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[发明专利]一种提高速度和保持数据时间的存储器-CN201811626289.2在审
发明人：景蔚亮;钱星宇;陈邦明 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： G11C14/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储器技术领域，尤其涉及一种提高速度和保持数据时间的存储器，其中包括：一嵌入式动态随机存储器，一非易失性存储器；嵌入式动态随机存储器与非易失性存储器连接，嵌入式动态随机存储器和非易失性存储器分别与一外部处理器连接；外部处理器对嵌入式动态随机存储器进行写数据操作，对非易失性存储器进行读数据操作，嵌入式动态随机存储器将数据转移至非易失性存储器中保存；嵌入式动态随机存储器利用绝缘体上硅工艺结合背栅调控技术以提高嵌入式动态随机存储器的读写数据速度与保持数据时间上述技术方案的有益效果：很好的解决了存储器中晶体管漏电问题，同时又保证了存储器的读写速度和数据保持时间。
嵌入式动态随机存储器非易失性存储器存储器外部处理器绝缘体上硅工艺半导体存储器易失性存储器读数据操作写数据操作读写数据漏电问题数据保持数据转移晶体管背栅读写与非保存调控保证

[发明专利]一种嵌入式动态随机存储器结构-CN200810197654.2无效
发明人：邹雪城;戴葵;吴丹;王志英;黄立波;龚锐;郭建军;邹望辉;石伟 -专利权人：戴葵
申请日： 2008-11-13 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种嵌入式动态随机存储器结构，包括接口控制电路、两个静态随机存储器装置、访存控制逻辑、以及嵌入式动态随机存储器阵列核，其特征在于：接口控制电路通过两个静态随机存储器装置与访存控制逻辑相连，访存控制逻辑与嵌入式动态随机存储器阵列核相互连接本发明的特点在于：充分利用了嵌入式动态随机存储器结构直接从灵敏放大器出来的内部高带宽优势，增加一级访存速度快的静态随机存储器来加速对嵌入式动态随机存储器核中数据的存取访问。同时，与动态随机存储器阵列核相邻的两个静态随机存储器在作为片上高速缓存使用时，也能分别作为指令缓存和数据缓存，从而对基于哈佛结构的计算机体系应用能够非常高效的支持。
一种嵌入式动态随机存储器结构

[发明专利]片上系统及其设计方法-CN201010519476.8有效
发明人：杨光军 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-10-25 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： G11C11/00 文献下载
摘要：根据本发明的片上系统包含布置在同一衬底上的嵌入式闪存以及嵌入式动态随机存取存储器，其中，所述片上系统包括被所述嵌入式闪存以及所述嵌入式动态随机存取存储器共用的共用装置。通过提供被嵌入式闪存以及嵌入式动态随机存取存储器共用的共用装置，减小了片上系统的芯片面积以及功耗，从而降低了片上系统的成本。
系统及其设计方法

[发明专利]具有嵌入式芯片的动态随机存取存储器装置及其制造方法-CN202210059406.1在审
发明人：张立鹏;张三荣 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明公开一种具有嵌入式晶片芯片的动态随机存取记忆体存储器装置及其制造方法，其中具有嵌入式芯片的动态随机存取存储器装置包括半导体芯片与逻辑芯片。半导体芯片包括第一基板、动态随机存取存储器以及嵌入区域。动态随机存取存储器形成于第一基板上，并具有位线以及设置在位线上的电容器。嵌入区域定义在动态随机存取存储器以外的半导体芯片中，且嵌入区域的底部在第一基板的表面或表面以下。逻辑芯片则是嵌入在所述嵌入区域，其中逻辑芯片包括第二基板以及形成于第二基板上的逻辑元件，且第二基板的底部位于第一基板的表面或表面以下。
具有嵌入式芯片动态随机存取存储器装置及其制造方法

[发明专利]一种利用最后一级混合缓存替代混合内存的方法-CN201510332844.0有效
发明人：景蔚亮 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G06F12/0811 文献下载
摘要：本发明提供一种利用部分或者全部最后一级混合缓存替代部分或者全部混合内存的方法，所述最后一级混合缓存包括嵌入式动态随机存储器以及3D新型非易失性存储器，利用最后一级混合缓存中部分或者全部的嵌入式动态随机存储器替代混合内存中的部分或者全部的动态随机存储器；利用最后一级混合缓存中部分或全部的3D新型非易失性存储器替代混合内存中部分或者全部的非易失性存储器。
一种利用最后一级混合缓存替代内存方法

[发明专利]一种嵌入式系统的应用程序的升级方法及升级装置-CN201510114037.1有效
发明人：杨富良 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2015-03-16 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： G06F9/445 文献下载
摘要：本发明提供一种嵌入式系统的应用程序的升级方法及升级装置，其中，该升级方法包括：获取一无损业务复位请求，所述复位请求携带有一待升级的应用程序的无损业务升级方式标志信息；根据所述升级方式标志信息，将嵌入式系统复位过程中的数据信息保存至动态随机存储器的指定区域中，产生一复位指令；根据所述复位指令对所述嵌入式系统进行复位；在所述嵌入式系统复位后，从所述动态随机存储器的所述指定区域中提取并恢复所述数据信息。本发明的方案使得嵌入式系统在升级过程中不损伤外部业务芯片数据，提高了系统的可靠性，且由于在复位过程中将外部业务芯片数据保存至系统自身的动态随机存储器中，降低了成本，降低了系统的访问时间，提升了效率。
一种嵌入式系统应用程序升级方法装置

[发明专利]具有低有效延迟的高容量存储器电路-CN202180025131.3在审
发明人： Y.C.金;R.S.切尔尼科夫;K.N.夸德;R.D.诺曼;颜天鸿;S.萨拉胡丁;E.哈拉里 -专利权人：日升存储公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：形成在第一半导体衬底上的第一电路与形成在第二存储器电路上的第二电路进行晶片键合，其中第一电路包括准易失性或非易失性存储器电路，第二存储器电路包括比准易失性或非易失性存储器电路具有更低读取延迟的快速存储器电路易失性和非易失性存储器电路可以包括静态随机存取存储器(SRAM)电路、动态随机存取存储器(DRAM)电路、嵌入式DRAM(eDRAM)电路、磁随机存取存储器(MRAM)电路、嵌入式MRAM(eMRAM)
具有有效延迟容量存储器电路

[实用新型]基于并行架构的嵌入式移动IPv4/v6转换网关装置-CN201020107738.5无效
发明人：马争鸣;张飞;王波涛;杨美娜 -专利权人：中山大学
申请日： 2010-01-29 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H04L12/66 文献下载
摘要：本实用新型提出一种基于并行架构的嵌入式移动IPv4/v6转换网关装置，它由电源模块、多个并行的嵌入式处理器模块、高速转发模块、桥接模块和高速PCI总线组成。高速转发模块由多层交换的包处理器(1)以及与其相连的物理层接口(2)(3)、双倍速率同步动态随机存储器(4)(5)(6)和桥接模块(7)构成。高速转发模块通过桥接模块(7)与高速PCI总线相连。并行的嵌入式处理器模块分别由嵌入式处理器(8)(9)(10)(11)以及与它们分别相连的闪存(12)(13)(14)(15)、同步动态随机存储器(16)(17)(18)(19)、桥接模块(24)(25)(26)(27)以及与桥接模块连接的同步动态随机存储器(20)(21)(22)(23)组成。嵌入式处理器模块通过桥接模块与高速PCI总线相连。嵌入式处理器模块负责IPv4与IPv6之间地址协议的转换以及移动IPv4与移动IPv6之间消息和报文的转换。
基于并行架构嵌入式移动 ipv4 v6 转换网关装置

[发明专利]嵌入式动态随机存取存储器-CN200810091755.1有效
发明人：许国源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-04-14 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： G11C11/4076 文献下载
摘要：本发明公开一种嵌入式动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称为DRAM)，包括一时钟信号、耦接至该时钟信号的至少一延迟锁相环(Delay Locked Loop，DLL)电路与耦接至所述控制信号的至少一嵌入式DRAM阵列。该嵌入式DRAM阵列产生多个操作步骤且由所述控制信号控制。本发明的嵌入式动态随机存取存储器可精确地控制延迟时间(Delay Time)，且自动适应嵌入式DRAM中的不同内部控制的时钟信号变化。
嵌入式动态随机存取存储器

[发明专利]一种任意波形发生装置-CN201410174511.5有效
发明人：陈龙;罗建健;张志辉 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H03K3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种任意波形发生装置，包括触摸屏，片上系统，同步动态随机存储器，Flash存储器和数模转换通道；所述片上系统包括嵌入式处理器和直接数字合成器，片上系统与所述触摸屏、同步动态随机存储器、Flash存储器和数模转换通道之间采用总线连接；所述触摸屏用于输入波形数据和频率控制信号；所述嵌入式处理器用于对存储在Flash存储器中的数据进行分析处理，并将处理结果的波形数据保存在同步动态随机存储器；所述直接数字合成器用于对存储在同步动态随机存储器的波形数据进行数控调制
一种任意波形发生装置

[实用新型]一种任意波形发生装置-CN201420211177.1有效
发明人：陈龙;罗建健;张志辉 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H03K3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种任意波形发生装置，包括触摸屏，片上系统，同步动态随机存储器，Flash存储器和数模转换通道；所述片上系统包括嵌入式处理器和直接数字合成器，片上系统与所述触摸屏、同步动态随机存储器、Flash存储器和数模转换通道之间采用总线连接；所述触摸屏用于输入波形数据和频率控制信号；所述嵌入式处理器用于对存储在Flash存储器中的数据进行分析处理，并将处理结果的波形数据保存在同步动态随机存储器；所述直接数字合成器用于对存储在同步动态随机存储器的波形数据进行数控调制
一种任意波形发生装置

[发明专利]数据处理方法及相关装置-CN202211729886.4在审
发明人：贾复山;杨八双;孙文瀚 -专利权人：苏州盛科通信股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本申请实施例提出一种数据处理方法及相关装置，涉及嵌入式系统领域。根据待处理数据的数据大小以及数据类型，确定高速缓冲存储器是否满足预设的数据存储条件；待处理数据包括外部数据和/或存储在大容量动态随机存储器的存储数据；若高速缓冲存储器满足预设的数据存储条件，则将待处理数据存储至高速缓冲存储器中，以便CPU从高速缓冲存储器中获取待处理数据，并对待处理数据进行数据处理；若高速缓冲存储器不满足预设的数据存储条件，则将待处理数据存储至大容量动态随机存储器中。通过该方法可提高CPU获取数据的效率，从而提高嵌入式系统的性能。
数据处理方法相关装置

[发明专利]嵌入式系统的日志存储方法、系统及日志读取方法和系统-CN201310496989.5有效
发明人：宋美威;吴鹏 -专利权人：广东威创视讯科技股份有限公司
申请日： 2013-10-21 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： G06F11/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入式系统的日志存储方法、系统及日志读取方法和系统，所述日志存储方法包括：获取嵌入式系统的日志数据；将所述日志数据写入随机存储器中；将写入所述随机存储器中的日志数据复制到外存储器中。本发明的嵌入式系统的日志存储方法、系统及日志读取方法和系统，先将日志数据保存在随机存储器中，再从随机存储器中将日志数据复制到外存储器。在嵌入式软件系统上，既能保证所有任务的正常运行，又能以较低的内存利用率将日志数据快速的保存，且发生掉电时从随机存储器复制到外存储器的日志数据也不会丢失。既可快速从随机存储器中快速读取日志数据，又可及时从外存储器中读取随机存储器丢失的日志数据。
嵌入式系统日志存储方法读取

[发明专利]用于动态随机存取存储器阵列的屏蔽位线结构-CN200610127746.4无效
发明人：道格拉斯·布莱恩·巴特勒 -专利权人：茂德科技股份有限公司（新加坡子公司）
申请日： 2006-09-01 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： G11C11/4094 文献下载
摘要：一种用于动态随机存取存储器和结合嵌入式动态随机存取存储器的集成电路装置的屏蔽位线结构。其包含共用感测放大器与折迭位线阵列，从相邻非主动次阵列中使用位线作为主动阵列位线的参考。
用于动态随机存取存储器阵列屏蔽结构

[发明专利]嵌入式SRAM操作系统进程实现和进程状态转换的方法-CN200610050118.0无效
发明人：陈天洲;胡威;沙峰;连毅 -专利权人：浙江大学
申请日： 2006-03-31 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： G06F9/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种嵌入式SRAM操作系统进程实现和进程状态转换的方法。在嵌入式SRAM操作系统中，分成静态随机存储器SRAM，Static RandomAccess Memory，和同步动态随机存储器SDRAM，Synchronous dynamicRandomAccessMemory两个存储层次，进程可以从SRAM中被换出到SDRAM中，定义原子化的七个不同的进程状态：创建态、运行态、就绪态、阻塞态、就绪换出、阻塞换出、退出态，根据设定的进程状态切换条件，嵌入式SRAM本发明的方法结合了嵌入式SRAM操作系统特点，为该系统提供了灵活的任务调度的基础。
嵌入式 sram 操作系统进程实现状态转换方法

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