专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种等离子体绕流场电子密度分布电磁修正方法-CN202310314477.6在审
  • 邓浩川;满良;冯雪健;吴洋 - 北京环境特性研究所
  • 2023-03-28 - 2023-06-27 - G06F30/25
  • 本发明涉及一种等离子体绕流场电子密度分布电磁修正方法,涉及电磁修正领域,包括以下步骤:仿真计算模型表面的电子密度,将仿真计算的绕流场电子密度分布作为基础分布;通过观测点的RCS测量结果,反演修正函数;将修正函数在原点处展开为泰勒级数DDA0004149794740000011.JPG" imgContent="drawing" imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="no" />通过修正函数与基础分布在任意位置相乘获得任意位置电子密度的修正值;由遗传算法筛选出的最优个体即为反演修正结果,本发明具有在已知目标外形、等离子体绕流场电子密度分布仿真结果和有限方位角内、有限频点目标受等离子体影响后RCS的改变量之后,可以实现对等离子体绕流场电子密度分布仿真结果的修正,进一步提高等离子体电子密度仿真结果的精确度的优点。
  • 一种等离子体绕流场电子密度分布电磁修正方法
  • [发明专利]基于强化学习的IPv6活跃地址探测方法和装置-CN202110801982.4有效
  • 杨家海;宋光磊;何林;王之梁 - 清华大学
  • 2021-07-15 - 2022-05-06 - H04L61/5046
  • 本申请提出了一种基于强化学习的IPv6活跃地址探测方法和装置,该方法包括:获取IPv6种子地址,并确定种子地址的多个高密度区域;通过预先训练的多臂老虎机模型对每个高密度区域进行迭代探测,包括:在每个高密度区域中生成预设数量的目标地址,并探测每个所述目标地址是否为活跃地址;确定所述预设数量的目标地址中的活跃地址数量和非活跃地址数量,并根据所述活跃地址数量和非活跃地址数量更新对应的高密度区域的期望奖励,重复执行上述步骤,以通过对每个高密度区域进行迭代探测,使种子地址的密度分布收敛到活跃地址的密度分布。该方法使种子地址的密度分布向实际的活跃地址分布移动,从而可以在网络中确定活跃地址的高密度区域,提高了探测活跃地址的效率。
  • 基于强化学习ipv6活跃地址探测方法装置
  • [发明专利]显示基板及显示装置-CN202210400173.7在审
  • 谭文静 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2018-06-29 - 2022-07-15 - H01L27/32
  • 本发明公开了一种显示基板及显示装置,由于将显示区域设置为像素分布密度大(即分辨率高)的第一显示子区域和像素分布密度小(即分辨率低)的第二显示子区域。由于第二显示子区域内的像素分布密度较小,因此可以将摄像头、传感器、听筒等元件设置在第二显示子区域内,即采用降低局部像素分布密度来增加屏幕透光率的方式来提高显示基板的屏占比。
  • 显示显示装置
  • [发明专利]一种潜山裂缝分布的勘测方法与装置-CN201310359802.7有效
  • 舒梦珵;王真理 - 中国科学院地质与地球物理研究所;北京中科联衡科技有限公司
  • 2013-08-16 - 2013-11-20 - G01V1/28
  • 本发明公开了一种潜山裂缝分布的勘测方法与装置,所述方法包括:设置目标区的初始深度范围;分别采用纵波方位检测方法和相对波阻抗方位检测方法确定所述初始深度范围内的裂缝密度分布;两种检测方法确定的裂缝密度分布一致时,所述裂缝密度分布即为目标裂缝密度分布;调整初始深度范围,在调整过程中采用上述两种检测方法获取对应深度的裂缝走向分布,直至上述任一种检测方法确定的裂缝走向分布在已知井处与所述已知井的实际裂缝走向分布一致;调整后的初始深度范围即为目标深度范围,所述目标深度范围的裂缝走向分布即为目标裂缝走向分布。采用多种数据进行裂缝分布的勘测,并且采用的多种数据之间具有相对独立性,使得勘测结果较为准确。
  • 一种潜山裂缝分布勘测方法装置
  • [发明专利]单晶拉制装置以及单晶拉制方法-CN201680053903.3有效
  • 高野清隆 - 信越半导体株式会社
  • 2016-08-23 - 2020-07-24 - C30B15/00
  • 本发明提供一种单晶拉制装置,其具备:拉制炉,其配置有收容熔融的单晶材料的坩埚且具有中心轴;以及磁场产生装置,其设置在拉制炉周围且具有超导线圈,磁场产生装置以如下方式产生磁场分布:在将含有超导线圈的线圈轴的水平面内的中心轴上的磁力线方向作为X轴时,X轴上的磁通密度分布为向上凸的分布,在将水平面内的中心轴上的磁通密度作为磁通密度设定值的情况下,X轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的80%以下,同时在水平面内与X轴正交且通过中心轴的Y轴上的磁通密度分布为向下凸的分布,Y轴上的磁通密度在坩埚壁中为磁通密度设定值的140%以上。
  • 拉制装置以及方法
  • [发明专利]一种材料密度均匀性分布测量方法、系统及设备-CN202310145699.X在审
  • 常丁月;熊鹏辉;何晖;王鹍;寇化秦;陈军 - 中国工程物理研究院材料研究所
  • 2023-02-22 - 2023-05-02 - G01N9/24
  • 本发明公开了一种材料密度均匀性分布测量方法、系统及设备。该方法包括:采用透射式微焦点CT检测技术获取待检测材料样品不同角度下的透射投影图像;对透射投影图像进行三维体素级重建,获得三维CT模型;基于三维CT模型,对待检测材料样品进行灰度分布统计分析,得到待检测材料样品的全局密度均匀性;基于三维CT模型,将待检测材料样品剖分成多个部分,分别对各部分进行灰度分布统计分析,得到各部分的密度均匀性;通过对比不同部分的密度均匀性确定待检测材料样品的密度均匀性分布情况。本发明能够高效的得到材料的全局和局部密度不均匀性,且本发明得到的材料的密度均匀性及其分布规律是完全在无损的情况下,并不影响材料后续的使用。
  • 一种材料密度均匀分布测量方法系统设备
  • [发明专利]面发光装置-CN201080033177.1无效
  • 住之江信二;日根野充;尾上正人 - 夏普株式会社
  • 2010-11-24 - 2012-05-23 - H05B37/02
  • 本发明提出了一种面发光装置,包括:平面基体;分布在基体上的多个固态发光元件;以及控制电路,用于控制供应给固态发光元件的电流的幅度;其中基体包括固态发光元件分布密度不同的多个区域;以及控制电路控制电流的幅度,使得向分布密度较低区域中的固态发光元件供应比分布密度较高区域中的固态发光元件大的电流。
  • 发光装置
  • [发明专利]一种基于隐密度分布的密集人群计数方法、系统及终端-CN202010349623.5在审
  • 杨华;高宇康 - 上海交通大学
  • 2020-04-28 - 2020-09-04 - G06K9/00
  • 本发明公开一种基于隐密度分布的密集人群计数方法、系统及终端,所述方法包括:根据人群点图通过高斯网络得到自适应的隐高斯密度图;根据计数损失项、平滑项和贝叶斯项,指导隐高斯密度图优化,使其生成质量更高;根据所述隐高斯密度图作为训练目标,结合对抗损失函数和贝叶斯损失函数,将密集人群图像输出为预测的密度分布图;预测的密度分布图进行求和,可得到预测的密度人数。密度预测器、隐高斯密度生成器、判别器三网络交替训练,协同优化。本发明较大程度提升了精度,具有良好的鲁棒性,且因未增加推断阶段的参数量和运算量,具有较强的应用价值。
  • 一种基于隐密分布密集人群计数方法系统终端

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