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[实用新型]有金属嵌件塑件的注塑模具-CN202021104949.3有效
发明人：肖鹤礼;徐自明;李昆益;王娟 -专利权人：常州工业职业技术学院
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： B29C45/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种有金属嵌件塑件的注塑模具，型芯Ⅲ同轴套设在型芯Ⅱ外，型芯Ⅱ穿出型芯Ⅲ设置，型芯Ⅲ与下型腔同轴设置，型芯Ⅰ穿设分流道后与型芯Ⅱ同轴接触；模具闭合时，左型腔和右型腔闭合后将型芯Ⅰ、型芯Ⅱ和型芯Ⅲ包围，形成上型腔，上型腔与下型腔连通，型芯Ⅰ成型斗颈光滑段、型芯Ⅱ成型斗颈的锯齿段，型芯Ⅲ上段成型塑件斗身、中段用于精确定位刀片内孔、下段用于将刀片的高度确定在中段；左型腔和右型腔拼合后形成塑件的外表面；下型腔用于成型塑件斗尾。本完成了塑件内表面斗颈、斗身、斗尾等特征结构成型，同时实现了开模后顺利取出塑件，合模前刀片镶件能方便地穿入型芯Ⅲ，并且精准地放在正确位置。
金属嵌件塑件注塑模具

[实用新型]一种装外O型圈机构-CN202021285625.4有效
发明人：杨晓泰;李景飞;孙国群 -专利权人：苏州匠为化机电有限公司
申请日： 2020-07-04 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： B25B27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种装外O型圈机构，包括：外O型圈气缸缸体、外O型圈气缸活塞A、外O型圈气缸活塞B、外O型圈气缸上座、外O型圈气缸滑动块、O型圈气缸顶料支架、O型圈夹爪、O型圈和外O环气缸限位件；在O型圈气缸缸体的上端设置外O环气缸限位件；在外O环气缸限位件的上端设置外O型圈气缸上座；所述外O型圈气缸上座的上端内侧镶嵌有外O型圈气缸滑动块；所述外O型圈气缸滑动块侧面设置有O型圈气缸顶料支架；所述外O型圈气缸上座的上端中心设置O型圈；在O型圈的中部设置O型圈夹爪；在O型圈夹爪底端中心设置外O型圈气缸活塞B；在外O型圈气缸活塞B的外侧套设有外O型圈气缸活塞A。
一种机构

[发明专利]2’-脱氧鸟苷的多晶型及其制备方法-CN202210106926.3在审
发明人：申淑匣;廖春鑫;张良 -专利权人：上海新核源生物技术有限公司;上海启晟合研医药科技有限公司;上海创诺医药集团有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C07H19/173 文献下载
摘要：本发明提供了2'‑脱氧鸟苷多晶型及其制备方法。具体地，本发明提供了如式1所示的化合物的晶型，所述晶型为晶型XM‑B、晶型XM‑C、晶型XM‑D、晶型XM‑F、晶型XM‑G、晶型XM‑H、晶型XM‑I、晶型XM‑J、晶型XM‑K、晶型XM‑L、晶型XM‑M、晶型XM‑N、晶型XM‑O和晶型XM‑P。本发明的2'‑脱氧鸟苷多晶型，是无水物或低水含量，晶型稳定性好，无水或低水含量有利于后续的反应操作。
脱氧多晶及其制备方法

[发明专利]腺病毒的免疫测定方法及免疫测定器具-CN202180028574.8在审
发明人：宫泽恭;桑原三和 -专利权人：电化株式会社
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： C12N15/13 文献下载
摘要：本发明提供单克隆抗体或其抗原结合片段、使用该单克隆抗体或其抗原结合片段的免疫测定方法和免疫测定器具，所述单克隆抗体或其抗原结合片段与腺病毒的1型、2型、3型、4型、5型、6型、7型、8型、11型、19型、31型、37型、53型、54型、56型、64型、79型、81型和85型的各亚型病毒发生抗原抗体反应。
病毒免疫测定方法器具

[发明专利]一种高迁移率碳化硅N型LDMOS器件-CN202211474364.4在审
发明人：刘斯扬;顾勇;马杰;李雪琪;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种能降低导通电阻的高迁移率碳化硅N型LDMOS器件，包括N型衬底，N型衬底上设有P型外延，在N型衬底上设有N型阱区、第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区及连接于源极的第二P型重掺杂区，在N型阱区内设有连接于漏极的第二N型重掺杂区，第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区及第二P型重掺杂区相连接，在第二N型重掺杂区、N型阱区、第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区、第二P型重掺杂区及P型外延的表面设有氧化层，在P型外延上设有作为所述器件栅极的多晶硅沟槽栅极且多晶硅沟槽栅极向P型外延内延伸，在P型外延内设有N型埋层，N型埋层的一端接于所述器件的沟道，另一端连接于N型阱区。
一种迁移率碳化硅 ldmos 器件

[发明专利]P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管-CN200910263299.9有效
发明人：孙伟锋;孙大鹰;徐申;钱钦松;陈越政;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有超结结构及N型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的P型区和N型区构成，在N型体区上方设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有P型漏区，在超结结构上方，且位于P型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在P型源区、N型体接触区、P型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，P型源区、P型漏区、N型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在N型衬底内设有P型缓冲区，P型缓冲区位于超结结构中N型区的下方，且与超结结构中N型区底部相接。
型超结横向扩散半导体金属氧化物晶体管

[发明专利]N型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管-CN200910263298.4有效
发明人：孙伟锋;杨淼;夏晓娟;钱钦松;陈越政;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种N型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有超结结构及P型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的N型区和P型区构成，在P型体区上方设有N型源区、P型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有N型漏区，在超结结构上方，且位于N型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在N型源区、P型体接触区、N型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，N型源区、N型漏区、P型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在P型衬底内设有N型缓冲区，N型缓冲区位于超结结构中P型区的下方，且与超结结构中P型区底部相接。
型超结横向扩散半导体金属氧化物晶体管

[发明专利]GaAs激光电池的电极结构-CN201210026487.1有效
发明人：宋婷 -专利权人：西安航谷微波光电科技有限公司
申请日： 2012-02-07 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaAs激光电池电极结构，包括n型电极和p型电极，p型电极为双p型电极，双p型电极由两个p型主电极通过其间纵向设置的p型栅电极连接构成；所述n型电极包括三条电极，三条n型电极与p型主电极中第1p型主电极平行设置，三条n型电极与p型栅电极垂直设置；所述三条n型电极中第1n型电极置于第1p型主电极的外侧，三条n型电极中第2n型电极和第3n型电极分别置于双p型主电极中的第1p型主电极和第2p型主电极内侧间距的本发明在双p型主电极的内侧1/4处处各设置一条n型电极；因而，光生载流子由p型主电极向n型电极的传输距离减小，外延层薄层电阻也相应减小。
gaas 激光电池电极结构

[发明专利]一种可控间隙的型芯型壳一体化铸型及其制备方法和应用-CN202110714966.1有效
发明人：鲁中良;王权威;苗恺;刘亮杰;陈义;徐文梁;李涤尘 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C04B35/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种可控间隙的型芯型壳一体化铸型及其制备方法和应用，所述制备方法包括以下步骤：步骤1，构建型芯型壳一体化三维模型；步骤2，基于型芯型壳一体化三维模型进行3D打印，获得型芯型壳一体化铸型的模型；步骤3，通过型芯浇口向型芯型壳一体化铸型的模型中浇注型芯陶瓷浆料，通过型壳浇口向型芯型壳一体化铸型的模型中浇注型壳陶瓷浆料，获得型芯型壳一体化铸型的坯体；步骤4，对型芯型壳一体化铸型的坯体进行冷冻干燥，脱脂，高温烧结，得到具有预设间隙的型芯型壳一体化铸型。本发明提出的型芯型壳一体化铸型的制备方法，工艺简单，气膜孔头易于加工，型芯型壳接触紧密，气膜孔不会断裂。
一种可控间隙型芯型壳一体化铸型及其制备方法应用

[实用新型]发动机用缸垫级进模具快换机构-CN201120190523.9有效
发明人：张文强 -专利权人：大连泰和冲压有限公司
申请日： 2011-06-08 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： B21D37/10 文献下载
摘要：发动机用缸垫级进模具快换机构，涉及第三型压筋成型模具，模具上安装有上型压筋模块、下型压筋模块，上型压筋模块由第三型固定板、第三型上垫板与第三型卸料板组成，第三型固定板两侧有U型槽，第三型上模座两侧有T型槽，通过螺栓、垫片以及T型块与U型槽装配，使第三型固定板与第三型上模座连接为以整体；下型压筋模块由第三型凹模板、第三型下垫板与第三型下模座组成；第三型下模座和第三型下模座垫板两侧有U型槽，下装模板两侧有T型块避让槽，通过螺栓、垫片以及T型块与U型槽装配，使第三型下模座与模具连接。
发动机用缸垫级进模具机构

[实用新型]一种铝合金门框的底梁连接结构-CN202220765251.9有效
发明人：李栋梁;王雪颖;胡衍丹 -专利权人：济宁市天工木业有限公司
申请日： 2022-04-04 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： E06B1/52 文献下载
摘要：一种铝合金门框的底梁连接结构，包括用于门框底边的底边型铝型材和用于门框竖边的竖边型铝型材，所述底边型铝型材包括底边型第一板材贴合面、底边型第二板材贴合面和底边型铝型材端部的底边型连接部，所述竖边型铝型材包括竖边型第一板材贴合面、竖边型第二板材贴合面和竖边型铝型材端部的竖边型连接部，所述底边型铝型材与竖边型铝型材垂直设置，所述底边型连接部与竖边型连接部贴合连接后，底边型第一板材贴合面与竖边型第一板材贴合面平齐，底边型第二板材贴合面与竖边型第二板材贴合面平齐，采用底边型铝型材的底边型连接部和竖边型铝型材的竖边型连接部进行对接，能够增加底边型铝型材和竖边型铝型材的接触面积，增加铝合金门框的牢固性。
一种铝合金门框连接结构

[实用新型]N型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管-CN200920283463.8无效
发明人：孙伟锋;杨淼;夏晓娟;钱钦松;陈越政;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种N型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有超结结构及P型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的N型区和P型区构成，在P型体区上方设有N型源区、P型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有N型漏区，在超结结构上方，且位于N型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在N型源区、P型体接触区、N型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，N型源区、N型漏区、P型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在P型衬底内设有N型缓冲区，N型缓冲区位于超结结构中P型区的下方，且与超结结构中P型区底部相接。
型超结横向扩散半导体金属氧化物晶体管

[实用新型]P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管-CN200920283462.3无效
发明人：孙伟锋;孙大鹰;徐申;钱钦松;陈越政;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管，包括：N型衬底，在N型衬底上设有超结结构及N型体区，超结结构由连接源漏区方向相间分布的P型区和N型区构成，在N型体区上方设有P型源区、N型体接触区及栅氧化层，在超结结构的上方设有P型漏区，在超结结构上方，且位于P型漏区以外的区域设有第一型场氧化层，在栅氧化层上方设有多晶硅栅，在P型源区、N型体接触区、P型漏区、多晶硅栅和第一型场氧化层上方设有第二型场氧化层，P型源区、P型漏区、N型体接触区及多晶硅栅均接有穿通第二型场氧化层的金属引线，其特征在于在N型衬底内设有P型缓冲区，P型缓冲区位于超结结构中N型区的下方，且与超结结构中N型区底部相接。
型超结横向扩散半导体金属氧化物晶体管

[发明专利]矢量回转传动装置-CN201510096152.0在审
发明人：刘硕珣 -专利权人：刘硕珣
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： F16H57/038 文献下载
摘要：共分为单框架型、双框架型、锥齿型、单旋转油缸型、单齿轮型、双旋转油缸型、双齿轮型、锥齿旋转油缸型、锥齿齿轮型。单框架型、双框架型、单旋转油缸型、单齿轮型、双旋转油缸型、双齿轮型由蜗杆、蜗轮、V形刚性框架、轴和轴承组成。锥齿型、锥齿旋转油缸型、锥齿齿轮型由锥齿轮、轴承、连接杆、动力输入轴和动力输出轴组成。
矢量回转传动装置

[发明专利]基于FinFET晶体管的电流模RM或非-异或单元电路-CN201710259212.5有效
发明人：胡建平;熊阳;杨廷锋;汪佳峰 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于FinFET晶体管的电流模RM或非‑异或单元电路，第一P型FinFET管、第二P型FinFET管、第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第三N型FinFET管、第四N型FinFET管、第五N型FinFET管、第六N型FinFET管和第七N型FinFET管，第一P型FinFET管和第二P型FinFET管分别为低阈值P型FinFET管，第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第三N型FinFET管、第四N型FinFET管、第五N型FinFET管和第七N型FinFET管为低阈值N型FinFET管，第六N型FinFET管为高阈值N型FinFET管；优点是在具有正确的逻辑功能的基础上
基于 finfet 晶体管电流 rm 单元电路