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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基底处理设备-CN202210991671.3在审
发明人：李雨林;姜姓佶;金旼亨;金寅成;朴硕永;安常秦;郑印惠;崔圭植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：公开了一种基底处理设备。所述基底处理设备包括：第一组内表面至第四组内表面，分别至少部分地限定等离子体形成区域、气体供应区域、气体混合区域和基底处理区域，其中，基底处理设备被构造为在等离子体形成区域内形成等离子体，将处理气体从气体供应区域供应到等离子体形成区域，基于从等离子体形成区域供应的自由基的重组而在气体混合区域中形成蚀刻剂，并且基于基底处理区域内的蚀刻剂来处理基底；喷头，位于气体混合区域与基底处理区域之间，并且被构造为将蚀刻剂供应到基底处理区域；涂层，
基底处理设备

[发明专利]基底处理设备-CN201711267739.9在审
发明人：辻直人;村主拓也;池户洋三 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：基底处理设备包括：下电极；上电极；第一交流电源，其连接至所述上电极，并且以第一频率供给交流电力；第二交流电源，其连接至所述上电极，并且以低于所述第一频率的第二频率供给交流电力；内电极，其设置在所述下电极中
交流电力滤波电路内电极电极基底处理设备交流电源低阻抗下电极直流电源

[发明专利]基底处理设备-CN201911155349.1在审
发明人：林熙成;金永权 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：提供了一种基底处理设备。所述基底处理设备可以包括：台，具有由彼此交叉的第一方向和第二方向限定的平面；销，布置在限定于台中的开口中并沿着与所述平面交叉的第三方向延伸；以及衬套部，位于台的下方。
基底处理设备

[发明专利]基底处理设备-CN202111430290.X在审
发明人：陈家富 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本公开提供一种基底处理设备，包含一控制器以及至少一输入/输出腔室。该至少一输入/输出腔室包括一装载锁定装置，其具有一基座、一导轨、一平台以及一光学测量模块，其中该导轨连接到该基座。
基底处理设备

[发明专利]基底处理设备-CN202210977734.X在审
发明人： V.W.曾;C.W.苏 -专利权人：博鲁可斯自动化美国有限责任公司
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B25J9/04 文献下载
摘要：一种基底处理设备，包括：框架(106)；具有末端执行器(110E)并且构造成沿第一轴线延伸和缩回的第一SCARA式臂(110)；具有末端执行器(120E)并且构造成沿第二轴线延伸和缩回的第二SCARA式臂
基底处理设备

[发明专利]基底处理设备-CN202211011661.5在审
发明人：许硕;高次元;金贤友;洪尚俊;姜景元;金东昱;徐璟源;张永日;崔容锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种基底处理设备，所述基底处理设备包括：光致抗蚀剂涂覆器，在基底上敷设光致抗蚀剂膜；加湿器，增大基底上的光致抗蚀剂膜暴露到的环境中的湿气的量；以及曝光器，用光照射暴露于具有增大的量的湿气的环境中的光致抗蚀剂膜
基底处理设备

[发明专利]基底处理设备-CN201010168158.1有效
发明人：高桥圭瑞;白樫充彦;伊藤贤也;井上和之;山口健二;関正也 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2006-04-18 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种基底抛光方法，包括：在抛光单元中抛光基底边缘部分；以及在所述抛光前和/或所述抛光后，在测量单元中测量基底边缘部分，其中，测量单元的传感器机构逐步地以微小的距离向基底的中心移动，以测量基底边缘部分上多点的厚度(An)和从参考点(XO)到基底外圆周表面的距离(Xn)，从而获得基底边缘部分的径向厚度分布。
基底处理设备

[发明专利]基底处理设备-CN200710107773.X有效
发明人：全尚珍;郑进旭;李根硕;史昇烨;赵炯喆 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-04-29 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明公开一种基底处理设备，该基底处理设备包括：真空室，具有用于产生等离子体的反应空间，目标基底位于该真空室中；低频天线单元，位于反应空间外，用于在反应空间中产生等离子体；低频电源供应件，将低频电源施加给低频天线单元所述设备通过高频天线单元使反应气体的点燃有效地执行，并通过低频天线单元提高等离子体和低频天线单元之间的感应耦合的效率，从而提高等离子体产生效率。
基底处理设备

[发明专利]基底处理设备-CN201780055988.3有效
发明人： V.W.曾;C.W.苏 -专利权人：博鲁可斯自动化美国有限责任公司
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： B25J9/04 文献下载
摘要：一种基底处理设备，包括：框架(106)；具有末端执行器(110E)并且构造成沿第一轴线延伸和缩回的第一SCARA式臂(110)；具有末端执行器(120E)并且构造成沿第二轴线延伸和缩回的第二SCARA式臂
基底处理设备

[发明专利]基底处理设备-CN200680000420.3有效
发明人：高桥圭瑞;白樫充彦;伊藤贤也;井上和之;山口健二;関正也 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2006-04-18 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种基底处理设备，包括用于抛光基底边缘部分的第一和第二抛光单元(70A，70B)，用于清洁基底(W)的第一级清洁单元(100)，用于干燥已经在第一级清洁单元(100)中清洁的基底(W)的第二级清洁和干燥单元(110)，和用于测量基底(W)边缘部分的测量单元(30)。
基底处理设备

[发明专利]基底处理-CN201980013170.4有效
发明人： A·拉赫马特赫拉;A·J·达拉斯;S·K·桑塔格;B·G·豪瑟;D·B·莫拉维茨;V·K·卡普尔;M·P·格尔兹;D·L·图玛;W·E·达曼;M·J·克罗宁;M·J·马德森;S·S·拉贾瑞亚;C·S·克莱斯特;J·M·布洛克 -专利权人：唐纳森公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： B01D39/16 文献下载
摘要：本技术涉及基底处理、经处理的基底和过滤器。经处理的基底可以具有经处理的表面，其限定未经处理的表面区域之间的图案和/或梯度。当所述表面浸入甲苯中时，对于50μL水滴，经处理的表面区域可具有比未经处理的表面区域更高的滚落角。可以通过例如将基底表面和/或纤维暴露于紫外线(UV)辐射来处理基底。UV辐射可以以不同的强度施加到表面上，这可以产生处理梯度。
基底处理

[发明专利]基底对准设备和基底处理设备-CN200910159687.2无效
发明人：长谷川雅己;金子一秋 -专利权人：佳能安内华股份有限公司
申请日： 2009-07-31 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将基底与参考点对准的基底对准设备，该基底对准设备包括：多个柱，其构造成绕与其相应的轴向方向平行的旋转轴线旋转；驱动机构，其构造成将多个柱沿相同方向同步地旋转通过相同的角度；检测器，其构造成检测基底从参考点偏离的位置偏差的量；以及支撑销，其位于多个柱的上表面上且同时与多个柱的相应的旋转轴线间隔开，并且构造成支撑基底，其中基于由检测器检测到的位置偏差的量，通过由驱动机构使多个柱沿相同方向同步地旋转通过相同的角度，而使基底对准
基底对准设备处理

[发明专利]圆筒型溅射靶的制造方法-CN202080014649.2在审
发明人：冈野晋;大友健志 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明包括：基底处理工序，在圆筒型靶材的内周面和圆筒型衬管的外周面中的至少任一个部件上涂布基底处理接合材料来形成0.1mm以上且0.8mm以下的第一基底处理层；及接合工序，在基底处理工序之后，将圆筒型衬管插入到圆筒型靶材内，并将熔融状态的填充用接合材料填充于该圆筒型靶材与圆筒型衬管之间的间隙，在基底处理工序中，在第一基底处理层的至少表面上留下划伤，在接合工序中，在加热至第一基底处理层的至少表面成为半熔融状态之后，填充填充用接合材料
圆筒溅射制造方法

[发明专利]基底处理设备、信号源装置以及处理材料层的方法-CN201910524933.3在审
发明人：姜姓佶;朴珉燮;金锟埈;白在职;申载振;郑印惠 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了基底处理设备、信号源装置、处理材料层的方法。所述基底处理设备包括：处理腔室；基座，设置在处理腔室中，其中，基座被构造成支撑基底；第一等离子体产生器，设置在处理腔室的一侧上；以及第二等离子体产生器，设置在处理腔室的另一侧上，其中，第二等离子体产生器被构造成通过同时向基座供应正弦波信号和非正弦波信号来产生等离子体通过使用根据发明构思的基底处理设备、信号源装置以及处理材料层的方法，可针对晶体材料层来获得光滑的蚀刻表面而没有通过RDC的器件损坏的风险。
处理腔室等离子体产生器基底处理设备信号源装置处理材料等离子体晶体材料层正弦波信号发明构思非正弦波器件损坏蚀刻表面支撑基光滑

[发明专利]圆筒型溅射靶的制造方法-CN201980071856.9在审
发明人：冈野晋;大友健志 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的圆筒型溅射靶的制造方法具有：基底处理工序，将基底处理接合材料涂布于靶材的内周面和衬管的外周面中的至少任一个上来形成基底处理层；及接合工序，在基底处理工序之后，将衬管插入到靶材内，并且将填充用接合材料填充于所述靶材与衬管之间的间隙，在所述接合工序中，在靶材或衬管中的任一个或两个上沿着圆周方向设置能够配置成在间隙内沿径向突出的刮板，并且对基底处理层进行加热而使其表面成为至少半熔融状态，并利用刮板刮去形成于基底处理层的表面上的氧化膜
圆筒溅射制造方法

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