“中泽贵士”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201810716004.8有效
发明人：东博之;大塚贵久;篠原和義;中泽贵士;藤本诚也;道木裕一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本公开涉及基板处理方法和基板处理装置，使晶圆的中心部到周缘部为止的蚀刻量的面内均匀性提高。实施方式所涉及的基板处理方法包括低温溶解工序和蚀刻工序。在低温溶解工序中，使氧溶解于冷却至比室温低的规定温度的碱性水溶液中。在蚀刻工序中，向基板供给溶解了氧的碱性水溶液来对基板进行蚀刻。
处理方法装置

[实用新型]基板处理装置-CN202220277460.9有效
发明人：桥本佑介;东岛治郎;绪方信博;后藤大辅;二俣雄亮;中泽贵士 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开涉及基板处理装置，能够提高蚀刻处理的面内均匀性。基板处理装置具有支承部、基座构件、旋转部、气体供给部、以及气体整流部。气体整流部包含：棒状构件，其包含与基板的下表面相对的顶端部；整流构件，其配置为包围顶端部。顶端部包含以自顶端部的外周面向外侧突出后朝向下方延伸的方式设于外周面的折回部。整流构件包含：底壁部，其配置为内周缘与顶端部的外周面分离开；突出部，其以顶端部位于折回部和顶端部的外周面之间的方式自底壁部的内周部朝向上方延伸；水平整流部，其以与底壁部分离开的状态沿水平方向延伸；以及多个柱部，其连接水平整流部和底壁部。
处理装置

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的存储介质-CN202210127703.5在审
发明人：桥本佑介;东岛治郎;绪方信博;后藤大辅;二俣雄亮;中泽贵士 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开涉及基板处理装置、基板处理方法和计算机可读取的存储介质，能够提高蚀刻处理的面内均匀性。基板处理装置具有支承部、基座构件、旋转部、气体供给部、以及气体整流部。气体整流部包含：棒状构件，其包含与基板的下表面相对的顶端部；整流构件，其配置为包围顶端部。顶端部包含以自顶端部的外周面向外侧突出后朝向下方延伸的方式设于外周面的折回部。整流构件包含：底壁部，其配置为内周缘与顶端部的外周面分离开；突出部，其以顶端部位于折回部和顶端部的外周面之间的方式自底壁部的内周部朝向上方延伸；水平整流部，其以与底壁部分离开的状态沿水平方向延伸；以及多个柱部，其连接水平整流部和底壁部。
处理装置方法计算机读取存储介质

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202111534067.X在审
发明人： 中泽贵士;宫本勲武;佐竹圭吾;中沟贤治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，是供抑制蚀刻量的变动的技术。基板处理装置具备混合部、喷嘴、第一成分供给部、第二成分供给部以及控制部。所述混合部将作为第一成分的硫酸与第二成分进行混合来制备蚀刻液。所述喷嘴向基板喷出所述蚀刻液。所述第一成分供给部包括第一流路、第一瞬时流量计以及第一流量控制器。所述第二成分供给部包括第二流路、第二瞬时流量计以及第二流量控制器。所述控制部控制所述第一成分供给部和所述第二成分供给部。在向所述基板喷出所述蚀刻液的期间，所述控制部使用所述第一成分的平均流量和所述第二成分的平均流量来控制所述第一流量控制器和所述第二流量控制器。
处理方法装置

[实用新型]基片处理装置-CN202023211384.1有效
发明人：樱井宏纪;后藤大辅;中泽贵士;高松祐助;桥本佑介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基片处理装置，其能够抑制在利用混合液的蚀刻处理结束时在混合部发生突沸反应。本实用新型的一个方式的基片处理装置包括升温部、混合部和释放部。升温部使硫酸升温。混合部将升温后的硫酸与含有水分的液体混合来生成混合液。释放部在基片处理部内对基片释放混合液。此外，混合部包括：合流部，其用于供升温后的硫酸流动的硫酸供给管路与供液体流动的液体供给管路合流；和反应抑制机构，其抑制合流部中的升温后的硫酸与液体的反应。
处理装置

[发明专利]基板处理装置及处理腔室清洗方法-CN201610827131.6有效
发明人：铃木启之;大塚贵久;立山清久;中泽贵士 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置及处理腔室清洗方法，在对包括构成基板处理装置的处理腔室的壁体以及设于所述处理腔室内的设备的清洗对象部的表面进行清洗时，缩短清洗后的干燥时间。在进行向处理腔室(20)内喷射水而用水将清洗对象部(42、20a、53等)的表面润湿、使附着于清洗对象部的表面的除去对象物溶解于水的清洗工序之后，进行向处理腔室内喷射挥发性高于水的挥发性的溶剂而向附着于清洗对象部的表面的水供给溶剂的溶剂供给工序，之后，进行使清洗对象部的表面干燥的干燥工序。
处理装置清洗方法

[发明专利]基片处理装置-CN202011576637.7在审
发明人：樱井宏纪;后藤大辅;中泽贵士;高松祐助;桥本佑介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理装置，其能够抑制在利用混合液的蚀刻处理结束时在混合部发生突沸反应。本发明的一个方式的基片处理装置包括升温部、混合部和释放部。升温部使硫酸升温。混合部将升温后的硫酸与含有水分的液体混合来生成混合液。释放部在基片处理部内对基片释放混合液。此外，混合部包括：合流部，其用于供升温后的硫酸流动的硫酸供给管路与供液体流动的液体供给管路合流；和反应抑制机构，其抑制合流部中的升温后的硫酸与液体的反应。
处理装置

[发明专利]基片处理装置和基片处理方法-CN202011327053.6在审
发明人：井上大诚;樱井宏纪;中泽贵士 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供高精度地蚀刻基片的基片处理装置和基片处理方法。实施方式的基片处理装置包括温度检测部、计算部和执行部。温度检测部检测被供给了处理液的基片的温度。计算部使用给定的计算式计算基于由温度检测部检测到的温度的基片的蚀刻量。执行部基于蚀刻量执行用处理液进行的基片的蚀刻处理。
处理装置方法

[发明专利]基片处理方法和基片处理装置-CN202010218557.8在审
发明人： 中泽贵士;筱原和义 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供基片处理方法和基片处理装置。本发明的基片处理方法包括保持步骤、事先加热步骤、释放步骤和移动步骤。保持步骤保持基片。事先加热步骤加热相反面的中央部，该相反面是基片的与被处理面相反一侧的面。释放步骤在事先加热步骤后，对被处理面的周缘部释放作为硫酸和过氧化氢的混合液的SPM。移动步骤在释放步骤后，使SPM的释放位置从被处理面的周缘部向中央部移动。本发明能够在使用SPM的基片处理中抑制偏差。
处理方法装置

[发明专利]液处理装置和液处理方法-CN201810958419.6在审
发明人：寺冈一大;鸟野崇;上村史洋;笠原政俊;须中郁雄;中泽贵士 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制在紧接开始进行处理液的循环之后循环管线内的处理液被污染的液处理装置和液处理方法。实施方式所涉及的液处理装置具备罐、循环管线、泵、过滤器、背压阀以及控制部。罐用于贮存处理液。循环管线用于使从罐送出的处理液返回罐。泵用于形成循环管线中的处理液的循环流。过滤器设置于循环管线中的泵的下游侧。背压阀设置于循环管线中的过滤器的下游侧。控制部控制泵和背压阀。而且，控制部控制泵的喷出压力，以使在开始进行循环管线中的处理液的循环时，泵的喷出压力上升到规定的第一压力，并且在经过规定的时间后，泵的喷出压力增加到比第一压力大的第二压力。
循环管线处理液过滤器液处理装置喷出压力背压阀控制泵液处理返回罐循环流送出贮存污染

1
共 10 条