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[发明专利]一种金属铜基底电化学镀银的方法及其复合结构-CN202110284416.0在审
发明人：林理文;林昌健 -专利权人：厦门乐钢材料科技有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： C25D5/10 文献下载
摘要：本发明提供一种金属铜基底电化学镀银的方法，先对铜基体表面进行除油工艺，再依次对铜基底表面进行镀钯工艺、镀银工艺；其中，镀钯工艺，采用第一电化学电源设备在铜基底表面镀上一层钯镀层；镀银工艺，采用第二电化学电源设备在镀完钯镀层的铜基底的钯表面镀上一层银镀层本发明还提供一种金属铜基底电化学镀银的复合结构，包括铜基底、设置于铜基底表面的钯镀层以及设置于钯镀层表面的银镀层。本发明首次利用钯镀层作为铜基底和银镀层的过渡，有效提高了银镀层的稳定性，使得镀银镀层再后续氯化等反应中，消除对铜基底的影响。
一种金属基底电化学镀银方法及其复合结构

[发明专利]一种多级结构石墨烯的制备方法-CN201910155651.0有效
发明人：杜涛;李思幸;吴伟;贺盼盼;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：湖南医家智烯新材料科技股份有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明提供的一种多级结构石墨烯的制备方法，包括以下步骤：利用化学氧化法在铜基底上垂直生长氢氧化铜纳米棒，得到铜基底/氢氧化铜纳米棒阵列材料；将所述铜基底/氢氧化铜纳米棒阵列材料置于惰性气体氛围中煅烧，得到铜基底/氧化铜纳米棒阵列材料；利用水热还原法还原所述铜基底/氧化铜纳米棒阵列材料，得到铜基底/铜纳米棒阵列材料；在所述铜基底/铜纳米棒阵列上利用化学气相沉积法沉积石墨烯，得到铜基底/石墨烯材料；腐蚀所述铜基底/石墨烯材料中的铜基底，得到多级结构石墨烯，多级结构石墨烯不会发生卷曲、堆叠现象、且导电性能优异。
一种多级结构石墨制备方法

[发明专利]铜基石墨烯复合材料的制备方法和铜基石墨烯复合材料-CN201810078142.8在审
发明人：章潇慧;熊定邦;曹沐;陈朝中;张丽娇;张荻 -专利权人：中车工业研究院有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本申请提供的铜基石墨烯复合材料的制备方法，包括：采用电化学抛光工艺对原始板状铜基底进行预处理，得到预处理后的铜基底，其中，上述原始板状铜基底的厚度为5μm～25μm；采用化学气相沉积工艺在预处理后的铜基底的上下表面生长石墨烯，得到石墨烯包覆铜基底；对至少一片石墨烯包覆铜基底进行热压烧结处理，得到铜基石墨烯复合材料，上述铜基石墨烯复合材料为由石墨烯和铜基底交替复合形成的层状复合材料，铜基底在所述铜基石墨烯复合材料的厚度方向上呈单晶态本申请提供的铜基石墨烯复合材料的制备方法，可制备出电导率较高的铜基石墨烯复合材料。
铜基石墨烯复合材料石墨烯预处理制备板状包覆电化学抛光工艺层状复合材料化学气相沉积电导率交替复合热压烧结上下表面择优取向单晶态晶面申请生长

[发明专利]一种铜基底超疏水表面的制备方法-CN201510836728.2在审
发明人：李杰;刘玉德;石文天;高东明 -专利权人：北京工商大学
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： C23C22/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜基底超疏水表面的制备方法，属于材料表面加工技术领域。该铜基底超疏水表面的制备方法包括：在铜基底表面构建微米级粗糙结构，得到第一表面；对第一表面进行羟基化处理，得到第二表面；将铜基底置于有机溶液中，使第二表面发生缩合反应，得到第三表面；去除第三表面残留的有机溶液，得到铜基底超疏水表面。本发明通过在铜基底表面构建微米级粗糙结构，改变铜基底表面的微观结构，通过对第一表面进行羟基化处理并使所得第二表面发生缩合反应，降低铜基底的表面自由能，从而使得铜基底具有超疏水表面，具有防污自清洁、防水防潮
一种基底疏水表面制备方法

[发明专利]铜基底基板-CN202180025042.9在审
发明人：石川史朗;原慎太郎 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明的铜基底基板为依次层叠有铜基板、绝缘层及电路层的铜基底基板，所述绝缘层的厚度(单位：μm)与所述绝缘层在100℃时的弹性模量(单位：GPa)之比为50以上，所述电路层在100℃时的弹性模量为100GPa
基底

[实用新型]一种带防渗透圈的回流装置-CN201820961665.2有效
发明人：王中健;肖兵;梁欢;黄肖艳 -专利权人：季优科技（上海）有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带防渗透圈的回流装置，所述回流装置使用在微电子封装过程中，所述回流装置包括铜基底和锡银镀块，所述锡银镀块设置在所述铜基底上方，所述铜基底设置在微电子电路表面的电路铜上，所述铜基底呈圆柱状，所述铜基底圆柱外表面上设有非金属防润湿圈。本实用新型通过设置非金属防润湿圈，降低锡银通过铜基底周边浸润到并穿透电路铜。从而解决了现有技术中高温回流时锡银凸块沿着侧壁向下的方向渗透到铝底层的问题。
铜基回流装置锡银润湿本实用新型防渗透电路微电子电路微电子封装锡银凸块铝底层圆柱状中高温侧壁穿透浸润

[发明专利]可提高金垫识别度的封装方法及半导体封装结构-CN202010711785.9在审
发明人：王荣荣;刘翔;周祖源;吴政达 -专利权人：盛合晶微半导体（江阴）有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：封装方法包括步骤：1)提供衬底，于衬底表面形成金属种子层；2)于金属种子层表面的预定位置经电镀形成基底铜层，基底铜层部分覆盖金属种子层；3)形成光刻胶层，光刻胶层覆盖基底铜层和未被基底铜层覆盖的金属种子层，对光刻胶层进行曝光显影以在对应基底铜层的表面形成开口，开口暴露出部分基底铜层；4)形成铜垫层，位于基底铜层的上表面；5)于铜垫层表面依次经电镀形成镍垫层和金垫层；6)进行光刻胶剥离工艺以去除步骤5)得到的结构表面残留的光刻胶层；7)去除未被基底铜层覆盖的金属种子层。
提高识别封装方法半导体结构

[实用新型]一种柔性基底镀铜膜结构-CN201520069127.9有效
发明人：谈琦 -专利权人：四川亚力超膜科技有限公司
申请日： 2015-01-30 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： B32B15/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种柔性基底镀铜膜结构，包括柔性基底、铜膜以及柔性基底与铜膜之间的过渡层，所述过渡层为蒙乃尔合金或镍铬合金；所述蒙乃尔合金包括30％Cu和65％Ni，镍铬合金包括80％Ni和20％Cr；柔性基底为聚酯薄膜或聚酰亚胺薄膜；所述过渡层厚度为5-15nm。本实用新型提供的柔性基底镀铜膜结构在柔性基底和铜膜之间增加过渡层，能够有效提高柔性基底与铜膜之间的结合力，使铜膜不易脱落。
一种柔性基底镀铜膜结构

[发明专利]铜基底氧化锌复合材料及其制备方法和应用-CN201910173590.0在审
发明人：朱荣娇;王占强;邹胡希智;冯霞;朱英月;梁雪蕊 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： B01J23/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜基底氧化锌复合材料及其制备方法和应用，所述铜基底氧化锌复合材料由铜基底和附着在铜基底上的花簇状氧化锌棒构成；所述复合材料通过以下方法制备：步骤1，按照摩尔比(1‑2)：(0.2‑0.4)：(0.2‑0.4)取十六胺、葡萄糖、氯化铜均匀分散于去离子水中，然后于100‑140℃下保温10‑16h，过滤干燥得到基底铜；步骤2，将所述基体铜中加入硝酸锌、六亚甲基四胺和去离子水，其中硝酸锌、六亚甲基四胺与步骤1中氯化铜的摩尔比为(0.2‑0.4)：(1‑1.5)：(1‑1.5)，于90‑100℃下搅拌2‑6h，过滤干燥得到铜基底氧化锌复合材料。所述铜基底氧化锌复合材料、铜基底氧化锌复合银材料都具有良好的光催化技术对水体中污染物的有效去除的应用。
铜基氧化锌复合材料制备方法和应用六亚甲基四胺过滤干燥氯化铜摩尔比硝酸锌氧化锌葡萄糖去离子水复合材料复合银光催化花簇状基底铜基体铜十六胺附着去除水中制备保温离子水体污染物应用

[发明专利]一种铜纳米棒阵列支撑银纳米颗粒的铜银电极及其制备方法和应用-CN202010067377.4在审
发明人：张运卓;谭文虎;黄新堂;李馨;程悦;张宇晨 -专利权人：华中师范大学
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜纳米棒阵列支撑银纳米颗粒的铜银电极及其制备方法和应用。该铜纳米棒阵列支撑银纳米颗粒的铜银电极包括铜基底、布设在铜基底上的铜纳米棒阵列和负载在铜纳米棒上的银纳米颗粒。其制备为：1)以铜基底为工作电极，恒电流进行电化学处理，铜基底上直接生长氢氧化铜纳米棒阵列；2)以得到的生长氢氧化铜纳米棒阵列的铜基底为工作电极，恒电流进行电化学处理，氢氧化铜纳米棒阵列转变为铜纳米棒阵列；3)将得到的生长有铜纳米棒阵列的铜基底浸入银氨络合物溶液中反应，即得铜纳米棒阵列支撑银纳米颗粒的铜银电极。所得铜银电极面积比容量高，银材料利用率高，合成过程易于控制，环境友好，节约能源，用于电池电化学性能优异。
一种纳米阵列支撑颗粒电极及其制备方法应用

[实用新型]可提高金垫识别度的半导体封装结构-CN202021461161.8有效
发明人：王荣荣;刘翔;周祖源;吴政达 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：所述半导体封装结构自下而上包括衬底、金属种子层、基底铜层、铜垫层、镍垫层及金垫层，其中，所述铜垫层的表面粗糙度大于所述基底铜层的表面粗糙度，所述金垫层的表面积小于所述基底铜层的表面积且不大于所述铜垫层的表面积本申请的半导体封装结构在基底铜表面依次形成有铜垫层、镍垫层和金垫层，由于铜垫层的表面粗糙度大于基底铜层的表面粗糙度，因而在铜垫层的周向显示为较深的颜色；且由于增加了铜垫层，金垫层和基底铜的高度差进一步增大
提高识别半导体封装结构

[发明专利]铜表面处理用置换镍镀浴、使用该镀浴的铜部件的制造方法以及该铜部件-CN201610357436.5在审
发明人：田中薰;山上芳一 -专利权人：石原化学株式会社;日涂表面处理化工有限公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： C23C18/32 文献下载
摘要：本发明提供一种铜表面处理用置换镍镀浴，是在上述铜部件中，用于使铜基底表面上析出并形成提高铜基底与树脂材料间密合性的镍皮膜的镍镀浴，其中含有络合剂而不含还原剂，或者进而还含有特定亲水性高分子化合物、硅烷偶联剂如果将铜基底与绝缘用树脂材料隔着由该置换镀浴形成的置换镍皮膜进行层压，则可显著提高铜基底与树脂材料的密合性。从而提高多层线路板、引线架等铜部件中铜基底与绝缘用树脂的密合性。
表面处理置换镍镀浴使用部件制造方法以及

[发明专利]一种基于石墨烯薄膜的应变检测传感器及其制备方法-CN201910147207.4有效
发明人：赵沛;梅乐;郑浩然;任钱诚;包高峰;邹振兴;刘嘉斌;王宏涛 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：基于石墨烯薄膜的应变检测传感器的制备方法包括：在铜基底上生长石墨烯单层膜；将粘结剂涂覆于石墨烯单层膜表面，得到铜基底‑石墨烯单层膜‑粘结膜；将铜基底‑石墨烯单层膜‑粘结膜中的铜基底腐蚀，得到石墨烯单层膜‑粘结膜；用另一片铜基底‑石墨烯单层膜、将石墨烯单层膜‑粘结膜捞起，得到铜基底‑双层石墨烯薄膜‑粘结膜；最后将铜基底‑双层石墨烯薄膜‑粘结膜中的铜基底完全腐蚀，得到双层石墨烯薄膜‑粘结膜。
一种基于石墨薄膜应变检测传感器及其制备方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN200710305919.1有效
发明人：张惠林;卢永诚;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括提供具有铜区和非铜区的基底，将基底蚀刻除去来自铜区的任何铜氧化物，然后选择性地形成介电盖层在基底的铜区上方，使得基底的非铜区上方很少或无介电盖层形成。因此，本发明提出的半导体元件的制造方法可降低铜原子在经过一段时间或在半导体结构操作的期间从金属内连线迁移并造成元件失效的机率。
半导体元件制造方法

[发明专利]铜互连层的制造方法-CN201110457446.3无效
发明人：张海洋;周俊卿;王冬江 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种铜互连层的制造方法，包括提供基底，所述基底上形成有铜互连通槽；在所述铜互连通槽内以及所述基底上形成铜互连层；在所述铜互连层上形成应力层；进行热退火工艺，以对所述铜互连层进行修复；去除所述应力层及所述基底上的铜互连层本发明所述铜互连层的制造方法通过在覆盖铜互连层之后覆盖应力层，并进行热退火工艺，使应力层产生压应力，作用于铜互连层上，对铜互连层在覆盖过程中产生的凸起、孔洞等异常缺陷进行修复，从而提高铜互连层的电连特性
互连制造方法

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