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[发明专利]一种铝镓氮基日盲紫外探测器及其制备方法-CN201710301067.2在审
发明人：王书昶;张惠国;况亚伟;郭文华;冯金福 -专利权人：常熟理工学院
申请日： 2017-05-02 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种铝镓氮基日盲紫外探测器，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Alx1Ga1‑x1N缓冲层、n型Alx2Ga1‑x2N层、非掺杂i型Zny1Mg1‑y1O吸收层、n型ZnO/Zny2Mg1‑y2O超晶格分离层、非掺杂i型Zny3Mg1‑y3O倍增层、p型Alx3Ga1‑x3N层、p型GaN层，在n型Alx2Ga1‑x2N层上引出的n型欧姆电极，在p型GaN层上引出的p型欧姆电极。本发明还公开了铝镓氮基日盲紫外探测器的制备方法。该铝镓氮基日盲紫外探测器可提高日盲紫外探测器雪崩倍增因子与探测器的响应度。
一种铝镓氮基日盲紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种高抑制比背入射AlGaN基日盲探测器-CN202210021438.2在审
发明人：周东;陆海 -专利权人：苏州镓敏光电科技有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种高抑制比背入射AlGaN基日盲探测器，在蓝宝石衬底背面镀有UVC滤光膜，UVC滤光膜截止波长范围为280nm‑400nm。本发明高抑制比背入射AlGaN基日盲探测器，改进了现有AlGaN基日盲探测器抑制比偏低，在UVA和UVB有微弱响应的不足，通过实践验证，本发明的高抑制比AlGaN基日盲探测器与常规AlGaN基日盲探测器制备工艺兼容，在保证日盲波段量子效率的同时，进一步抑制了AlGaN基日盲紫外探测器在UVA和UVB波段的响应。
一种抑制入射 algan 基日盲探测器

[发明专利]光导型全硅基日盲紫外探测器及其制作方法-CN202110661496.7有效
发明人：董恒平;陈坤基;杨华烽;窦如凤;井娥林;李伟;徐骏 -专利权人：南京理工大学泰州科技学院
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供一种光导型全硅基日盲紫外探测器及其制作方法，属于光电探测领域，光导型全硅基日盲紫外探测器包括：硅基底，所述硅基底为P型晶硅或本征晶硅，被配置为载流子传输层；非晶掺氧氮化硅薄膜，形成于所述硅基底表面本发明的日盲紫外探测器采用发光的宽禁带非晶掺氧氮化硅(a‑SiNx:O)薄膜作为紫外光吸收层，以P型晶硅(p‑Si)或本征晶硅(i‑Si)作为载流子传输层，构建的光导型全硅基日盲紫外探测器不仅成本低廉
光导型全硅基日盲紫外探测器及其制作方法

[发明专利]一种AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器及其制作方法-CN201811398729.3有效
发明人：陈一仁;宋航;张志伟;缪国庆;蒋红;李志明 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器，从衬底向外依次包括缓冲层、超晶格层、窗口层、集电极、基极及发射极，所述基极为多周期p‑AlGaN/Mg‑δ层组成的基极；所述多周期p‑AlGaN/Mg‑δ本发明的AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器，解决AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器的基极P型AlGaN材料阻抗高、空穴浓度低、空穴迁移率低的问题，本发明的AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器的基极较现有技术更厚，其形成的集电结耗尽区的光吸收能力更强，可获得高增益的AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器。本发明还提供了一种具有上述有益效果的AlGaN基日盲紫外光电晶体管探测器的制作方法。
一种 algan 基日盲紫外光电晶体管探测器及其制作方法

[发明专利]集成非对称F-P腔的InSe基日盲紫外光电探测器-CN202310387782.8有效
发明人：吴春艳;单龙强;张宇梁;江晓运;胡继刚;罗林保 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了集成非对称F‑P腔的InSe基日盲紫外光电探测器，是将InSe二维薄片转移至共振波长位于日盲紫外波段的金属/介质层非对称F‑P腔上方，利用腔共振，增强InSe在日盲紫外波段的吸收，从而提高InSe基光电探测器的响应度、日盲紫外/可见抑制比，实现日盲紫外光电探测。本发明利用窄禁带半导体材料实现日盲紫外光电探测，制备工艺简单，为高性能日盲紫外光电探测提供了一个新的思路。
集成对称 inse 基日盲紫外光电探测器

[发明专利]集成非对称F-P腔的GaSe基日盲紫外光电探测器-CN202310412298.6有效
发明人：吴春艳;梁利彦;高金绪龙;江晓运;胡继刚;罗林保 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了集成非对称F‑P腔的GaSe基日盲紫外光电探测器，是将GaSe二维薄片转移至共振波长位于日盲紫外波段的金属/介质层非对称F‑P腔上方，利用腔共振增强GaSe在日盲紫外波段的吸收，从而提高GaSe基光电探测器的响应度、日盲紫外/可见抑制比，实现高性能的日盲紫外光电探测。本发明利用窄禁带半导体材料实现日盲紫外光电探测，制备工艺简单，为日盲紫外光电探测提供了一个新的思路。
集成对称 gase 基日盲紫外光电探测器

[发明专利]一种Ga2-CN202211379413.6在审
发明人：唐可;刘尊;黄浩斐;邓洁;王世琳;王梦倩;龚恒玥;刘川;黄健;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ga2O3基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法，所述异质结依次由单晶p‑Si衬底、本征Ga2O3薄膜和n型Ga2O3薄膜叠加而成，分别在p‑Si衬底和n型Ga2O3薄膜上生长欧姆接触电极制备日盲紫外探测器。本发明采用插入高阻本征层的方法来改善日盲紫外探测器的性能，相比于传统的pn结器件结构，PIN型探测器具有更小的暗电流以及更高的信噪比。此外，本发明以Si为p型层制备PIN型日盲紫外探测器，与其它探测器相比具有低成本，易集成的优势，在导弹追踪、无线通信、火焰探测、臭氧层空洞监测、电弧检测等军事和民用领域具有重要意义和应用前景。
一种 ga base sub

[发明专利]一种柔性氧化镓基日盲紫外光电探测器及其制备方法-CN201710012296.2在审
发明人：郑清洪;陈礼辉;欧阳新华;黄六莲;杨海洋 -专利权人：福建农林大学
申请日： 2017-01-09 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开一种柔性氧化镓基日盲紫外光电探测器及其制备方法，具体是指利用气相沉积法制备氧化镓微米带材料，将其作为日盲紫外光的光敏材料，将氧化镓微米带材料转移到柔性衬底上，再结合掩模和真空镀膜方法在氧化镓微米带的两端制备金属电极，最终制备获得柔性氧化镓基日盲紫外光电探测器。本发明首次利用柔性的氧化镓微米带材料结合柔性衬底制备出柔性氧化镓基日盲紫外光电探测器，该器件具有针对日盲紫外光的特征响应和柔性可弯曲的特点。柔性探测器件具有重复弯曲可恢复性，可以应用于可穿戴探测设备、弯曲屏交互设备、仿生组织等领域；可以大幅提高日盲光电探测系统的便携性、设置及设计的自由度。
一种柔性氧化镓基日盲紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种氧化锌基日盲紫外光电探测器及其制备方法和应用-CN202210912145.3在审
发明人：陈荣盛;林德朗;陈雅怡 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锌基日盲紫外光电探测器及其制备方法和应用。本发明的氧化锌基日盲紫外光电探测器的组成包括依次层叠设置的衬底、栅电极层、栅介质层、氧化锌基有源层、源‑漏电极层和近紫外光阻挡层，近紫外光阻挡层的组成包括疏水阻挡层和光稳定层。本发明的氧化锌基日盲紫外光电探测器具有迁移率高、可靠性高、拒绝比高、功耗低等优点，可以同时作为紫外感应部分和后端处理电路的晶体管，有利于制备高集成度的日盲紫外光电探测系统，且其制备工艺简单，适合进行大规模推广应用
一种氧化锌基日盲紫外光电探测器及其制备方法应用

[发明专利]一种铝镓氮基日盲紫外探测器及其制备方法-CN201710148802.0在审
发明人：孙月静 -专利权人：孙月静
申请日： 2017-03-14 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了紫外探测器技术领域的一种铝镓氮基日盲紫外探测器，包括衬底，所述衬底的顶部设置有缓冲层，所述缓冲层的顶部设置有吸收层，所述吸收层的顶部设置有电极，所述衬底采用蓝宝石材料制成，该铝镓氮基日盲紫外探测器的制备方法包括以下步骤：S1：清洁衬底；S2：制备缓冲层；S3：制备吸收层；S4：冲洗；S5：制备沉积层；S6：蚀刻；S7：制备电极；S8：组合、安装，该发明提出的一种铝镓氮基日盲紫外探测器及其制备方法，工艺流程简单，成本低廉，能够实现日盲探测。
制备紫外探测器日盲铝镓氮衬底顶部设置缓冲层吸收层电极蚀刻蓝宝石材料工艺流程沉积层冲洗探测清洁

[发明专利]一种基于PN异质结的日盲紫外光电探测器及其制备方法-CN202211130171.7在审
发明人：潘江涌;黄昱凌;汪丽茜;毛磊 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PN异质结的日盲紫外光电探测器及其制备方法，探测器包括基底、P型传输层和阴极，所述基底与所述P型传输层之间设有阳极，所述P型传输层与所述阴极之间设有铜基卤化物；制备方法包括：对基底进行清洗和干燥；对干燥后的基底进行紫外臭氧处理；利用热蒸镀法制备阳极；在阳极上旋涂P型传输层；在P型传输层上旋涂铜基卤化物前驱体溶液和反溶剂，进行退火，制得铜基卤化物薄膜；利用热蒸镀法制备阴极，制得基于PN异质结的日盲紫外光电探测器
一种基于 pn 异质结紫外光电探测器及其制备方法

[发明专利]日盲紫外光电化学光探测器及其制备方法-CN201911203022.7有效
发明人：孙海定;汪丹浩;张昊宸;黄晨 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种日盲紫外光电化学光探测器及其制备方法，该光探测器包括光电极，所述光电极包括衬底，还包括在所述衬底表面上形成的p型/n型掺杂氮化镓基(Gallium Nitride,简称GaN)基纳米孔阵列另外，在GaN基纳米孔阵列上修饰助催化剂纳米颗粒作为光电极，优化了分子的吸脱附过程，提高了光电极在溶液中的氧化还原反应速率。同时，进一步优化光电化学装置设计，改变电解质溶液环境，最终实现高响应度、灵敏度高、快速反应、经济环保、自供能(无需外加额外电能)的新型日盲紫外光探测器。
紫外光电化学探测器及其制备方法

[发明专利]一种Al组分过渡型日盲紫外探测器及其制备方法-CN201810902431.5在审
发明人：陆海;周东;渠凯军 -专利权人：镇江镓芯光电科技有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公布了一种Al组分过渡型日盲紫外探测器及其制备方法，Al组分过渡型日盲紫外探测器包括：衬底、缓冲层、AlGaN薄膜、过渡层、n型欧姆接触层、掺杂层、p型欧姆接触层、掩膜、n型电极、p型电极，Al组分过渡型日盲紫外探测器制备方法包括：生长缓冲层和AlGaN薄膜、过渡层制备、掩膜制备、n型欧姆接触层制备、掺杂层制备、p型欧姆接触层制备、电极制备、退火。本发明主要是解决现有AlGaN日盲紫外探测器存在的暗电流较高、AlGaN薄膜龟裂、载流子效率低的问题，通过设置缓冲层、过渡层、进行器件退火来避免AlGaN薄膜龟裂、降低暗电流，提供了一种暗电流低、响应速度快、探测效率高、日盲/紫外抑制比高的Al组分过渡型日盲紫外探测器及其制备方法。
制备紫外探测器日盲过渡型暗电流过渡层缓冲层退火掺杂层龟裂掩膜载流子电极制备探测效率抑制比衬底生长响应

[发明专利]一种基于p型铟酸亚铜单晶薄膜的自驱动日盲光电探测器及其制备方法-CN202210217165.9在审
发明人：肖洪地;冯博;栾彩娜 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L31/036 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于p型铟酸亚铜单晶薄膜的自驱动日盲光电探测器及其制备方法。所述自驱动日盲光电探测器包括衬底，衬底上方设置有n型宽带隙半导体单晶薄膜，所述n型宽带隙半导体单晶薄膜上方设置有p型铟酸亚铜单晶薄膜和第一电极，p型铟酸亚铜单晶薄膜和第一电极之间为空白区域；所述p型铟酸亚铜单晶薄膜上方设置有第二电极本发明制备的自驱动日盲光电探测器具有更优良的探测性能，在日盲光源的照射下，施加零偏压，实现器件的日盲波段自驱动探测，且具有较高的光电灵敏度，可广泛应用于太空、海底等特殊环境。
一种基于型铟酸亚铜单晶薄膜驱动光电探测器及其制备方法

[实用新型]日盲型探测辐射光源-CN201820922606.4有效
发明人：杨小利 -专利权人：江西新正耀光学研究院有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： F21S8/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种日盲型探测辐射光源，日盲型探测辐射光源，其特征在于：其包括：光学透镜、透镜固定俯仰调整件、日盲发光芯片、光源板、固定外壳、X轴上滑块、X轴下滑块和Y轴上滑块、X轴调整定位块、Y轴下滑块解决日盲光源光效低，光衰严重，适用范围窄，使用寿命短，成本高昂等问题，发明高光效超长距投射，适用面广，寿命长，性能稳定的日盲型辐射探测光源。
日盲型辐射光源螺丝探测俯仰调整定位块上滑块下滑块本实用新型调整螺丝发光芯片辐射探测固定底座固定螺丝固定外壳光学透镜日盲光源使用寿命透镜固定高光效光源板弹簧投射导套光衰光效日盲光源

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