专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种电镀方法-CN202110685013.7有效
  • 王旭阳;李雪征;李俊慧;冯亚丽;郭育梅;贾赫 - 北京世维通科技股份有限公司
  • 2021-06-21 - 2022-11-08 - C25D5/02
  • 本发明公开了一种电镀方法,包括如下步骤:在待镀基板上制作图形导电种子层;在所述待镀基板和所述图形导电种子层上制作电镀掩膜图形,所述电镀掩膜图形的凹槽图形对应于需要加厚的部分;在所述电镀掩膜图形的所述凹槽图形内填充金属材料,得到加厚金属图形。采用本发明提供的上述方案,图形导电种子层需要加厚的位置上方形成有凹槽图形,在凹槽图形中填充金属形成的金属线与图形导电种子层直接相连,直接增加了该部分的导电元件的厚度,如此能够在电镀时依据厚度要求精确控制局部镀层厚度能够精确控制局部镀层厚度
  • 一种电镀方法
  • [发明专利]显示基板、显示面板及显示装置-CN201610228714.7在审
  • 吕振华;薛艳娜;尤杨;王世君;陈希 - 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
  • 2016-04-13 - 2016-06-15 - G02F1/1333
  • 所述显示基板包括多个静电释放单元,所述静电释放单元包括相对设置的第一导电图形和第二导电图形。所述显示面板包括上述显示基板。所述显示装置包括上述显示面板。上述显示基板、显示面板和显示装置,其通过将内部产生或外部进入的静电电荷转移至静电释放单元的第一导电图形和第二导电图形上,并在第一导电图形和第二导电图形之间形成放电,从而将静电电荷消耗掉;最终显示基板内的静电电荷减少,且静电的释放发生在静电释放单元的第一导电图形和第二导电图形之间而不是发生在显示基板的其他区域,从而可以在显示基板的其他区域避免出现信号线及电极等导电体的短接以及由此而引起的不良后果。
  • 显示面板显示装置
  • [发明专利]陶瓷电路板的制备方法-CN202010699709.0在审
  • 高卫东;周晓斌;黄广新;张立辉 - 乐健科技(珠海)有限公司
  • 2020-07-20 - 2020-10-16 - H05K3/10
  • 本发明提供了一种陶瓷电路板的制备方法,该陶瓷电路板包括陶瓷基板以及通过活性钎料焊接在陶瓷基板上的导电图形;该制备方法包括以下步骤:S1,提供用于形成导电图形的金属箔,并从金属箔的第一主表面对非导电图形区域进行厚度减薄处理;S2,在陶瓷基板上设置活性钎料;其中,活性钎料仅设置在陶瓷基板上用于连接导电图形的区域;S3,以陶瓷基板面对金属箔的第一主表面,将导电图形放置到活性钎料上,并使导电图形通过活性钎料焊接到陶瓷基板上;S4,从金属箔的第二主表面去除步骤S1中厚度减薄后的非导电图形区域。本发明有利于达成较小的图形线路间距,且无需进行活性钎料的蚀刻,避免了活性钎料蚀刻对导电图形的损伤,提高图形精度。
  • 陶瓷电路板制备方法
  • [发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置-CN201910384534.1有效
  • 金度贤 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2019-05-09 - 2021-11-23 - H01L27/12
  • 本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,制备方法包括:在衬底基板上形成有源层的图形和公共电极的图形,有源层的图形包括:叠加设置的透明导电图形和半导体图形,半导体图形位于透明导电图形远离衬底基板的一侧,且半导体图形完全覆盖透明导电图形。本发明实施例中的阵列基板的有源层的图形包括叠加设置的透明导电图形和半导体图形,能够提高有源层的迁移率,从而使得具有该有源层的阵列基板能够用于实现高性能的显示产品。
  • 阵列及其制备方法显示装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201780002328.9有效
  • 森永雄司;久德淳志;菊地芳彦 - 新电元工业株式会社
  • 2017-06-19 - 2022-06-21 - H01L25/07
  • 【解决手段】实施方式涉及的半导体装置1包括:绝缘基板2;形成在绝缘基板2上的导电图形部51、52、53、54、55;配置在导电图形部51上的GaN‑HEMT10;以及配置在导电图形部52上的GaN‑HEMT20,其中,GaN‑HEMT10的假想线L1与GaN‑HEMT20的假想线L2相交,GaN‑HEMT20的GaN栅电极23经由金属线6与导电图形部55电气连接,金属线6与导电图形部55的边S5以及导电图形部55的导电图形边55S垂直相交。
  • 半导体装置
  • [实用新型]一种阵列基板及显示装置-CN201320372625.1有效
  • 孟庆超;權基瑛;朱承达;周保全 - 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
  • 2013-06-26 - 2013-11-20 - H01L27/12
  • 本实用新型提供一种阵列基板及显示装置,该阵列基板包括有效显示区域和周边的电路区域,其中,周边的电路区域包括引线区,引线区包括:衬底基板、第一金属图形、第二金属图形和透明导电图形,第一金属图形和第二金属图形形成于衬底基板上,第一金属图形的上方设置有第一过孔,第二金属图形上方设置有第二过孔;透明导电图形经由第一过孔与第一金属图形连接,透明导电图形经由第二过孔与第二金属图形连接,以使第一金属图形和第二金属图形通过透明导电图形连接本实用新型的技术方案能够有效增大透明导电图形的铺垫面积,从而提高了抗击穿的能力。
  • 一种阵列显示装置

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