专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]单晶材料生产的新-CN03247213.7无效
  • 陈欣阳 - 陈欣阳
  • 2003-06-13 - 2004-08-25 - F27B14/00
  • 本实用新型单晶材料生产的新单晶材料的生产设备,适合生产普通金属(铜、铝…)的单晶材料用单晶材料生产的新采用联体和连通器技术的结构。本实用新型单晶材料生产的新由熔炉、保温组成,其特征是有联体,联体包含有熔炉(3)和保温(2),熔炉和保温之间用中间隔层(2)分开,中间隔层下部靠近底处有连通孔(6)相通。
  • 材料生产新炉型
  • [实用新型]一种移动式高频感应单晶-CN202121283255.5有效
  • 孙世刚;李学洋 - 蔻晶(上海)科技有限公司
  • 2021-06-09 - 2022-03-04 - C30B15/00
  • 本实用新型涉及一种移动式高频感应单晶,包括单晶本体,所述单晶本体顶部中心处固定连接有单晶副室,所述单晶本体前侧设有观察框,所述单晶本体外围固定连接有支架,所述支架底部固定连接有底板,所述底板底部固定连接有托板,所述托板底部固定连接有阻尼减震座,所述阻尼减震座呈矩形排列分布,所述阻尼减震座底部固定连接有U缓冲槽,所述托板两侧与U缓冲槽内壁滑动连接,所述U缓冲槽外壁固定连接有牵引环,本实用新型结构新颖,设计合理,便于对单晶本体进行稳定移动,通过设置密封套与套筒可避免坩埚拖杆在升降过程中泄漏单晶本体内部的热能,提高了坩埚本体的温度稳定性,便于对单晶硅进行顺利生产。
  • 一种移动式高频感应单晶炉
  • [发明专利]单晶热交换设备及其应用方法-CN202210462840.4在审
  • 陈养俊 - 晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
  • 2022-04-28 - 2022-07-05 - C30B15/00
  • 本申请公开了一种单晶热交换设备及其应用方法,涉及单晶冷却技术领域,包括:冷却水管、冷却气管、箱体和水箱,水箱用于与循环水排连通;冷却水管包括至少一个U水管,用于循环水流通,U水管的进水端与水箱连通,出水端与循环水排连通;在第一状态下,至少部分U水管位于箱体外部用于插入与热交换设备连接的单晶的进料口中;在第二状态下,U水管位于箱体中;冷却气管中的进气管用于插入单晶的第一预留口,出气管用于连接与单晶的主路管道采用水冷和气冷相结合的方式对单晶的腔体进行冷却,有效降低了单晶的停冷却时间,有利于提高单晶的单位时间产能。
  • 单晶炉热交换设备及其应用方法
  • [实用新型]一种单晶水冷屏对中校准仪-CN202221917232.X有效
  • 梁旭松;杨刚;胡楚汉;李宝飞;黄建超;周洪富;马自成 - 四川永祥光伏科技有限公司
  • 2022-07-25 - 2022-11-22 - G01B11/26
  • 本实用新型提供一种单晶水冷屏对中校准仪,包括L手持架、激光测距仪及对心件,L手持架的横臂沿其长度方向开设有贯通的放置槽,激光测距仪固定安装于放置槽内、其激光束朝L手持架的横臂外端发射,对心件连接于L手持架的竖臂顶端;对心件可与单晶盖法兰的端面、外圆面贴合,用于找出单晶盖的圆心以使激光测距仪的激光束与单晶盖的直径重合并射向水冷屏直筒段的外圆面。通过对心件实现激光测距仪的激光束与单晶盖的直径重合,并以无接触的方式准确测量出水冷屏中心与盖中心的偏差情况,从而对水冷屏进行居中调节,操作简单便捷,提高了水冷屏对中的调节效率,有效避免了测量时对水冷屏表面的污染
  • 一种单晶炉水冷校准
  • [发明专利]氮掺杂P单晶硅制造方法-CN202111153124.X在审
  • 徐鹏;兰洵 - 西安奕斯伟材料科技有限公司
  • 2021-09-29 - 2022-01-04 - C30B15/04
  • 本发明实施例公开了一种氮掺杂P单晶硅制造方法,包括:将高掺杂氮单晶与多晶硅投入坩埚并加热拉晶,得到第一硅熔体;向所述第一硅熔体加入高掺杂硼单晶,得到第二硅熔体;在所述第二硅熔体中以直拉法拉制氮掺杂P单晶硅。根据本发明的氮掺杂P单晶硅制造方法,使得氮和硼在较低的室温度下完全融入硅熔体,解决了室温度高,加热时间久的技术问题。同时,改变高掺杂硼单晶和高掺杂氮单晶的熔融顺序,以抑制氮化硼(BN)的形成导致拉晶失败的情况发生。
  • 掺杂单晶硅制造方法

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