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[发明专利]一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器-CN202010386539.0在审
发明人：郝寅雷;蒋建光;邓鑫宸;牛梦华;周柯江;车录锋;杨建义 -专利权人：浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的掩埋型锥形离子掺杂区(101)构成；其中第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)粗端的横截面尺寸与第n‑1段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端作为模斑转换器的输出端。这种玻璃基掩埋型分段式模斑转换器通过n段玻璃基锥形波导芯片级联的方式，可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，同时降低设计和制作的难度。
一种离子交换玻璃掩埋段式转换器

[实用新型]一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器-CN202020752781.0有效
发明人：郝寅雷;蒋建光;邓鑫宸;牛梦华;周柯江;车录锋;杨建义 -专利权人：浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的掩埋型锥形离子掺杂区(101)构成；其中第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)粗端的横截面尺寸与第n‑1段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端作为模斑转换器的输出端。这种玻璃基掩埋型分段式模斑转换器通过n段玻璃基锥形波导芯片级联的方式，可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，同时降低设计和制作的难度。
一种离子交换玻璃掩埋段式转换器

[发明专利]InP基模斑转换器、模斑转换结构及制备方法-CN202110151244.X有效
发明人：王亮;何伟;蒋忠君;张博健 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：一种InP基模斑转换器、模斑转换结构及制备方法，该InP基模斑转换器，包括：两层或多层不同组分的InxGa1‑xAs<1‑xAsyP1‑y层具有沿第一方向渐变的折射率分布，所述第一方向为沿所述模斑转换器的模斑尺寸减小的厚度方向本发明引入具有渐变折射率分布的模斑转换器，制备高度集成、高转换效率模斑转换器，实现小尺寸高效率的模斑转换，实现紧凑转换波导器件，降低封装成本。
inp 基模斑转换器转换结构制备方法

[实用新型]一种光波导模斑转换器-CN201921054744.6有效
发明人：张仙;陈朋鑫;刘柳;胡金耀;叶国富 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-07-08 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光波导模斑转换器，包括波导模斑转换器、低折射率匹配液、石英盖板、光纤阵列；所述低折射率匹配液固定设置在波导模斑转换器与石英盖板之间；所述波导模斑转换器内固定设有SU‑8光刻胶波导和硅波导，所述硅波导位于SOI芯片上，所述SOI芯片设置在波导模斑转换器上，所述SU‑8光刻胶波导固定设置在SOI芯片上并包裹所述硅波导，所述光纤阵列与波导模斑转换器固定连接。本实用新型可以实现光纤阵列和硅基光子芯片的低损耗端面互联，不仅有利于硅基光子芯片的集成度提高，且可实现光纤阵列与硅基光子芯片的高效率互联。
一种波导转换器

[发明专利]基于模斑变换与光栅耦合的混合封装装置-CN202110754204.4在审
发明人：翟鲲鹏;陈寅芳;李明;祝宁华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于模斑变换与光栅耦合的混合封装装置，包括：硅基芯片；模斑变换器，集成于所述硅基芯片上，用于实现光信号的光学模式转变与耦合；光调制器，集成于所述硅光芯片上，并与所述模斑变换器和光栅耦合器相连，用于实现光信号的调制；所述光栅耦合器，集成于所述硅基芯片上，用于实现光信号的耦合以及转变光学方向，其中，所述光栅耦合器包括波导结构和光栅结构，所述锥形波导结构与所述模斑变换器相连。
基于变换光栅耦合混合封装装置

[发明专利]磷化铟基模斑转换器及其设计方法-CN202110065709.X在审
发明人：王亮;蒋忠君;张博健;何伟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本公开提供了一种磷化铟基模斑转换器，包括：衬底；缓冲层，位于所述衬底之上，用于提供晶格匹配，减少缺陷；InGaAsP与InP周期性排列N层形成的稀释波导层，位于所述缓冲层之上，其中N≥3；垂直楔形结构，位于所述稀释波导层之上，用于模斑转换；脊型波导，位于所述垂直楔形结构之上，用于协同所述垂直楔形结构完成模斑转换功能。本公开涉及的磷化铟基模斑转换器可以实现：高效的光纤‑芯片端面耦合(＞80％)，其中光纤可以是普通单模光纤或透镜光纤；高效的稀释波导‑脊型波导模斑转换(＞90％)。
磷化铟基模斑转换器及其设计方法

[发明专利]一种离子交换玻璃基表面型分段式模斑转换器-CN202010386136.6在审
发明人：郝寅雷;蒋建光;邓鑫宸;牛梦华;周柯江;车录锋;杨建义 -专利权人：浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种离子交换玻璃基表面型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的表面型锥形离子掺杂区(102)构成；第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)粗端的横截面尺寸与第n‑1段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端作为模斑转换器的输出端。本发明可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，并进一步降低设计和制作的难度。
一种离子交换玻璃表面段式转换器

[实用新型]一种离子交换玻璃基表面型分段式模斑转换器-CN202020752784.4有效
发明人：郝寅雷;蒋建光;邓鑫宸;牛梦华;周柯江;车录锋;杨建义 -专利权人：浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种离子交换玻璃基表面型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的表面型锥形离子掺杂区(102)构成；第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)粗端的横截面尺寸与第n‑1段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端作为模斑转换器的输出端。本实用新型可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，并进一步降低设计和制作的难度。
一种离子交换玻璃表面段式转换器

[发明专利]硅基光斑模场转化器及其制作工艺-CN202011322160.X在审
发明人：沈笑寒;陈奔;朱宇;王皓;邢园园;杨凌冈 -专利权人：亨通洛克利科技有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基光斑模场转化器及其制作工艺，其中，硅基光斑模场转化器包括：第一模斑转化器波导和第二模斑转化器波导；第一模斑转化器波导位于第二模斑转化器波导的顶面上，且其一端的端面与第二模斑转化器波导一端的端面对齐；第一模斑转化器波导一端形成第一单模波导，其余部分的宽度沿远离第一单模波导的方向非线性减小；第二模斑转化器波导另一端形成第二单模波导，其余部分的宽度沿靠近第二单模波导的方向线性减小。
光斑转化及其制作工艺

[发明专利]一种硅基模斑转换器的逆向设计方法及硅基模斑转换器-CN202310298664.X在审
发明人：刘力;袁平 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基模斑转换器的逆向设计方法及硅基模斑转换器，属于集成光子器件技术领域。此设计算法也可以应用于其他硅基器件的制造，提高设计效率；并首次提出梯度逆向设计方法应用于设计模斑转换器，实现了尺寸仅为12μm×2.4μm的硅基模斑转换器，具有尺寸小、高集成度、制备简单等优势。
一种硅基模斑转换器逆向设计方法

[发明专利]一种模斑转换器-CN202111101225.2有效
发明人：黄庆忠;曾德圣 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种模斑转换器，采用基于超表面结构的菲涅尔微透镜，其中第一超表面结构包括在波导材料上刻蚀的多个长度相同、宽度不同的亚波长凹槽，第二超表面结构包括在波导材料上刻蚀的多个长度不同、宽度相同的亚波长凹槽；两种超表面结构组合使用能减小器件尺寸，同时也避免刻蚀极小线宽的步骤，从而降低了工艺要求；能够使单模输入光在维持其模式阶次的情况下改变其模场宽度。可以把宽模斑基模光束变成柱面波实现聚束的功能或者把柱面波变成宽模斑的基模光束实现扩束的功能。宽模斑基模的模场可以通过增加菲涅尔微透镜的周期数而加宽，可以满足多种应用场景的实际需要。
一种转换器

[实用新型]硅基光斑模场转化器-CN202022727394.4有效
发明人：沈笑寒;陈奔;朱宇;王皓;邢园园;杨凌冈 -专利权人：亨通洛克利科技有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种硅基光斑模场转化器，其包括：第一模斑转化器波导和第二模斑转化器波导；第一模斑转化器波导位于第二模斑转化器波导的顶面上，且其一端的端面与第二模斑转化器波导一端的端面对齐；第一模斑转化器波导一端形成第一单模波导，其余部分的宽度沿远离第一单模波导的方向非线性减小；第二模斑转化器波导另一端形成第二单模波导，其余部分的宽度沿靠近第二单模波导的方向线性减小。
光斑转化

[发明专利]光电子集成芯片及其制作方法-CN202111463372.4在审
发明人：刘祖文;金里;朱继光;冯俊波;曹睿 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：本发明提供了一种光电子集成芯片及其制作方法，光电子集成芯片包括：增益芯片和硅光芯片模斑变换器；增益芯片包括无源波导部分和有源波导部分；在无源波导部分的无源导波区的下方生长有第一薄膜层，有源波导部分的量子阱增益区的下方生长有第二薄膜层；硅光芯片模斑变换器的硅波导上方生长有第三薄膜层；无源波导部分所支持的TE基模大于第一阈值的模场；有源波导部分所支持的TE基模大于第二阈值的模场；硅光芯片模斑变换器所支持的TE基模大于第三阈值的模场。
光电子集成芯片及其制作方法

[发明专利]硅基复合介质模斑转换器及其制备方法-CN201010574449.0有效
发明人：杨成樾;周静涛;张慧慧;刘焕明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-12-06 - 公布日： 2012-06-06 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基复合介质模斑转换器及其制备方法。该模斑转换器在沿光传输方向上交替由硅和氧化硅两种材料按不同的组分比例排列在一起，构成周期结构。通过两种材料组分比例的变化实现模斑转换器等效折介质射率的变化，进而实现光斑模场从光纤端到硅微纳波导端的逐渐转变。该复合介质模斑转换器具有波长不敏感的性质，且其制作方法能够更好的与传统工艺相兼容，可重复制作性高。
复合介质转换器及其制备方法

[发明专利]利用散斑图像处理技术检测和定位环境扰动的多光纤二维阵列装置-CN01823210.8无效
发明人：哈里什·K·萨达纳;杰格迪什·K·查伯雷;索姆纳特·班迪奥帕迪亚雅;普雷蒙德·K·戈埃尔 -专利权人：科学与工业研究会
申请日： 2001-03-27 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： G01D5/353 文献下载
摘要：一种利用多模光纤阵列检测分布方式扰动和定位(区域识别)扰动的系统，具体地说，本发明涉及有4×3(12)条多模光纤的二维阵列基散斑图形检测系统，用于检测多个区域中的扰动，所述多模光纤被电荷耦合器件(CCD)摄像机并行成像，并利用常规的图像处理硬件分析其散斑图形以测定扰动。
利用图像处理技术检测定位环境扰动光纤二维阵列装置

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