专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]基板处理装置及基板处理方法-CN202210219838.4在审
  • 青木陆太;水上大乘;相原友明 - 株式会社斯库林集团
  • 2022-03-08 - 2022-09-27 - H01L21/67
  • 本发明提供基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置(1)具备处理液罐(30)、第一循环配管(31)、过滤器(39)、泵(37)和控制部(3A)。第一循环配管(31)的上游端(31a)与处理液罐(30)连接,并且下游端(31b)与处理液罐(30)连接,使处理液循环。过滤器(39)配置于第一循环配管(31),捕捉处理液所含的颗粒。泵(37)具有旋转体(371),通过使旋转体(371)旋转来送出处理液。在驱动停止状态的泵(37)的情况下,控制部(3A)控制泵(37),以使旋转体(371)以400rpm/秒以下的旋转加速度旋转。
  • 处理装置方法
  • [发明专利]基板处理装置以及基板处理方法-CN202210273419.9在审
  • 相原友明;山口贵大;泽岛隼 - 株式会社斯库林集团
  • 2022-03-18 - 2022-09-27 - H01L21/67
  • 本发明提供基板处理装置以及基板处理方法。基板处理装置(100)具有:处理单元、贮存部(31)、处理液配管(32)、泵(34)、过滤器(35)、第一流量部(36)、第一返送管(51)、第一调整阀(52)、第二返送管(41)、分支供给管(16)、第一流量部(36)配置在处理液配管(32),测定在处理液配管(32)中流动的处理液的流量或压力。第一调整阀(52)配置在第一返送管(51),调整在第一返送管(51)中流动的处理液的流量。控制部根据由第一流量部(36)测定出的处理液的流量或压力来控制第一调整阀(52)的开度。
  • 处理装置以及方法
  • [发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN202080095099.1在审
  • 东克荣;泽崎尚树;菅原雄二;温井宏树 - 株式会社斯库林集团
  • 2020-12-11 - 2022-09-06 - H01L21/304
  • 本发明为同时实现基板上表面上的环境气体控制与降低对基板上表面施行的处理的不均,使基板由保持部保持为水平姿势,从位于与该基板上表面呈相对向的状态的环境气体控制构件朝基板上表面上供给非活性气体,并一边使保持部以沿铅垂方向的虚拟旋转轴为中心进行旋转,一边从液体吐出部的吐出口朝沿基板上表面的方向吐出处理液,从而将处理液供给至基板上表面上。此时,变更从处理液供给源朝液体吐出部供给的处理液每单位时间的供给量,而使从液体吐出部所吐出的处理液的吐出速度变化,从而使基板上表面中被供给有从液体吐出部吐出的处理液的液体供给位置变化。
  • 处理方法装置
  • [发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202111500173.6在审
  • 藤田阳;后藤京成;麻生裕树;齐木大辅 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-12-09 - 2022-06-21 - H01L21/67
  • 本公开说明一种基板处理方法和基板处理装置,在对形成于基板的表面的金属多晶膜进行蚀刻处理时,能够有效地去除蚀刻残渣。基板处理方法包括以下工序:第一工序,一边使表面形成有金属多晶膜的基板旋转一边向基板的周缘部供给蚀刻液;第二工序,一边使基板旋转,一边向比第一工序中的蚀刻液的供给位置靠基板的中心部侧的位置供给冲洗液;第三工序,一边使基板旋转,一边向基板的周缘部供给蚀刻液;第四工序,一边使基板旋转,一边向比第三工序中的蚀刻液的供给位置靠基板的中心部侧的位置供给冲洗液;以及第五工序,在第四工序之后,使基板干燥。
  • 处理方法装置
  • [发明专利]基板处理设备和基板处理方法-CN202111529802.8在审
  • 林成珉 - 细美事有限公司
  • 2021-12-14 - 2022-06-17 - H01L21/67
  • 公开了一种用于执行对多个基板处理基板处理设备。所述设备可以包括:装载端口,所述装载端口配置为装载用于接收所述多个基板的输送容器;多个处理腔室,所述多个处理腔室配置为执行对所述基板的所述处理;传送腔室,所述传送腔室配置为在所述装载端口与所述处理腔室之间输送所述基板;以及控制单元,所述控制单元配置为通过应用流程方案来控制所述传送腔室输送所述基板,其中当在应用所述流程方案时所述流程方案中包括的所述多个处理腔室之中存在出现异常的处理腔室时,所述控制单元可以控制相应处理腔室的模式发生改变
  • 处理设备方法
  • [发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202111534067.X在审
  • 中泽贵士;宫本勲武;佐竹圭吾;中沟贤治 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-12-15 - 2022-06-24 - H01L21/67
  • 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置,是供抑制蚀刻量的变动的技术。基板处理装置具备混合部、喷嘴、第一成分供给部、第二成分供给部以及控制部。所述喷嘴向基板喷出所述蚀刻液。所述第一成分供给部包括第一流路、第一瞬时流量计以及第一流量控制器。所述第二成分供给部包括第二流路、第二瞬时流量计以及第二流量控制器。在向所述基板喷出所述蚀刻液的期间,所述控制部使用所述第一成分的平均流量和所述第二成分的平均流量来控制所述第一流量控制器和所述第二流量控制器。
  • 处理方法装置
  • [发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202111541778.X在审
  • 梅崎翔太;清原康雄;网屋通隆;稻富弘朗;中岛幹雄 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-12-16 - 2022-06-24 - H01L21/67
  • 本发明提供基板处理装置和基板处理方法,其中,能够从一个处理流体供给源向进行使用了超临界状态的处理流体的处理基板处理部供给处理流体。基板处理装置包括:第1供给管线;多个第2供给管线;泵;多个基板处理部,其分别与多个第2供给管线连接;分支点,其在第1供给管线上设于比泵靠下游侧的位置;连接点,其在第1供给管线上设于比泵靠上游侧的位置;分支管线,其将分支点和连接点连起来;压力调整部,其在分支管线上设于分支点和连接点之间;以及控制部,其控制压力调整部,控制部根据被供给处理流体的基板处理部的数量来控制压力调整部,从而使向分支管线流动的处理流体的量变化而控制分支点处的处理流体的压力
  • 处理装置方法
  • [发明专利]基板处理设备及基板处理方法-CN202210300801.4在审
  • 吴斗荣;李俊宰 - 细美事有限公司
  • 2018-07-20 - 2022-06-28 - H01L21/027
  • 公开了一种基板处理设备和基板处理方法。根据本发明构思的实施例,在将喷嘴臂从第一基板支承构件移动到第二基板支承构件的情况下执行吹扫喷嘴的吹扫操作,几乎不影响在将喷嘴臂从第一基板支承构件移动到第二基板支承构件的情况下处理基板的操作。根据本发明构思的实施例,处理液供应单元执行向基板供应感光液的过程的情况下基板处理设备可执行吹扫感光液喷嘴的操作。因此,因为当基板处理设备执行过程的同时执行吹扫感光液喷嘴的操作,可提高生产率。
  • 处理设备方法
  • [发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202111633984.3在审
  • 桑特·阿雷克赖恩;具滋明 - 细美事有限公司
  • 2021-12-29 - 2022-07-01 - H01J37/32
  • 本发明构思提供了一种基板处理装置和基板处理方法。该基板处理装置包括工艺腔室,在该工艺腔室中具有处理空间;支承单元,其用于在所述工艺腔室中支承基板;气体供应单元,其用于将工艺气体供应到所述工艺腔室内部;以及等离子体产生单元,其用于从所述工艺气体产生等离子体,其中,所述等离子体产生单元包括:顶部电极,其设置在所述基板上方;底部电极,其设置在所述基板下方;边缘电极,其设置在围绕所述基板的边缘处;三个高频电源,其将高频功率施用至所述底部电极;以及边缘阻抗控制电路
  • 处理装置方法
  • [发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202111543383.3在审
  • 五师源太郎 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-12-16 - 2022-07-01 - H01L21/67
  • 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括以下工序:升压工序,在形成有液膜的基板基板保持部保持并被收容于处理容器内的状态下,通过向处理容器内供给处理流体来使处理容器内的压力上升至预先决定的处理压力;以及流通工序,在升压工序之后,一边将处理容器内的压力维持为处理压力,一边从第二喷出部向处理容器内供给处理流体并且从排出部排出处理容器内的处理流体。升压工序包括以下阶段:第一升压阶段,通过从第一喷出部向处理容器内供给处理流体,来使处理容器内的压力上升至预先决定的切换压力;以及第二升压阶段,通过从第二喷出部向处理容器内供给处理流体,来使处理容器内的压力从切换压力上升至处理压力
  • 处理方法装置
  • [发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202111295785.6在审
  • 饱本正巳;北野淳一;田中幸二;大塚贵久;南田纯也 - 东京毅力科创株式会社
  • 2021-11-03 - 2022-05-27 - H01L21/67
  • 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。一边控制基板周围的气氛一边进行批量式的液处理基板处理装置包括:处理容器,其具有储存处理液的储存部和封闭储存部的上部的开口的盖部;基板保持部,其将多个基板以铅垂姿势在水平方向上空开间隔地保持;第1旋转轴,其自基板保持部贯穿处理容器的第1侧壁向外侧水平延伸;旋转驱动部,其设于处理容器的外部,使基板保持部旋转;处理流体喷嘴,其设于盖部,自比处理液的液位高的位置向基板或其周围的空间供给处理流体。当盖部位于封闭位置时,处理容器的内部形成密闭的内部空间。当盖部位于开放位置时,能够相对于基板保持部送入送出基板。以各基板的仅下侧部分浸渍于处理液的状态进行液处理
  • 处理装置方法

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