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[发明专利]使用不同格雷码的编程和读取操作以及用于执行这种操作的存储器件-CN202180001107.6有效
发明人：张超;李海波;K·胡;吴运祥 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种存储器件。所述存储器件包括：布置成多行的存储单元的阵列；分别耦合到存储单元的多行的多条字线；以及耦合到字线的外围电路。外围电路被配置为：基于读取格雷码和编程格雷码之间的映射关系将第一值转换为第二值，执行编程操作以基于读取格雷码将第二值作为一状态而编程到存储单元中，并且执行读取操作以基于读取格雷码从存储单元中读出将是所述第一值的所述状态
使用同格编程读取操作以及用于执行这种存储器件

[发明专利]为低VCC读取提升位线电压的方法及装置-CN01816763.2有效
发明人： M·A·万布斯科;陈伯苓 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2001-12-12 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本发明揭示一种存储器装置，该存储器装置具有与节点(A)电连通的存储单元(202)，而当应用一第一电压于该存储单元(202)时，可操作以指示于读取操作期间与储存于存储单元(202)的数据相关联的二进制值。该存储器件包括连接于节点和供应电压之间的电压升压器(220)，该供应电压于读取操作期间，为节点提供提升电压，其中该提升电压大于该供应电压。本发明也揭示一种用于读取储存于存储单元(202)中数据的方法(300)，包括施加(306)升压电压于与该存储单元(202)电连接的节点(A)，其中该提升电压大于该供应电压，以及感测(310)与存储单元(202)相关联的电流，以为了指示于读取操作期间，与储存于存储单元(202)的数据关联的二进制值。
vcc 读取提升电压方法装置

[发明专利]一种基于嵌入式的大容量实时存储设备及方法-CN201910161697.3在审
发明人：王明博;王林;仁钦;查坤;张锐;王敏敏;安亚武 -专利权人：湖北三江航天万峰科技发展有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于嵌入式的大容量实时存储设备，包括：收发器单元，用于接收待存储的数据流；处理单元，用于对收发器单元接收到的数据流进行识别和处理；存储单元，用于对经过处理单元处理的数据流进行保存；读取单元，用于读取存储单元中的数据；其中，所述读取单元优选通过处理单元对存储单元的数据进行读取，所述处理单元为逻辑单元阵列构成，所述读取单元为USB2.0接口，以此方式提高存储单元中数据信息的读取效率。本发明技术方案针对目前的大容量存储设备存在诸多不足的情况，采用电源板、控制板和软件等进行组合获得的大量实时存储设备，可以实时存储两路CAN总线数据和一路异步RS485总线数据，并通过USB接口将存储的数据导出至上位机
处理单元实时存储数据流存储单元读取单元收发器单元大容量嵌入式存储大容量存储设备读取读取存储单元逻辑单元阵列读取效率数据信息电源板控制板导出两路位机优选保存

[发明专利]闪速存储器件及其操作方法-CN200610163536.0无效
发明人：李真烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-11-29 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：一种存储单元阵列包括由在串选择晶体管和接地选择晶体管之间串联连接的多个存储单元组成的与非串。在读取操作中，串选择晶体管基于串选择电压，控制与非串与位线之间的电连接。行选择电路通过串选择线、接地选择线、以及多个字线与存储单元阵列相连。在读取操作中，行选择电路基于行地址信号和读取电压，在多个字线中选择与读取存储单元相连的字线。电压产生电路产生串选择电压和读取电压。
存储器件及其操作方法

[发明专利]非易失性存储装置、其写入方法及使用其的系统-CN201911233280.X在审
发明人：严浩锡 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性存储装置、其写入方法及使用其的系统。非易失性存储装置的操作方法包括通过使用第一读取电压来确定存储单元的第一阈值电压。该方法包括基于写入数据和存储单元的第一阈值电压，通过使用具有与第一读取电压不同电压电平的第二读取电压来确定存储单元的第二阈值电压。该方法包括基于存储单元的第一和第二阈值电压来将写入数据写入到存储单元中。
非易失性存储装置写入方法使用系统

[发明专利]一种基于CPCI背板的轮询通信方法-CN201511021886.9有效
发明人：刘群欣;唐军;陆琦;周学勋;蒋国涛;全清华;任懋华;张泰然;樊婷 -专利权人：南车株洲电力机车研究所有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：一种基于CPCI背板的轮询通信方法，该包括：第一通信单元根据轮询周期在第一存储单元中的数据被读取后向第一存储单元中写入数据，传输控制单元在第二通信单元没有进行数据读取时，读取第一存储单元中写入的数据并传输至第二存储单元，第二通信单元根据轮询周期从第二存储单元中读取数据。
一种基于 cpci 背板通信方法

[发明专利]存储装置-CN201510750357.6有效
发明人：李智 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种存储装置，包括：位线、参考电路、参考位线、充电单元、双端灵敏放大器和呈阵列排布的存储单元。本发明在存储装置中设置负载电容大于任一存储单元电容负载的参考电路。在读取操作时，与待读取的存储单元连接的位线以及参考位线均被充电单元充电至第一预设电压。待读取的存储单元在位线充电至第一预设电压后，根据其存储的数据下拉位线的电压；参考电路在满足下拉条件时下拉参考位线上的电压。双端灵敏放大器根据与待读取的存储单元连接的位线上电压和参考位线上电压的相对大小输出数据信号。本发明中的双端灵敏放大器直接比较电压变化的大小实现数据的读取，无需在布局中设置电流源以提供参考电流，得以简化布局设计。
存储装置

[发明专利]读取存储单元的方法和使用该方法的非易失性存储器件-CN201210375708.6在审
发明人：朱相炫;宋基焕;李柱硕;崔奇焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件的软判决读取方法包含：接收软判决读取命令；向被选字线施加读取电压；对分别连接到该被选字线的被选存储单元的位线进行预充电；以及连续地感测该被选存储单元的状态。位线的预充电电压和供应到被选字线的读取电压在感测被选存储单元的状态期间不改变。
读取存储单元方法使用非易失性存储器

[发明专利]电脑装置及其省电方法-CN201310149571.7有效
发明人：殷志杰 -专利权人：宏碁股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： G06F1/32 文献下载
摘要：一种电脑装置及其省电方法，此电脑装置包括存储单元、嵌入式控制器，以及开关单元。存储单元存储固件程序代码。嵌入式控制器耦接存储单元。开关单元的输入端接收第二电源，开关单元的输出端耦接存储单元的电源供应端，且开关单元的控制端耦接嵌入式控制器。当嵌入式控制器接收第一电源时，嵌入式控制器在程序代码读取期间控制开关单元将第二电源从其输入端导引到其输出端，从而使嵌入式控制器从存储单元读取固件程序代码，且在经过程序代码读取期间之后，停止将第二电源输出至存储单元
电脑装置及其方法

[发明专利]存储器的检测方法和存储器的检测装置-CN202110785259.1在审
发明人：刘星;骆晓东 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种存储器的检测方法及其检测装置，检测方法包括：存储器包括第一存储单元、第二存储单元、位线、互补位线以及字线；存储器还包括多个感测放大器，每一感测放大器与一位线以及一互补位线电耦合；向每一第一存储单元和第二存储单元写入存储数据，其中，每条位线连接的第一存储单元与其对应的互补位线连接的第二存储单元内的存储数据相同；读取操作包括：依次选通所有字线进行读取，以通过位线、互补位线以及感测放大器读取每一第一存储单元和第二存储单元内的真实数据；基于真实数据与存储数据的差异，获取测试结果；基于测试结果获取位线或互补位线与字线的漏电位置。
存储器检测方法装置

[发明专利]一种芯片测试方法、装置、计算机以及存储介质-CN202211373408.4在审
发明人：王江涛;陈霖 -专利权人：深圳市金泰克半导体有限公司
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本公开提供了一种芯片测试方法、装置、计算机以及存储介质，其中，该方法包括：确定预设测试数列，并基于所述根据预设测试数列将数据写入待测试芯片的存储单元中；确定所述存储单元中待测试芯片中的目标存储单元，并对将所述目标存储单元进行干扰操作的状态确定为激活状态；其中，所述激活状态用于指示所述目标存储单元中存储的数据为可变更状态；读取所述存储单元中的数据，并基于读取结果确定所述待测试芯片的测试结果。
一种芯片测试方法装置计算机以及存储介质

[发明专利]半导体结构的测试方法及测试装置-CN202210152844.2在审
发明人：李想;顾彦辉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：所述半导体结构的测试方法包括如下步骤：提供存储阵列；选定目标存储单元，并对所述目标存储单元执行测试操作，所述测试操作包括如下步骤：向与所述目标存储单元连接的所述位线施加第一电压；选定与所述目标存储单元相邻的至少一存储单元作为干扰存储单元，并向与所述干扰存储单元连接的所述位线施加第二电压，且所述第二电压与所述第一电压之间的差值的绝对值大于1V；读取所述目标存储单元；判断所述目标存储单元的读取值是否为第一写入值，若否，则确认所述目标存储单元漏电本公开减少了存储单元漏电检测过程中的漏检问题。
半导体结构测试方法装置

[发明专利]一种检测存储单元漏电流的方法及系统-CN201110391548.X有效
发明人：龙爽;陈岚;陈巍巍;杨诗洋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：一种检测存储单元漏电流的方法，应用于至少包括依次相邻的且位于存储列阵同一列的第一、二、第三存储单元，上述存储单元共用同一组字线；包括：同时选通上述存储单元之间的位线以及第一存储单元的源极对应的位线；测试电路测量得到第二电压值；通过仿真获得所述第一、第二存储单元的沟道电阻；通过仿真获得读取位线的电平对应的第一电压值；通过第一电压值与第二电压值的电压差以及第二存储单元的沟道电阻计算得到流经所述第二存储单元的漏电流即第一存储单元被读取时的漏电流本发明提供一种检测存储单元漏电流的方法和系统，可以实现存储单元漏电流的有效检测。
一种检测存储单元漏电方法系统

[发明专利]绑定单元声明文件-CN200980119991.2有效
发明人：高岛芳和;服部忍;萨拉瓦纳·帕拉胡·安巴纳撒 -专利权人：索尼公司;索尼美国公司;索尼电影娱乐公司
申请日： 2009-03-31 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： G06F9/06 文献下载
摘要：一种信息处理设备，包括：存储单元，该存储单元用于存储包括可读取内容的数据文件和包括与该数据文件相对应的控制信息的控制文件；和数据处理单元，该数据处理单元被配置用于使用存储了文件名转换信息的文件名转换表来将被存储在存储单元中的文件的文件名转换成虚拟文件系统(VFS)名称，来构建包括光盘的存储数据和存储单元的存储数据的VFS，以及来执行数据读取处理；其中，该数据处理单元：比较被存储在控制文件中的控制信息和被存储在存储单元中的数据，并且读取和/或更新文件名转换表来使被存储在控制文件中的控制信息和存储单元中所存储的数据一致
绑定单元声明文件

[发明专利]控制装置、控制方法、及图像形成装置-CN201110127708.X有效
发明人：森敦史;城田泉;岩下秀晴;横江毅;远田刚;铃木隆义;小卷克江;丸山聪 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： G06F1/32 文献下载
摘要：本发明涉及控制装置、控制方法、及图像形成装置，控制装置包括装置状态改变单元、通信单元、存储单元、存储单元状态改变单元、和阻止单元。装置状态改变单元在省电状态和正常状态之间改变控制装置的状态。通信单元与被控装置进行通信。存储单元为由所述通信单元进行的读取操作和记录操作中至少一个操作的目标。该存储单元存储通信单元用于与所述被控装置进行通信所需的信息中的至少一部分。存储单元状态改变单元以给定的周期在存储内容保持状态和正常状态之间改变所述存储单元的状态。降低单元在通信单元中降低对存储单元进行读取操作和记录操作的频率。
控制装置方法图像形成