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[发明专利]一种硅晶体原生缺陷的检测方法-CN202111247647.0在审
发明人：薛忠营;刘赟;魏星 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅晶体原生缺陷的检测方法，包括：提供硅晶体，所述硅晶体具有原生缺陷；在所述硅晶体上生长外延层，所述外延层包括基于所述原生缺陷形成的一级外延缺陷；对所述外延层的表面进行刻蚀，以将所述一级外延缺陷放大形成二级外延缺陷；通过显微镜表征所述二级外延缺陷。根据本发明提供的硅晶体原生缺陷的检测方法，利用外延生长将在硅晶体表面无法被探测的原生缺陷延伸至外延层表面，并对外延层的表面进行刻蚀以放大外延缺陷，从而实现对原生缺陷的定位、确定原生缺陷的类型和缺陷范围。
一种晶体原生缺陷检测方法

[发明专利]一种硅晶体原生缺陷的检测方法-CN202111249604.6在审
发明人：薛忠营;刘赟;魏星 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅晶体原生缺陷的检测方法，包括：提供硅晶体，所述硅晶体具有原生缺陷；在所述硅晶体上生长外延层，所述外延层包括基于所述原生缺陷形成的外延缺陷；对所述外延层的表面进行光散射扫描，获取窄通道缺陷结果以及宽通道缺陷结果；基于所述窄通道缺陷结果以及宽通道缺陷结果确定外延缺陷类型；基于所述外延缺陷类型确定所述原生缺陷的类型。根据本发明提供的硅晶体原生缺陷的检测方法，利用外延生长将在硅晶体表面无法被探测的原生缺陷延伸至外延层表面，并对外延层的表面进行进行光散射扫描，基于获取的窄通道缺陷结果以及宽通道缺陷结果确定所述外延缺陷的类型，进而确定所述原生缺陷的类型。
一种晶体原生缺陷检测方法

[发明专利]缺陷诊断方法及相关装置-CN202310900092.8在审
发明人：蔡德敏;李朝军 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请提供缺陷诊断方法、电子设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品，应用于多个衬底，所述方法包括：针对每个所述衬底，执行以下处理：对所述衬底进行缺陷检测，获取所述衬底的衬底缺陷检测结果；对所述衬底进行气相外延，生成所述衬底对应的外延片；对所述外延片进行缺陷检测，获取所述外延片的外延缺陷检测结果；根据所述衬底缺陷检测结果和所述外延缺陷检测结果，获取所述衬底的缺陷影响类别，所述衬底的缺陷影响类别用于表征所述衬底的缺陷对外延片的影响程度本申请通过分别对衬底和外延片进行缺陷检测，确定衬底缺陷对外延片的缺陷影响类别。
缺陷诊断方法相关装置

[发明专利]外延缺陷分析结构及制造方法和外延缺陷的分析方法-CN201210496525.X有效
发明人：杨彦涛;赵仲镛;蒋敏;蒋墨染;谢波 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;成都士兰半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种外延缺陷分析结构，包括：半导体衬底，半导体衬底的一部分表面形成有外延生长区域，暴露出阻挡层保护区域保护的半导体衬底的另一部分表面；外延层，形成于外延生长区域上。本发明还提供一种外延缺陷分析结构的制造方法。本发明又提供一种外延缺陷的分析方法，对外延缺陷分析结构中的阻挡层保护区域所保护的半导体衬底和外延生长区域中形成的外延层进行缺陷相关性分析对比，判断形成外延层中的外延缺陷来自于外延工艺、外延前半导体制造工艺、还是半导体衬底，避免进行缺陷相关性分析对比时，形成有外延的半导体衬底与未做外延的半导体衬底不是同一半导体衬底，导致在材料选取和外延加工过程中所选取样品存在不完全一致的问题。
外延缺陷分析结构制造方法

[发明专利]发光二极管外延片缺陷检测的方法和装置-CN201910064372.3在审
发明人：郭炳磊;王群;徐希;许展境;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片缺陷检测的方法和装置，属于半导体技术领域。所述方法包括：获取待检测外延片的图像；将所述待检测外延片的图像与无缺陷外延片的图像进行比较，从所述待检测外延片的图像中截取缺陷部分的图像；将所述缺陷部分的图像输入卷积神经网络，得到所述缺陷部分的缺陷类型，所述卷积神经网络的参数通过采用多个标定有缺陷类型的缺陷图像进行训练得到。本发明通过在获取待检测外延片的图像之后，先将其与无缺陷外延片的图像进行比较，从中截取出缺陷部分的图像，再利用多个标定有缺陷类型的缺陷图像训练出的卷积神经网络，可以大大提高检测效率，而且检测结果的准确度可以保证
外延片图像卷积神经网络缺陷类型检测发光二极管外延方法和装置缺陷检测缺陷图像标定截取半导体技术领域检测结果图像输入准确度再利用保证

[实用新型]外延缺陷分析结构-CN201220641783.8有效
发明人：杨彦涛;赵仲镛;蒋敏;蒋墨染;谢波 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;成都士兰半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种外延缺陷分析结构，包括：半导体衬底，半导体衬底的一部分表面形成有外延生长区域，暴露出阻挡层保护区域保护的半导体衬底的另一部分表面；外延层，形成于外延生长区域上。本实用新型对外延缺陷分析结构中的阻挡层保护区域所保护的半导体衬底和外延生长区域中形成的外延层进行缺陷相关性分析对比，判断形成外延层中的外延缺陷来自于外延工艺、外延前半导体制造工艺、还是半导体衬底，避免进行缺陷相关性分析对比时，形成有外延的半导体衬底与未做外延的半导体衬底不是同一半导体衬底，导致在材料选取和外延加工过程中所选取样品存在不完全一致的问题。
外延缺陷分析结构

[发明专利]低表面缺陷密度的外延基板及其制造方法-CN200910134988.X有效
发明人：武东星;洪瑞华;谌思廷;蔡宗晏;吴学维 -专利权人：武东星
申请日： 2009-04-20 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种低表面缺陷密度的外延基板及其制造方法，该制造方法先自一层晶格不匹配的基材侧向外延，形成一层具有多个缺陷处且表面缺陷降低的第一外延层，再自该第一外延层的平面进行缺陷选择性蚀刻，将所述缺陷处蚀刻出多个第一凹洞，使该第一外延层具有一界定所述第一凹洞的外延层平面，所述第一凹洞的径宽彼此相近，然后形成一填满所述第一凹洞的阻挡层，以阻隔差排向上延伸，再利用化学机械研磨法均匀地移除多余阻挡层，至该外延层平面裸露并使得其更加平坦，而使该外延层平面与剩下的该阻挡层表面共同定义出一面完整且平坦的外延基面。本发明所述低表面缺陷密度的外延基板及其制造方法，能够有效地降低缺陷密度，且能提高后续外延品质。
表面缺陷密度外延及其制造方法

[发明专利]检测嵌入式锗硅外延缺失缺陷的方法-CN201510456590.3在审
发明人：张红伟;周海峰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2015-07-29 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测嵌入式锗硅外延缺失缺陷的方法，包括：步骤1，采用多晶硅氧化后锗硅外延法或者第二氮化硅间隔区后锗硅外延法在半导体硅衬底上生长锗硅外延层；步骤2，使用缺陷腐蚀剂腐蚀所述锗硅外延层，缺失缺陷部位的半导体硅衬底上会形成孔洞；步骤3，扫描所述锗硅外延层，评估锗硅外延层的生长质量并确定缺失缺陷部位的存在；步骤4，制备含有缺失缺陷部位的样品并通过透射电镜精确检测样品中缺失缺陷部位的位置。本发明可以在嵌入式锗硅外延开发和生产过程中及时发现工艺产生的缺陷，并进行具体有效的观察，有效解决现有技术中因半导体器件中存在缺失缺陷部位而导致器件良率下降的问题。
检测嵌入式外延缺失缺陷方法

[发明专利]外延层的生长设备和外延层生长过程中的缺陷检测方法-CN201711463957.X在审
发明人：向光胜;叶青贤;喻海波;蔡云聪 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： C23C14/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延层的生长设备和外延层生长过程中的缺陷检测方法，属于半导体技术领域。该生长设备包括反应腔室和检测装置，检测装置包括光源模块，用于提供照射到生长中的外延层上的紫外光；图像获取模块，用于在至少一个生长阶段结束时获取紫外光照射在外延层上所产生的待测图像；处理模块，用于根据待测图像的灰度判断生长至生长阶段结束时的外延层是否存在缺陷，通过获取当前生长阶段紫外线照射在外延层上所产生的待测图像，再根据待测图像的灰度判断外延层是否存在缺陷，可以在外延层生长出现缺陷时及时反馈外延层生长过程中形成的缺陷，便于操作人员及时对外延层的生长做出调整，有利于减少外延层的内部缺陷，提高外延片的良率。
外延层待测图像生长过程生长阶段生长设备生长灰度判断检测装置缺陷检测半导体技术领域图像获取模块紫外光照射紫外线照射处理模块反应腔室光源模块内部缺陷紫外光外延片良率照射反馈

[发明专利]发光二极管芯片缺陷检测的方法和装置-CN201910065080.1有效
发明人：李鹏;郭炳磊;王群;王赫;许展境;徐希 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片缺陷检测的方法和装置，属于半导体技术领域。所述方法包括：获取待检测芯片的图像；将待检测芯片的图像划分为外延部分的图像和电极部分的图像；从外延部分的图像中截取外延缺陷部分的图像，并将外延缺陷部分的图像输入第一卷积神经网络，得到外延缺陷部分的缺陷类型，第一卷积神经网络的参数通过采用多个标定有缺陷类型的外延缺陷图像进行训练得到；从电极部分的图像中截取电极缺陷部分的图像，并将电极缺陷部分的图像输入第二卷积神经网络，得到电极缺陷部分的缺陷类型，第二卷积神经网络的参数通过采用多个标定有缺陷类型的电极缺陷图像进行训练得到
发光二极管芯片缺陷检测方法装置

[发明专利]减少外延衬底缺陷的形成方法-CN201610205601.5有效
发明人：肖德元 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提出了一种减少外延衬底缺陷的形成方法，先对原始外延衬底进行沉浸式缺陷去除处理，去除原始外延衬底较多的刮伤和缺陷，接着，进行抛光处理，接着，通过检测收集原始外延衬底表面形貌数据，并对形貌数据进行分析，获得原始外延衬底不同区域的待刻蚀量，并通过待刻蚀量确定不同区域所需的工艺参数，有针对性的刻蚀去除原始外延衬底不同区域的待刻蚀量，从而去除原始外延衬底表面的缺陷及刮伤，形成表面平滑的外延衬底，进而使后续形成的外延层性能得到提高
减少外延衬底缺陷形成方法

[发明专利]一种超薄硅片的制备方法、超薄硅片以及太阳能电池-CN202011603101.X在审
发明人：吴兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：其中，在硅衬底上可以形成缺陷层与外延层，且缺陷层在硅衬底与外延层之间，通过在硅衬底进行加热的方法，使得硅衬底和外延层的界面处形成热膨胀应力，热膨胀应力具有较好的应力均匀性，便于外延层的剥离，由于对硅衬底施加热膨胀应力降低了对外延层剥离的难度，因此，也降低了对缺陷层中缺陷密度的要求，缺陷层中较低的缺陷密度可有效提高缺陷层上外延层的质量；同时，对硅衬底施加的热膨胀应力也降低了对外延层进行剥离时施加应力的要求，避免了高应力对外延层的破坏，提高了超薄硅片制备的良率和效率
一种超薄硅片制备方法以及太阳能电池

[发明专利]碳化硅外延晶片、碳化硅外延晶片的制造方法、电力变换装置-CN202010242854.6在审
发明人：酒井雅;三谷阳一郎;中村卓誉 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的目的在于针对碳化硅外延晶片，降低从器件工作层的中途产生的胡萝卜缺陷和三角缺陷。碳化硅外延晶片(20)具有碳化硅基板(1)、在碳化硅基板(1)之上形成的碳化硅外延层(12、13)。碳化硅外延层(12、13)具有三角缺陷(30)。碳化硅外延层(12、13)在三角缺陷(30)的表面形态上的三角缺陷(30)的内侧具有台阶(31)。
碳化硅外延晶片制造方法电力变换装置

[发明专利]外延晶圆的缺陷检测方法、装置、系统及其制造方法-CN202310405559.1有效
发明人：梁鹏欢 -专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司;西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种外延晶圆的缺陷检测方法、装置及外延晶圆的制造方法；该缺陷检测方法包括：扫描待测外延晶圆的表面，获得所述待测外延晶圆的扫描图像；检测所述扫描图像中存在的缺陷；提取所述扫描图像中各缺陷对应的图像特征；基于所述图像特征识别对应缺陷所属的缺陷类型；针对识别所得的缺陷类型多于一个的待确认缺陷，采集待确认缺陷处的元素成分，并根据元素成分为所述待确认缺陷确定唯一所属的缺陷类型。
外延缺陷检测方法装置系统及其制造

[发明专利]检测外延硅缺陷的方法-CN201110322043.8无效
发明人：孙勤;高杏;钱志刚 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： G01N27/61 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测外延硅缺陷的方法，在硅片外延层上生长热氧化层，硅片外延层与硅片衬底同型；对硅片表面注入电荷，通过表面电压测量，得到硅片各位置的热氧化层与外延层界面的热氧化浅层缺陷寿命；在热氧化层表面产生感应电荷，同理也可得到硅片各位置的感应电荷复合寿命；如果该硅片各位置的热氧化浅层缺陷寿命大于设定值，则以该硅片上各位置的感应电荷复合寿命的长短表示各位置的硅片外延层的缺陷程度。本发明的检测外延硅缺陷的方法，可以定性、定量判定硅片外延层缺陷产生的程度和位置，更准确、更全面。
检测外延缺陷方法

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