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[发明专利]一种InSe晶体管及其制备方法-CN201710927704.7有效
发明人：钟旻;陈寿面 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种InSe晶体管，包括：栅极；位于栅极上的栅极介电层；位于栅极介电层上的晶体生长衬底层；位于栅极上方的晶体生长衬底层上的InSe薄膜沟道层；围绕InSe薄膜沟道层的InSe保护层，位于栅极两侧上方位置的InSe保护层中设有源漏区；位于InSe薄膜沟道层及InSe保护层上的钝化层，钝化层将InSe薄膜沟道层封闭以与外部隔绝。本发明能够有效防止在晶体管制备工艺过程中易发生的InSe分解问题，并且能够与现有的CMOS工艺兼容，制备工艺简单可行，可方便制备出小尺寸、大规模的InSe晶体管阵列。本发明还公开了一种InSe晶体管的制备方法。
一种 inse 晶体管及其制备方法

[实用新型]一种基于InSe材料的太赫兹探测元器件-CN202022732369.5有效
发明人：宋雪梅;郭萌萌;张永哲 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：一种基于InSe材料的太赫兹探测元器件，属于太赫兹领域。衬底层水平设置在最下层，绝缘介质层水平设置在衬底的上表面上，保护层a层水平设置在绝缘介质层的上表面上，InSe层平行设置在保护层a层上方，保护层b层为水平设置在InSe层上方，保护层b层完全覆盖InSe层；源电极、漏电极设置在InSe材料两侧，并且源电极、漏电极覆盖裸漏的InSe边缘，顶栅电极绝缘层上方位置，与内部InSe无接触；天线位于源极和栅极远离InSe材料侧，与源极和栅极分别相连。
一种基于 inse 材料赫兹探测元器件

[发明专利]一种具有二次光电响应的红外光电探测器-CN202211385779.4在审
发明人：陈小青;甘雪涛 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有二次光电响应的红外光电探测器，其包括绝缘衬底、金电极、银电极、n型InSe半导体和p型GaSe半导体，本方案的光电探测器的结构为：金电极在绝缘衬底上方，GaSe半导体在金电极上方，InSe半导体在GaSe半导体上方并形成InSe/GaSe异质结，银电极在InSe上方，InSe半导体与GaSe半导体接触形成的InSe/GaSe异质结具有PN结特性，可以形成内建电场以有效抑制探测器的暗电流，InSe半导体和GaSe半导体的光学二阶非线性将本不能被InSe半导体和GaSe半导体吸收的红外光转化为可以被InSe半导体吸收的二次谐波，进而产生光生载流子，进一步在PN结内建电场作用下产生光电流；本方案的探测器具有二次功率系数
一种具有二次光电响应红外探测器

[发明专利]一种基于inSE安全芯片的数据交互方法和装置-CN201910133194.5有效
发明人：索思亮;习伟;蔡田田;简淦杨;匡晓云;姚浩 -专利权人：南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G06F9/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于inSE安全芯片的数据交互方法，inSE安全芯片的主控制模块和inSE安全模块之间进行数据交互时，通过共享内存实现数据的交互，主控制模块将数据处理命令发送并存储至共享内存，inSE模块获取到数据处理命令后进行解析提高了数据传输效率；同时主控制模块和inSE安全模块不再是多芯片通信，降低了数据交互时的误码率。此外，本发明还公开了一种基于inSE安全芯片的数据交互装置和inSE安全芯片，效果如上。
一种基于 inse 安全芯片数据交互方法装置

[发明专利]一种近红外光电探测器及其制备方法-CN201711070851.3在审
发明人：张晗;王慧德;郭志男 -专利权人：深圳大学
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供了一种近红外光电探测器，包括基底、依次设置在基底表面上的隔离层和光吸收层、以及设置在光吸收层相对的两端且分别与光吸收层接触的源极和漏极，源极和漏极之间形成的沟道结构暴露出部分光吸收层，光吸收层的材料包括β‑InSe本发明还提供了一种近红外光电探测器的制备方法，包括提供β‑InSe单晶块，将β‑InSe单晶块粘到胶带上，反复撕胶带10‑20次，得到β‑InSe纳米薄片，将β‑InSe纳米薄片转移到隔离层上，形成光吸收层；在β‑InSe纳米薄片上方以及未被β‑InSe纳米薄片覆盖的隔离层上方旋涂光刻胶，经曝光和显影后，形成电极图案；沉积电极材料，随后采用有机溶剂剥离光刻胶，形成源极和漏极。
一种红外光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种自驱动偏振敏感探测器及制备方法-CN202211581128.2在审
发明人：李京波;卜娜布其;霍能杰 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开一种自驱动偏振敏感探测器，包括：衬底；InSe层和1T’‑MoTe2层，所述InSe层和1T’‑MoTe2层分别设置在所述衬底上并将部分1T’‑MoTe2层转移至所述InSe层上，使得InSe层与1T’‑MoTe2层构成异质结；第一电极及第二电极，所述InSe本发明选用零带隙、导电性好、具有各向异性的1T’‑MoTe2单晶和低暗电流、迁移率高的InSe单晶搭建异质结，构成具有肖特基势垒的金半接触，利用InSe单晶和1T
一种驱动偏振敏感探测器制备方法

[发明专利]基于二维材料InSe/GaAs异质结的三维沟槽硅电极探测器-CN202210320603.4在审
发明人：刘美萍;唐勇;刘文富;白柳杨 -专利权人：黄淮学院
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维材料InSe/GaAs异质结的三维沟槽硅电极探测器，本发明属于光电探测器技术领域。本发明的电极探测器，包括隔离硅体，所述隔离硅体采用二维材料InSe/GaAs异质结材料，所述二维材料InSe/GaAs异质结为直接带隙的II型异质结构，所述II型异质结构包括Ga端接触的异质结构和As端接触的异质结构二维材料InSe/GaAs异质结相对比单层InSe载流子迁移率大大提升，异质结构扩宽了光吸收范围，增加了对可见光和红外线区域的吸收增强。
基于二维材料 inse gaas 异质结三维沟槽电极探测器

[发明专利]集成非对称F-P腔的InSe基日盲紫外光电探测器-CN202310387782.8有效
发明人：吴春艳;单龙强;张宇梁;江晓运;胡继刚;罗林保 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了集成非对称F‑P腔的InSe基日盲紫外光电探测器，是将InSe二维薄片转移至共振波长位于日盲紫外波段的金属/介质层非对称F‑P腔上方，利用腔共振，增强InSe在日盲紫外波段的吸收，从而提高InSe
集成对称 inse 基日盲紫外光电探测器

[发明专利]一种正交相Ⅲ-Ⅵ族异质结光催化材料及其化学气相沉积方法-CN201910329955.4在审
发明人：温翠莲;张致远;张竹海;萨百晟;贺啸俊;蔡书畅 -专利权人：福州大学
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明公开了一种正交相Ⅲ‑Ⅵ族异质结光催化材料及制备方法，在氢气和氩气载气下，利用低压化学气相沉积法，在高温退火银箔的基底上合成正交相Ⅲ‑Ⅵ族InSe/InS、InSe/GaS、InSe/GaSe、InS
异质结正交相光催化材料制备低压化学气相沉积化学气相沉积氩气产品纯度高温退火制备工艺氢气基底银箔载气合成应用

[发明专利]一种基于硫化亚锡/硒化铟异质结的光电二极管及其制备方法和应用-CN202210460062.5在审
发明人：高鹏;高伟;王创垒;李京波 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：所述光电二极管是将InSe纳米片转移至SnS纳米片上，SnS纳米片与InSe纳米片重叠部分形成SnS/InSe异质结，并在惰性气体条件下100～150℃退火0.3～2h，分别在不重叠的InSe纳米片和SnS本发明基于SnS/InSe异质结的光电二极管具有明显的整流行为，并在400～1064nm宽谱波段具有优异的自驱动光响应性能和波长选择偏振探测特性，可用于光伏器件或偏振红外成像设备领域中。
一种基于硫化硒化铟异质结光电二极管及其制备方法应用

[发明专利]一种基于多晶InSe生长In2-CN202310149212.5在审
发明人：刘杰;张斌;周小元;郑思康 -专利权人：重庆大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C01G15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于多晶InSe材料生长In2O3纳米线的制备方法，涉及纳米材料生长与纳米结构设计技术领域，其技术方案要点是：包括以下4个步骤,S1多晶InSe粉末材料的准备；S2多晶InSe块体材料的准备；S3多晶InSe薄片材料的准备；S4高温氧化制备In2O
一种基于多晶 inse 生长 in base sub

[发明专利]一种通过电化学插层制备InSe薄膜的方法-CN202011489342.6有效
发明人：冯伟;杨绪轩;刘芝莹;屈栎杭 -专利权人：东北林业大学
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： B29C41/04 文献下载
摘要：一种通过电化学插层制备InSe薄膜的方法。本发明属于硒化铟薄膜制备领域。本发明的方法：步骤一、以Pt片为阳极，以铜网包裹的块体InSe为阴极，以四丁基溴化铵溶液为电解液，给阴极施加电压，进行插层反应；步骤二、先高速离心清洗，然后超声处理，再低速离心，保留上清液；步骤三、采用匀胶机以不同转速分阶段旋涂在硅片上，得到InSe薄膜。本发明所制备的InSe产率高，接近70％，表面清洁，薄膜的质量很高，可以进一步浓缩，旋涂成大面积InSe薄膜，用来制备大尺寸、晶圆级光电器件。
一种通过电化学制备 inse 薄膜方法

[发明专利]一种基于光热电转换效应的超高频光子探测器-CN201811077931.6在审
发明人：宋欢 -专利权人：宋欢
申请日： 2018-09-16 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明公开一种基于光热电转换效应的超高频光子探测器，属于纳米电子器件技术领域，包括锁相放大器、h‑BN透光层、InSe薄膜左Pd电极、InSe薄膜、P掺杂Si基底直流电源VL、P掺杂Si基底Pd电极、石墨屏蔽层直流电源VR、石墨屏蔽层Pd电极、石墨屏蔽层、h‑BN基底、SiO₂氧化层、P掺杂Si基底、InSe薄膜右Pd电极，探测器具有暗电流小、精度高、抗干扰性强等优点。在实际探测中，利用器件非对称结构及InSe薄膜的热电性能，在被测光波照射下，通过在石墨屏蔽层及P掺杂Si基底施加不同的电压，可获得不同的温差电势，进而测试出光子能量及波长。
基底石墨屏蔽层薄膜超高频光子探测器直流电源光热电纳米电子器件非对称结构锁相放大器光波照射光子能量热电性能温差电势暗电流透光层转换波长探测器探测施加测试

[发明专利]一种高性能异质结及其制备方法-CN202210511943.5在审
发明人：李京波;孙一鸣;王小周 -专利权人：浙江芯科半导体有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件领域，具体涉及一种高性能异质结及其制备方法，包括二维材料MoTe2和二维材料InSe组成的异质P‑N结，二维材料MoTe2的两端分别覆盖有Au电极层，两端的Au电极互不接触；InSe的两端表面上覆盖有Au电极，两端的Au电极电极互不接触。本发明的异质结，包括二维材料MoTe2和二维材料InSe组成的异质P‑N结，二维材料MoTe2层和二维材料InSe层存在相互堆叠部分，两种材料两端分别用Au做电极，二维材料MoTe2层、二维材料InSe层及其第一Au电极层和第二Au电极层成十字交叉，形成人工叠加不同二维材料的范德华异质结构，
一种性能异质结及其制备方法

[发明专利]一种用于锂离子电池的硒化铟纳米复合负极材料及其制备方法-CN201010023057.5无效
发明人：李雯静;周永宁;傅正文 -专利权人：复旦大学
申请日： 2010-01-21 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明属电化学技术领域，具体为一种用于锂离子电池的硒化铟(InSe)纳米复合负极材料及其制备方法。该材料为薄膜形式，通过激光溅射沉积法制备获得。硒化铟(InSe)纳米复合材料薄膜电极的可逆比容量约为527mAh/g。硒化铟(InSe)纳米复合电极材料化学稳定性好、比容量高、充放电平台的极化小、制备方法简单，适用于锂离子电池。
一种用于锂离子电池硒化铟纳米复合负极材料及其制备方法

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