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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]改善镀锌均匀性的装置-CN202211471006.8在审
发明人：施红燕;黄柯峰;韩峰 -专利权人：浙江杭海镀锌钢管有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C25D17/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善镀锌均匀性的装置，包括绝缘支撑架，绝缘支撑架上安设有阳极装置和阴极装置，镀件转动连接在阴极装置上，镀件转动轨迹偏离转动轴线，使得镀件在转动过程对电镀液产生扰动并产生振动，以混匀电镀液
改善镀锌均匀装置

[发明专利]改善关键尺寸均匀性的方法-CN201410222757.5在审
发明人：孙超;李斌生;张英男;丁超;钟鑫生 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种改善关键尺寸均匀性的方法，至少包括以下步骤：S1：提供一表面形成有光阻层的晶圆，进行曝光及显影以在所述光阻层中形成若干开口；S2：对所述晶圆进行电浆预处理以去除所述开口底部残留的光阻；S3/O₂电浆处理，并调节Ar与O₂的流量比例，使得晶圆边缘部位的光阻刻蚀速率大于晶圆中间部位的光阻刻蚀速率，从而调节晶圆边缘部位及晶圆中间部位的光阻开口尺寸，改善刻蚀后通孔关键尺寸的均匀性
改善关键尺寸均匀方法

[发明专利]改善外延生长均匀性的方法-CN201810486153.X有效
发明人：叶康;王昌锋 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-05-21 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善外延生长均匀性的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、设计外延生长层次冗余图形，冗余图形为根据器件设计图形得到的类似器件图形；步骤二、设置版图上各区域内生长的外延层的面积密度的目标值本发明能改善外延生长面积的均匀性，从而优化外延层的均匀性。
改善外延生长均匀方法

[发明专利]改善蚀刻率均匀性的技术-CN200810085234.5有效
发明人： J·E·道赫尔蒂;N·本亚明;J·波加特;V·瓦赫蒂;D·科珀博格;A·米勒;Y·亚马古赤 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2000-06-29 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明有利于改善整个衬底(晶片)的蚀刻率均匀性。由本发明提供的蚀刻率均匀性的改善不仅提高了制造产额，而且成本效率高，并且不要冒粒子和/或重金属沾污的风险。
改善蚀刻均匀技术

[发明专利]改善电浆均匀性的方法-CN201110263495.3无效
发明人：李炳寰;杨主见;林庆文;庄峻铭;叶昌鑫;黄俊凯 -专利权人：亚树科技股份有限公司
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明揭示一种改善电浆均匀性的方法，其包含下列步骤：(a)提供一电浆产生装置；(b)在电浆产生装置的电极板的边缘区域提供一金属表面处理层，用以改变其表面粗糙度以调整一射频电流分布；及(c)通入射频电流于电极板藉此，电浆产生装置可以产生均匀的电浆分布。
改善均匀方法

[实用新型]改善纱线排布均匀性的装置-CN201320517759.8有效
发明人：朱晓伟;顾桂江;王海兴;赵刚 -专利权人：巨石集团有限公司
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： D02J1/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改善纱线排布均匀性的装置，包括机架和设置在机架上的引纱装置，还包括依次设置在引纱装置后端的所述机架上的第一集束装置、第二集束装置以及对第二集束装置上的纱线进行集合的集合导纱眼，所述的第一集束装置上设置有若干个第一导纱眼单元本实用新型纱线穿过集束装置时应一一对应，防止错位，改善了纱线截面的均匀性。
改善纱线排布均匀装置

[实用新型]薄膜厚度均匀性的改善装置-CN201920716590.6有效
发明人：袁益凯;吴俊英;徐斌;袁建;章峻;庄志磊;周燕;刘云辉 -专利权人：江苏名阳高分子新材料有限公司
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： B29C43/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种薄膜厚度均匀性的改善装置。本实用新型一种薄膜厚度均匀性的改善装置，采用多个气嘴针对主辊的最低点(高温)吹气，使得主辊的最高点和最低点温度一致，从而使得薄膜的热膨胀系数一致，保证了压延后的薄膜厚度均匀。
薄膜厚度均匀改善装置

[实用新型]改善投影显示颜色均匀性装置-CN200420037024.6无效
发明人：陈颖;李海峰;刘旭 -专利权人：浙江大学;杭州三花科特光电有限公司
申请日： 2004-06-22 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H04N9/64 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改善投影显示颜色均匀性装置。它依次连接有高精度CCD、计算机、视频信号图形产生器、投影机、投影屏幕，计算机与投影机相接。投影机：它依次连接有视频预处理电路、色均匀校正寄存器、驱动电路、显示屏幕、镜头。本实用新型利用二维面阵CCD可以实现对投影机输出的二维亮度分布的快速测量；通过小幅度改变视频信号的亮度值，有效的改善投影显示系统颜色的不均匀分布。
改善投影显示颜色均匀装置

[发明专利]改善薄膜均匀性的装置及方法-CN201410110057.7在审
发明人：周晓强 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善薄膜均匀性的装置及方法，包括：反应腔室，位于所述反应腔室中的多个气体喷嘴，所述气体喷嘴的一端连接于所述反应腔室，另一端在所述反应腔室中的方向可以自由调节。通过调节不同的气体喷嘴的方向，来有效的控制反应气体的流向，改善成膜工艺中薄膜的均匀性，特别是对局部薄膜厚度偏高或偏低的现象，可以达到很好的改善效果；并且该方法只需要改善气体喷嘴与反应腔室的连接部分，可以广泛使用于半导体制造技术中含有气体喷嘴的化学气相沉积工艺
改善薄膜均匀装置方法

[发明专利]改善PCB电镀铜均匀性的方法-CN202010119028.2在审
发明人：崔正丹;胡泽洪;郑小红 -专利权人：广东兴达鸿业电子有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C25D17/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善PCB电镀铜均匀性的方法，包括以下步骤：将设有多个镂孔的阳极挡板置于电镀设备的阳极与阴极之间，对PCB进行图形电镀，以使PCB的图形上形成铜层；测量所述铜层的整体厚度；根据铜层的整体厚度情况，在阳极挡板对应铜层偏厚区域的区域上进行选择性堵塞镂孔。上述改善PCB电镀铜均匀性的方法，在阳极挡板对应铜层偏厚区域的区域上进行选择性堵塞镂孔，阻挡电力线从被堵塞的镂孔穿过，则电力线分布发生变化，以使电力线均匀分布在PCB的图形上，有效改善PCB电镀铜厚的均匀性，进而提升PCB阻抗的精度，且操作简单，成本低，可适用于垂直连续电镀设备、龙门电镀设备，通用性强；适用于不同图形的PCB，应用灵活。
改善 pcb 镀铜均匀方法

[发明专利]改善光阻显影均匀性的方法-CN202010166105.X在审
发明人：汪磊 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种改善光阻显影均匀性的方法。所述改善光阻显影均匀性的方法包括如下步骤：提供一基底，所述基底表面涂覆有光阻层，所述光阻层包括第一区域以及环绕所述第一区域外周分布的第二区域；传输显影液至所述第二区域，对位于所述第二区域的所述光阻层进行显影本发明避免了显影液自中心流向边缘的过程中由于显影能力降低导致的边缘显影不彻底的问题，确保了所述光阻层整体显影的均匀性，避免了边缘区域的光阻层残留，确保了后续制程的顺利进行，改善了半导体结构的性能。
改善显影均匀方法

[发明专利]改善金属硅化物均匀性的方法-CN202310172491.7在审
发明人：黄然 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种改善金属硅化物均匀性的方法，提供衬底，衬底上形成有栅极层以及位于栅极层侧壁上的第一侧墙以及位于第一侧墙上的第二侧墙，对衬底进行源漏区的离子注入；其中，第二侧墙由自内而外的第一、二叠层组成；本发明扩大了栅极间距，可显著缩小填充深宽比，从而提升栅极间距较小设计结构的金属溅射薄膜的厚度均匀性，实现接触电阻的面内均匀性改善目标，提升了后续通孔工艺窗口，使产品工艺稳定性及良率得到改善。
改善金属硅均匀方法

[发明专利]改善栅极特征线宽均匀性的方法-CN200910046889.6有效
发明人：张海洋;王新鹏;孙武 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善栅极特征线宽均匀性的方法，对栅极上的光阻胶曝光显影之后，对所述光阻胶进行后烘，所述后烘的温度在100摄氏度至110摄氏度之间。采用该方法大大提高了栅极特征线宽均匀性。
改善栅极特征均匀方法

[发明专利]改善TSV金属填充均匀性的方法-CN201410133667.9有效
发明人：杨素素;张文奇 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种工艺方法，尤其是一种改善TSV金属填充均匀性的方法，属于半导体TSV工艺的技术领域。按照本发明提供的技术方案，一种改善TSV金属填充均匀性的方法，首先通过分步沉积，获得TSV整体的覆盖率；而后通过再分布方法，改善局部的覆盖均匀性。本发明工艺步骤简单，能改善高深宽比TSV侧壁金属填充的均匀性，安全可靠。
改善 tsv 金属填充均匀方法

[发明专利]改善背光均匀性的方法和设备-CN201210004736.7有效
发明人：詹姆斯·鲁滨逊;马克·德拉德;迈克尓·珀迪 -专利权人：捷讯研究有限公司
申请日： 2005-09-14 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： F21V8/00 文献下载
摘要：一种由照明的光导的光输出图案建立热点滤波器的方法。热点滤波器可以是专门用于衰减来自光导的亮点的薄膜、层或附加的液晶显示。热点滤波器可以合并在图像显示器中，由调整个别像素的灰度级提供足够的补偿。
改善背光均匀方法设备

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