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[发明专利]磁性随机存取存储器、存储阵列以及电子设备-CN202011541209.0在审
发明人：夏文斌;张宏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种磁性随机存取存储器、存储阵列以及电子设备，包括：驱动信号模块，用于提供读取信号；存储阵列，包括多个存储单元；待读取数据的存储单元为数据单元，用于加载读取信号输出数据电压；用于作为读取参考的存储单元为参考单元，参考单元包括一个或多个平行态参考单元，平行态参考单元的磁自由层用于形成参考输出端；或者，参考单元包括一个或多个反平行态参考单元，反平行态参考单元的磁固定层用于形成参考输出端；参考单元用于加载读取信号通过参考输出端输出参考电压；比较电路，用于根据数据电压和参考电压的相对大小读取数据单元的数据。本发明降低参考单元的阻态在读操作时发生翻转的可能性，保证参考单元的可靠性，提升MRAM的性能。
磁性随机存取存储器存储阵列以及电子设备

[发明专利]根据主观形式记忆单词系统及其方法-CN201210424933.4无效
发明人：王秦秦 -专利权人：无敌科技（西安）有限公司
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： G09B5/06 文献下载
摘要：本发明一种根据主观形式记忆单词系统及其方法，该系统包含：存储单元，存储使用者所选择的词库和字库数据；设定单元，设定输入设备；读取单元，从存储单元中读取使用者所选择的词库的字库数据；处理单元，与存储单元连接，处理输入设备的设定以取得输入设备设定值；管理单元，与处理单元连接，管理存储单元及字库数据；计算单元，计算最近一次的设定单元的设定值；输出单元，根据输入设备设定值输出字库数据。
根据主观形式记忆单词系统及其方法

[发明专利]一种存储器的测试方法、装置及存储器系统-CN202210374029.0在审
发明人：周坤 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种存储器的测试方法、装置及存储器系统，所述方法包括：在噪声环境下对存储单元执行写入操作和读取操作；所述写入操作包括将测试数据写入所述存储单元中；将执行所述读取操作得到的读取结果和所述测试数据进行比较，得到所述存储单元在噪声影响下的信号裕度测试结果；所述噪声环境中的噪声至少包括以下之一：电源电压噪声、写恢复时间噪声、存储单元漏电噪声。本申请通过噪声环境的设置，使存在潜在信号裕度不足缺陷的存储单元在测试过程中被准确地检测出来，提高了信号裕度测试的覆盖率。
一种存储器测试方法装置系统

[发明专利]检测不稳定存储单元的分布的存储系统和方法-CN201010293364.5有效
发明人：金善择;庆允英 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-09-26 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： G06F11/00 文献下载
摘要：操作电路以从至少一页中的多个存储单元中检测不稳定的存储单元。根据存储单元中存储的数据的初始状态来确定：以标准读电压读取数据时是否没有发生读错误，是否发生了读错误并且该读错误是可纠正的，以及是否发生了读错误并且该读错误是不可纠正的。响应于确定发生了可纠正的读错误，通过以具有不同于标准读电压的电压的纠正读电压读取存储单元中存储的数据，以及通过确定以纠正读电压读取的数据中发生的读错误是可纠正的还是不可纠正的，进一步确定存储单元是否是可纠正的
检测不稳定存储单元分布存储系统方法

[发明专利]阻变存储器-CN201480017095.6有效
发明人：高桥政宽;片山明;D·K·金;B·C·吴 -专利权人：株式会社东芝;SK海力士公司
申请日： 2014-03-11 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：根据一个实施例，一种阻变存储器包括存储单元、读出放大器和全局位线。所述存储单元布置在局部位线和字线彼此相交的位置处。所述存储单元连接到所述局部位线和所述字线两者。所述读出放大器通过向所述存储单元提供读取电流，读取存储在所述存储单元上的数据。所述全局位线连接在所述局部位线与所述读出放大器之间。所述全局位线将由所述读出放大器提供的所述读取电流馈送给所述局部位线。
存储器

[发明专利]组对结构非易失性存储阵列的数据读取方法-CN202210131433.5有效
发明人：禹小军;金波 -专利权人：杭州领开半导体技术有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明的组对结构非易失性存储阵列的数据读取方法中，在第一数据读取周期，选中存储单元的第一存储管的字线施加零伏电压而第二存储管的字线施加开启电压，与选中存储单元不同行的非选中存储单元的第一存储管的字线施加补偿正电压而第二存储管的字线施加关断负电压；在第二数据读取周期，选中存储单元的第二存储管的字线施加零伏电压而第一存储管的字线施加开启电压，非选中存储单元的第二存储管的字线施加补偿正电压而第一存储管的字线施加关断负电压。通过两个数据读取周期的配合，关断负电压产生的软擦除作用可以通过补偿正电压产生的软编程作用来补偿，从而在不增加额外电路和读周期时间的情况下，降低读取干扰发生的概率。
结构非易失性存储阵列数据读取方法

[发明专利]参数配置系统及参数配置方法-CN202211479366.2在审
发明人：唐志祺;穆旭明;李林 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种参数配置系统，包括存储单元和读出单元，所述存储单元用于存储配置参数，所述读出单元与所述存储单元连接，用于从所述存储单元读取数据，并将所述配置参数按顺序输出至ISP芯片的各个算法模块，以依次配置所述ISP芯片的各个算法模块，通过所述存储单元统一存储配置参数，并在需要配置所述ISP芯片的各个算法模块时，读出单元从所述存储单元读取数据，并将所述配置参数按顺序输出至ISP芯片的各个算法模块，以依次配置所述
参数配置系统方法

[发明专利]基于铁电电容的存储装置-CN202110619747.5有效
发明人：李学清;何西榆;吴珏键;行志阳;刘勇攀;杨华中 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本公开涉及一种基于铁电电容的存储装置，包括用于向存储单元写入数据或从存储单元读取数据的控制单元和以阵列方式布置的多个存储单元，存储单元包括外部接口、第一开关、晶体管、第一电容及第二电容，第一电容和第二电容中的至少一个是铁电电容；第一开关的第一端口与第一字线相连，第二端口与位线相连，第三端口与第一电容的一端相连；晶体管的栅极与第一电容的另一端及第二电容的一端相连，源极与第一读取端相连，漏极与第二读取端相连，第二电容的另一端与第二字线相连本公开基于铁电电容的滞回特性保持或改变存储单元中铁电电容的极化状态，利用控制单元向存储单元写入或读取数据，能实现对于数据的非破坏性读取以及更高的写操作寿命。
基于电容存储装置

[发明专利]计算机存储系统-CN200710073292.1无效
发明人：黄河 -专利权人：忆正存储技术（深圳）有限公司
申请日： 2007-02-12 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： G06F12/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种计算机存储系统，包括：高速缓存单元、主存单元、外存单元，其特征在于，所述存储系统还包括：次级存储单元；所述次级存储单元用于动态存储外存单元中的常用数据，所述主存单元用于动态存储次级存储单元中的常用数据，所述高速缓存单元用于动态存储主存单元中的常用数据；系统按照高速缓存单元、主存单元、次级存储单元、外存单元优先级由高至低的顺序读取数据。采用本发明可以提高整个存储系统的性能和速度，解决现有技术中主存单元的容量和速度的矛盾问题，此外本发明的次级存储单元如采用非易失性存储介质存放操作系统，则提高操作系统读取的效率，而且本发明的新增的次级存储单元成本低廉
计算机存储系统

[发明专利]存储控制电路及存储控制电路中的地址错误检验方法-CN200510082285.9有效
发明人：藏本昌宏;小薮正夫;对木润;稻垣淳一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2005-07-06 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： G06F11/00 文献下载
摘要：一种用于在存储控制电路中进行地址错误检验的方法，存储控制电路将数据存储在由地址指定的存储区域中，其中，该方法用偶数比特对分配给地址的第一编码进行编码；用奇数比特对分配给写入存储单元数据的第二编码进行编码；基于第一和第二编码产生检验码，并将检验码存储在相应于被写到存储单元的数据的存储单元中；以及基于从存储单元读取的数据、相应于数据读取的检验码及读取地址进行错误检查，从而检测多比特地址错误。
存储控制电路中的地址错误检验方法

[发明专利]一种低漏电的存储阵列-CN202080095744.X在审
发明人：蔡江铮;布明恩;金禹铮;张雨晴 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：一种低漏电的存储阵列(310)，该存储阵列(310)包括读位线(RBL)，连接地(VSS)和读位线(RBL)的读位线开关(M0)，以及多个存储电路，其中每个存储电路包括用于存储数据的存储单元(420)，以及用于读取存储单元(420)中的数据的读取电路(410)。该读取电路(410)的数据输入端与存储单元(420)的数据输出端连接以读取存储电路中的数据，读取电路(410)的数据输出端与读位线(RBL)连接以将读取的数据输出至读位线(RBL)。在读取电路(410)中从电源(VDD)至读位线(RBL)的漏电路径中至少有一个PMOS管，以抑制读取电路(410)中的漏电流，改善存储阵列(310)因漏电导致数据读取错误的情况。
一种漏电存储阵列

[发明专利]ROM存储单元、存储阵列、存储器及读取方法-CN201410235563.9有效
发明人：王林 -专利权人：展讯通信（上海）有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G11C17/12 文献下载
摘要：本发明涉及ROM存储单元、存储阵列、存储器及读取方法。所述ROM存储单元至少可由CG‑FinFET晶体管和/或IG‑FinFET晶体管构成。本发明能够提高ROM存储单元的信息存储密度。
rom 存储单元阵列存储器读取方法

[发明专利]ROM存储单元、存储阵列、存储器及读取方法-CN201410234148.1有效
发明人：王林 -专利权人：展讯通信(上海)有限公司
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： G11C17/12 文献下载
摘要：本发明涉及ROM存储单元、存储阵列、存储器及读取方法。所述ROM存储单元至少可由CG‑FinFET晶体管和/或IG‑FinFET晶体管构成。本发明能够提高ROM存储单元的信息存储密度。
rom 存储单元阵列存储器读取方法

[发明专利]一种克服存储单元工艺浮动的MRAM差分式读取装置-CN202110849629.3在审
发明人：陈巍巍;陈岚;尤云霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种克服存储单元工艺浮动的MRAM差分式读取装置，包括储存装置、灵敏放大器第一级电路以及灵敏放大器第二级电路，储存装置包括存储单元阵列和参考存储单元列；灵敏放大器第一级电路包括两列Rap电阻和一列Rp电阻，两列Rap电阻与高阻参考存储单元列连通，Rp电阻与低阻参考存储单元列连通；灵敏放大器第二级电路，与灵敏放大器第一级电路连通。减小了器件工艺浮动对读取裕量的影响，提高了读取速度。
一种克服存储单元工艺浮动 mram 分式读取装置

[发明专利]数据库交互数据解码方法和装置-CN202010777198.X有效
发明人：鄢贵海;卢文岩 -专利权人：中科驭数（北京）科技有限公司
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G06F16/22 文献下载
摘要：本发明提供一种数据库交互数据解码方法和装置，该方法包括：从初始地址开始从存储单元顺序读取大包头数据，基于读取的大包头数据来解析出大包头信息；从所述存储单元按地址顺序读取中包头数据，基于读取的中包头数据来解析出中包头信息；从所述存储单元按地址顺序读取小包头数据，基于读取的小包头数据来解析出小包头信息；基于解析出的当前中包的中包ID信息，向控制模块请求解码配置信息，并在请求的解码配置信息与所述小包数据长度信息相匹配的情况下，从所述存储单元读取小包中的数据本体并进行解析。
数据库交互数据解码方法装置