[发明专利]一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器在审

专利信息
申请号: 202010386539.0 申请日: 2020-05-09
公开(公告)号: CN111487718A 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 郝寅雷;蒋建光;邓鑫宸;牛梦华;周柯江;车录锋;杨建义 申请(专利权)人: 浙江大学绍兴微电子研究中心;浙江大学;绍兴市科技创业投资有限公司
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122;G02B6/14
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 徐锋
地址: 312000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器,这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成;每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的掩埋型锥形离子掺杂区(101)构成;其中第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)粗端的横截面尺寸与第n‑1段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端的横截面尺寸相匹配,第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端作为模斑转换器的输出端。这种玻璃基掩埋型分段式模斑转换器通过n段玻璃基锥形波导芯片级联的方式,可以实现更大幅度的模斑尺寸转换,提高器件性能,同时降低设计和制作的难度。
搜索关键词: 一种 离子交换 玻璃 掩埋 段式 转换器
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  • 荣巍巍;梁图禄;廖上桂;李明娜 - 南通大学
  • 2023-07-05 - 2023-09-22 - G02B6/122
  • 本发明属于集成光电子技术领域,具体涉及一种绝热模式耦合器。本发明包括硅芯和包层,硅芯包括平板硅、第一硅脊以及第二硅基;平板硅上端分别设置第一硅脊与第二硅基;包层从下往上依次为起支撑作用的硅衬底、二氧化硅下包层、上包层;硅衬底连接二氧化硅下包层;二氧化硅下包层连接平板硅;平板硅、第一硅脊以及第二硅基均连接上包层。本发明解决目前绝热模式耦合器“尺寸大、集成度低”的问题,本发明旨在提出一种尺寸小、损耗低、传输效率高、结构简单、易加工的绝热模式耦合器。
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