺属于用于天然制氨和煤制氨及煤制甲醇的合成净化技术领域。在煤制甲醇和煤制氨工艺的低温甲醇净化系统中,把煤制经过变换工段的工艺分别气通入煤制甲醇和煤制氨工艺洗涤塔底部,同时将-64℃左右的新鲜甲醇溶液仅对煤制甲醇工艺进行洗涤;从煤制甲醇工艺洗涤塔取出半贫液洗涤煤制氨工艺;从煤制氨工艺洗涤塔中取出用于合成氨的H2+CO2混合气体通入现有天然制氨工艺净化系统的脱CO2净化装置,合用现有天然制氨的后续工艺制备氨优点:把天然制氨、煤制氨、煤制甲醇三个独立工艺优化合并,简化系统、节省能耗,减少设备数量和投资。
  • 天然气煤制氨甲醇组合净化工艺
  • [发明专利]用于沉积III-V主族半导体层的方法和装置-CN201610190479.9有效
  • F·拉达伊威特;M·德费尔;M·科尔伯格 - 艾克斯特朗欧洲公司
  • 2016-02-02 - 2021-05-11 - C23C16/455
  • 本发明涉及沉积III‑V主族半导体层的装置,所述装置具有工艺腔(1)、构成工艺腔底部的、用于容纳一个或多个待镀基片的基座(2)、用于将基座加热到工艺温度的加热装置(3)以及进气机构(4),所述进气机构具有用来将氢化物和金属有机化合物引入工艺腔中的至少一个第一和第二工艺入口区建议腐蚀入口(9)沿氢化物和金属有机化合物的流动方向(23)在工艺入口区下游通入工艺腔中,其中设置控制装置并布置工艺入口区和腐蚀入口,使得从工艺入口区流出的工艺气在沉积半导体层时不进入腐蚀入口,并且净化工艺腔时从腐蚀入口流出的腐蚀不进入工艺入口区。腐蚀入口由进气机构周围的工艺气腔盖环形区和用来固定盖板的环形固定元件构成。
  • 用于沉积iii半导体方法装置
  • [发明专利]半导体加工设备中气路控制的方法及系统-CN201310722602.3在审
  • 兰芳 - 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
  • 2013-12-24 - 2015-06-24 - G05D7/06
  • 其中方法包括判断工艺表单中每一路在不同步骤中的非零路流量值是否相同;当非零路流量值不同时,在每一工艺步骤中,根据工艺表单中的每一路的路流量值对所有气路的路流量进行异步设置,并当路流量稳定后执行相应的工艺步骤,直至完成所有工艺步骤;当非零路流量值相同时,对所有气路的路流量值进行异步设置,并在每一工艺步骤中,根据工艺表单中的路流量值是否为零打开或关闭气路与工艺腔室之间的阀门;路流量稳定后执行相应的工艺步骤,直至完成所有工艺步骤。本发明实现路控制方式的智能选择,缩短气路流量设置时间,提高生产效率。
  • 半导体加工设备中气控制方法系统

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