专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]填充料的窗帘杆-CN201120283654.1有效
  • 倪晶晶 - 倪晶晶
  • 2011-07-29 - 2012-02-08 - A47H1/02
  • 本实用新型涉及一种带填充料的窗帘杆,包括金属管(1),其特征是所述金属管(1)的内部设有填充料(2),填充料(2)由轻质材料制成,填充料(2)填满金属管(1)的内部。本实用新型的优点是,填充填满金属管的内部,使金属管内壁隔绝空气,有效防生锈,在一定程度上也增强了窗帘杆的整体强度。
  • 填充窗帘
  • [实用新型]填充式路边石-CN200520036949.3无效
  • 孙鸿剑 - 孙鸿剑;李静;范井全
  • 2005-12-28 - 2007-02-07 - E01C11/22
  • 本实用新型是一种填充式路边石。它包括框架和内部填充层,其特点是:框架是方形的,粒状材料构成的内部填充填充在由强度较高的轻质材料制成的框架的内部将其内的空间填满。本实用新型采用轻质外框架与填充材料组合,克服了普通路边石笨重、难运输、难搬运、难更换的缺点,而且原材料丰富、工厂化加工、制作安装简便,大大降低了工程造价。
  • 填充路边
  • [发明专利]半导体工艺和半导体结构-CN202111112779.2在审
  • 周小红 - 长江存储科技有限责任公司
  • 2021-09-18 - 2022-01-18 - H01L21/762
  • 该半导体工艺包括:提供基底,基底包括依次层叠的衬底以及堆叠结构,其中,堆叠结构包括本体结构和位于本体结构中的凹槽,本体结构包括交替设置的绝缘介质层和牺牲层,凹槽由台阶区域形成;在基底的裸露表面上形成介质材料,剩余的凹槽形成子凹槽;至少去除子凹槽两侧的部分介质材料;向子凹槽中填充介质材料,直到填满子凹槽;去除部分介质材料,使得本体结构的表面裸露。本申请的半导体工艺通过两次沉积步骤,来填满凹槽,保证了凹槽的填充效果较好,避免了现有技术中由于凹槽的台阶高度较大,填充凹槽时容易产生孔洞以及间隙的问题。
  • 半导体工艺结构
  • [实用新型]梁底填充墙交接处结构-CN200920197099.3无效
  • 周凤中;毛西平;胡明大;金文 - 温州东瓯建设集团有限公司
  • 2009-09-16 - 2010-06-02 - E04B1/38
  • 本实用新型公开了一种梁底填充墙交接处结构,在此结构中梁和填充墙之间留缝隙,缝隙内楔入木楔,木楔上下端分别紧顶梁和填充墙,缝隙填满有发泡剂。由于本实用新型提供的梁底填充墙交接处留缝隙,缝隙内楔入木楔,木楔上下端分别紧顶梁和填充墙,木楔的存在可以顶紧填充墙,增强其稳定性,另外缝隙填满有发泡剂,发泡剂一般具有一定的弹性,将其作为填充材料一方面可以填平缝隙,另一方面在填充墙沉降时发泡剂形成的填充层面能够进行伸缩,不会直接开裂,一定程度上缓解或解决了裂缝问题。
  • 填充交接结构
  • [发明专利]低压降填充材料结构-CN201580044649.6在审
  • D·G·冯迪克;S·利普;C-A·温克勒;W·格林格 - 巴斯夫公司
  • 2015-06-24 - 2017-04-19 - B01J8/02
  • 填充床包含容器,所述容器包含外壳、入口和出口,其中所述外壳内部的在所述入口和出口之间的空间形成内部体积;多个填充材料结构,其填满所述内部体积的至少一部分进而形成填充体积,其中所述填充体积具有空隙分率,并且所述填充材料结构提供总表面面积;以及所述容器在所述容器入口和容器出口之间具有压降,其中所述压降不到具有相同横截面的非扭曲形状填充床的压降的1.0倍。
  • 低压填充材料结构
  • [发明专利]一种存储器及其制备方法-CN202010924270.7有效
  • 刘峻 - 长江先进存储产业创新中心有限责任公司
  • 2020-09-04 - 2022-02-01 - H01L45/00
  • 本申请实施例公开了一种存储器及其制备方法,所述存储器包括:多个呈阵列排布的存储单元柱,所述存储单元柱包括沿柱体轴向由上至下依次设置的开关材料层和相变材料层;其中,相邻的所述存储单元柱之间存在间隔;填充层,填充于所述间隔内;所述填充层沿柱体轴向由上至下填充至所述间隔中相邻的所述开关材料层之间;所述填充填满所述间隔中位于相邻的所述开关材料层之间的部分,并且所述填充层不延伸至所述间隔中相邻的所述相变材料层之间而在所述间隔中相邻的所述相变材料层之间形成气隙
  • 一种存储器及其制备方法

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