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[发明专利]一种用于运算放大器的密勒补偿电路及运算放大器-CN201710394927.1在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：长沙方星腾电子科技有限公司
申请日： 2017-05-30 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于运算放大器的密勒补偿电路及运算放大器，属于半导体集成电路技术领域。该密勒补偿电路包括第一电容C1、第二电容C2和第一电阻R1；第二电容C2、第一电阻R1、第一电容C1依次串联构成弥勒补偿电路。本发明还提供了一种包括弥勒补偿电路的运算放大器，本发明带密勒补偿电路的运算放大器在传统密勒补偿电路的基础上，增加了第二电容C2接于运算放大器第一级的输出端。与传统的密勒补偿电路相比，本发明的密勒补偿电路在增加运算放大器稳定性的同时，并不会减小其带宽，大大提高了运算放大器的性能。
一种用于运算放大器补偿电路

[发明专利]一种密勒电阻补偿电路-CN201410421307.9有效
发明人：李亚 -专利权人：长沙瑞达星微电子有限公司
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： G05F1/46 文献下载
摘要：密勒效应在集成电路设计中得到广泛的应用，密勒效应可以有效的改变结点的等效阻抗，本发明公开了一种利用电阻的密勒效益，分离反馈电阻串的一对零极点，实现零点补偿的方法；本发明的电路由主电路和密勒电阻补偿电路构成，而密勒电阻补偿电路由反馈电阻串、运放、密勒电阻、补偿电容组成。
一种电阻补偿电路

[发明专利]基于交叉耦合密勒电容抗SEU加固的新型存储单元-CN201410084629.9在审
发明人：王海滨;林善明;谢迎娟;单鸣雷;刘玉宏;刘翔 -专利权人：河海大学常州校区
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： G11C11/41 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于交叉耦合密勒电容抗SEU加固的新型存储单元，包括存储单元，其特征在于：所述存储单元为DICE存储单元，所述DICE存储单元四个节点中的每两个节点之间设置有密勒电容。本发明的有益之处在于：在DICE存储单元的节点之间连接交叉耦合密勒电容，可以实现用较小的电容获得较大的电容。在电路尺寸上，密勒电容不会明显增加器件面积，可以满足集成电路尺寸越来越小的要求。交叉耦合密勒电容的增加提高了节点翻转的临界点电荷，降低了相同数量的收集电荷能够引起的节点电压的改变，增加了DICE存储单元两个反相器之间的反馈延时时间，提高了DICE存储单元多节点抗SEU加固能力，避免两个节点同时受到辐射影响可能发生反转现象
基于交叉耦合密勒电容抗 seu 加固新型存储单元

[实用新型]一种可调密勒补偿的开关电容放大器-CN202121855032.1有效
发明人：郭亚炜 -专利权人：无锡彼星半导体有限公司
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可调密勒补偿的开关电容放大器，涉及电子电路领域，该开关电容放大器包括运算放大器及连接在运算放大器外部的放大器外围电路，运算放大器内部包括可调密勒电容，放大器外围电路和可调密勒电容均受控于开关电容放大器的控制信号放大器外围电路受控于第一控制信号使得开关电容放大器工作于放大相位，且运算放大器内部的可调密勒电容受控于第一控制信号具有容值较小的第一容值，环路带宽较大，具有较快的阶跃响应速度。放大器外围电路受控于第二控制信号使得开关电容放大器工作于复位相位，且运算放大器内部的可调密勒电容受控于第二控制信号具有较大的第二容值，环路带宽较窄，可保证环路具有充足的相位裕度。
一种可调补偿开关电容放大器

[发明专利]一种低密勒电容的VDMOS器件-CN202111682678.9在审
发明人：高巍;李曦;周春颖;任敏;叶钰麒;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种低密勒电容的VDMOS器件结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明提出的一种低密勒电容VDMOS器件，通过将多晶硅电极区进行不同类型掺杂，以PN结自隔离的方法将其分为三段，将与JFET区交叠的部分和金属化源极短接，从而使得栅漏的交叠面积大大减小，实现了对密勒电容的有效降低因此，本发明结构在保证VDMOS原有的基本电学性能的基础上，有效地降低了密勒电容，减小了器件的开关损耗。
一种低密勒电容 vdmos 器件

[发明专利]采用有源电感的中频LC并联谐振回路-CN200710173303.3无效
发明人：曹圣国;周晓方 -专利权人：复旦大学
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H03H11/02 文献下载
摘要：它主要由可调有源电感及密勒等效电容组成。其中，有源电感为回环接法的两级放大器，密勒等效电容为电容器跨接于放大器输入输出两端形成。有源电感和密勒等效电容值均受控制值控制，而有源电感还可以通过调整其尾电流控制其值。本发明所提出的谐振回路调谐方便迅速，节约芯片面积。
采用有源电感中频 lc 并联谐振回路

[发明专利]一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET-CN202110374985.4有效
发明人：顾航;高巍;戴茂州 -专利权人：成都蓉矽半导体有限公司
申请日： 2021-04-08 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET，属于功率半导体器件技术领域。本发明的一种具有密勒钳位功能的功率MOSFET（绝缘栅型场效应晶体管）可以将密勒电容上的充放电电流通过单片集成的BJT（双极型晶体管）泄放到源极且只产生少量的栅源压降，这有效的降低了由于密勒电容充放电而造成的功率
一种具有密勒钳位功能功率 mosfet

[发明专利]一种增大放大器密勒电容的电路-CN202210268243.8在审
发明人：程金星;王庆波;于艾;温伟伟;吴友朋 -专利权人：中国人民解放军96901部队23分队
申请日： 2022-03-17 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H03F1/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种增大放大器密勒电容的电路，包括密勒电容、功率继电器、延时自动恢复电路、漏电检测电路、防反接保护电路及过热保护电路；延时自动恢复电路包括微信号强电控制电路、强弱电转电路、小功率继电器及延时继电本发明不仅能够实时地执行漏电保护断开主电路，并可以在延时一定时间后进行自动恢复，可以有效地缩短漏电保护断电故障的时间，降低漏电保护断电故障造成的经济损失，而且还可以起到防反接和过热保护的效果，从而可以有效地避免密勒电容因过热或反接而导致的损坏现象的发生，有效地延长密勒电容的使用寿命。
一种增大放大器电容电路

[发明专利]互补金属氧化物半导体集成电路-CN98800117.9有效
发明人：冈安俊幸 -专利权人：株式会社爱德万测试
申请日： 1998-02-26 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：一种CMOS结构的超大规模集成电路，可不受配线电容、门输入电容的影响而高速工作。把电流输出型门用作发送侧门11，且只在信号的跃迁期间使电容器54充放电，其电流经电流密勒电路55、56放大后流过导通电路15。接收侧门31是低输入阻抗电流输入型门。该门31的结构为：将CMOS反相器35的输入输出端短路连接，其两个电源连接端分别通过p沟道MOSFET电流密勒电路37、39和n沟道MOSFET电流密勒电路38、41而连接在正和负的电源端子16及17上，两个电流密勒电路的输出侧连接在导电通路15上。
互补金属氧化物半导体集成电路

[实用新型]动态密勒补偿的CMOS低压差线性稳压器及电子设备-CN201720385407.X有效
发明人：宋登明;聂海 -专利权人：成都信息工程大学;成都市海芯微纳电子科技有限公司
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种动态密勒补偿的CMOS低压差线性稳压器，包括带隙基准电源、误差放大器、缓冲器以及功率调整管，所述动态密勒补偿的CMOS低压差线性稳压器还包括动态密勒补偿电路；所述动态密勒补偿电路包括电阻、电容以及PMOS管；所述电容、电阻以及PMOS管串联后分别接在所述误差放大器的输出端和所述缓冲器的输出端；所述PMOS管的栅极与功率调整管连接；本实用新型还提供了一种电子设备。本实用新型功耗低，效率高，由于动态密勒补偿电路采用PMOS作线性电阻连接的设计，使得电路具有非常恒定的带宽，大大提高了系统瞬态响应的能力，并且提高了稳压器环路的稳定性。
动态补偿 cmos 低压线性稳压器电子设备

[发明专利]一种适用于高速集成放大器的频率补偿电路-CN201010543420.6无效
发明人：黄杏丽;秦希;洪志良 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-11-15 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：该频率补偿电路由电阻负载的全差分主级放大器的同相输入输出端间插入可变增益的源极跟随器和一对补偿电容组成。该电路利用可控倍增的负密勒电容，在抵消CMOS晶体管源漏寄生电容Cgd所产生的正密勒电容效应的同时，对主级电路产生很小的负载效应，能够显著提高带宽。而且由于可以通过外部控制电压调节等效负密勒电容的大小，这种频率补偿技术还能消除电路在不同电源电压或者不同工作温度下可能发生的频率响应过冲，从而保证电路的频带恒定和工作稳定性。
一种适用于高速集成放大器频率补偿电路

[发明专利]一种阻抗衰减缓冲器及低压差线性稳压器-CN201610362694.2有效
发明人：潘少辉;胡胜发 -专利权人：安凯(广州）微电子技术有限公司
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：在本发明的实施例中，所述低压差线性稳压器包括误差放大器、阻抗衰减缓冲器和匹配管，所述阻抗衰减缓冲器连接在所述误差放大器和所述匹配管之间，所述误差放大器和所述匹配管之间还接有密勒电容Cc，所述阻抗衰减缓冲器包括补偿电容C0，所述补偿电容C0连接在所述阻抗衰减缓冲器的输入端和地之间，所述补偿电容C0与所述密勒电容Cc共同构成补偿电路以实现频率补偿，这样，在满足LDO性能指标的前提下，可减小密勒电容Cc的值，进而减小芯片的面积
一种阻抗衰减缓冲器低压线性稳压器

[发明专利]一种采用模拟电路补偿电容的低压差线性稳压器-CN201611104762.1有效
发明人：王自强;周宇星;张春;王志华;李福乐 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： G05F1/565 文献下载
摘要：模拟低压差线性稳压器为闭环负反馈结构，可以在调整管的输入和输出之间加入密勒补偿电路保证环路的稳定性，然而在不同负载下，调整管的工作状态会发生改变，使得密勒等效到调整管输入端的电容值发生改变，因而环路主极点的大小跟着发生改变，最终影响环路的稳定性；本发明提供了一种采用模拟电路补偿电容的低压差线性稳压器，在使用密勒补偿的低压差线性稳压器电路中，利用电压检测电路检测调整管栅极的电压，判断调整管的工作状态，根据不同工作状态下调整管栅极的等效电容，通过电容补偿电路调整不同工作状态下调整管栅极节点电容的大小，使其基本不变，减小节点等效电容的变化，进而保证主极点频率的稳定。
一种采用模拟电路补偿电容低压线性稳压器

[发明专利]一种采用数字电路补偿电容的低压差线性稳压器-CN201611105561.3有效
发明人：王自强;周宇星;张春;王志华;李福乐 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： G05F1/565 文献下载
摘要：低压差线性稳压器为闭环负反馈结构，可以采用密勒补偿的方法保证环路的稳定性，然而当负载变化时，等效到调整管栅极的密勒电容随之变化，环路主极点跟着变化，环路的稳定性难以保证；本发明提出一种采用数字电路补偿电容的低压差线性稳压器，其特征在于，在使用密勒补偿的低压差线性稳压器电路中，利用电压检测电路检测误差放大器的输出电压，检测的电压输入数模变换器转换为数字信号，该数字信号输入数字逻辑控制电路，数字逻辑控制电路判断调整管的工作状态，根据预存的信息得出此时需要补偿的电容大小，并输出控制信号，调节电容阵列的通断，保证调整管栅极的总电容保持不变，从而稳定环路的主极点。
一种采用数字电路补偿电容低压线性稳压器

[发明专利]用于LDO的集成式用户可编程的压摆率受控软启动器-CN202211657678.8在审
发明人：朱华 -专利权人：斯莱戈科技公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：密勒补偿电容器耦合在该积分器级的输入节点和用于LDO的输出电压的输出节点之间。在LDO的上电时段期间，电流导引级产生对该密勒补偿电容器充电的输入电流。在该输出电压在上电时段结束时升高到其稳压值时，该密勒补偿电容器的这种受控充电控制该输出电压的压摆率。
用于 ldo 集成用户可编程压摆率受控启动器

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