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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]多间隔图案化方案-CN202080021414.6在审
发明人：杨兹顺;程睿;卡希克·贾纳基拉曼;黄祖滨;迪瓦卡尔·N·科德拉雅;米纳基·古普塔;斯里尼瓦斯·古吉拉;林永振;押尾英隆;李超;李吉恩 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本公开内容提供了利用具有良好轮廓控制和特征转移完整性的多重图案化处理来形成纳米结构。在一个实施方式中，一种用于在基板上形成特征的方法包括：在基板上形成心轴层；在心轴层上共形地形成间隔层，其中间隔层是掺杂的硅材料；和图案化间隔层。在另一实施方式中，一种用于在基板上形成特征的方法包括：在基板上的心轴层上共形地形成间隔层，其中间隔层是掺杂的硅材料；使用第一气体混合物选择性地移除间隔层的一部分；和使用不同于第一气体混合物的第二气体混合物选择性地移除心轴层
间隔图案方案

[发明专利]栅极间隔物图案化-CN202110776883.5在审
发明人：曾文德;P·莫林;A·P·彼得 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请涉及栅极间隔物图案化，具体地，涉及一种用于在形成FinFET结构时保护栅极间隔物的方法(100)，所述方法包括：提供(110)鳍片(1)，其具有至少一个与鳍片(1)交叉的伪栅极(2)，其中栅极硬掩模(3)存在于伪栅极(2)的顶部；提供(120)栅极间隔物(4)以使得其覆盖伪栅极(2)和栅极硬掩模(3)；凹陷(140)栅极间隔物(4)以使得至少部分栅极硬掩模(3)被暴露出来；通过区域选择性沉积，在暴露的部分栅极硬掩模
栅极间隔图案

[发明专利]形成间隔物图案掩模的方法-CN201310183224.6有效
发明人：王新鹏;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了形成间隔物图案掩模的方法，包括提供衬底并依次沉积界面层、芯膜和第一硬掩模；对芯膜和第一硬掩模进行图案化以形成中间图案；沉积间隔物图案掩模，以覆盖中间图案中的芯膜和第一硬掩模；以中间图案中的第一硬掩模为停止层对间隔物图案掩模进行平坦化；对平坦化后的间隔物图案掩模进行回刻蚀；沉积第二硬掩模；对第二硬掩模进行干法刻蚀，以露出回刻蚀后的间隔物图案掩模；对露出的间隔物图案掩模进行干法刻蚀，以形成间隔物图案；依次去除剩下的第一硬掩模和第二硬掩模和芯膜，得到最终的间隔物图案掩模。
形成间隔图案方法

[发明专利]自对齐双间隔件图案化工艺-CN201410738380.9在审
发明人：蔡政勋;吴永旭;黄琮闵;李忠儒;包天一;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-05 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明的实施例为形成半导体器件的方法和图案化半导体器件的方法。一个实施例为形成半导体器件的方法，该方法包括在半导体器件层上方形成第一硬掩模层，第一硬掩模层包括含金属材料，在第一硬掩模层上方形成第二硬掩模层，以及在第二硬掩模层上方形成第一组含金属间隔件。该方法进一步包括使用第一组含金属间隔件作为掩模来图案化第二硬掩模层，在图案化后的第二硬掩模层的侧壁上形成第二组含金属间隔件，以及采用第二组含金属间隔件作为掩模来图案化第一硬掩模层。本发明还提供自对齐双间隔件图案化工艺。
对齐间隔图案化工

[发明专利]用于形成阵列双图案的间隔物-CN200980153701.6有效
发明人： S·M·列扎·萨贾迪;阿米特·杰恩 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2009-12-22 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供了一种用于形成具有外周边缘区域的阵列区域的方法，其中衬底配置为处于刻蚀层之下，所述刻蚀层配置为处于限定所述阵列区域和覆盖整个所述边缘区域的有图案的有机掩膜之下。修整所述图案化的有机掩膜。在所述图案化的有机掩膜上淀积无机层，其中，所述有机掩膜的所述被覆盖的边缘区域上的所述无机层的厚度大于所述有机掩膜的所述阵列区域上的所述无机层的厚度。向下刻蚀所述无机层以暴露所述有机掩膜且在所述阵列区域形成无机间隔物，同时保留所述有机掩膜在边缘区域不暴露。剥除暴露于所述阵列区域的所述有机掩膜，同时保留所述无机间隔物处于所处位置且保护在所述边缘区域的所述有机掩膜。
用于形成阵列图案间隔

[发明专利]使用间隔物和自对准辅助图案的多重图案化光刻-CN201110186703.4无效
发明人：李小阳;D·-F·S·苏 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-06-28 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了使用间隔物和自对准辅助图案的多重图案化光刻。本发明涉及光刻设备和工艺，更具体地，涉及用于印刷超越光刻设备的分辨率极限的目标图案的多重图案化光刻。自对准辅助图案(SAP)是基于一些预定的设计规则使用几何布尔运算以自动的方式由原始设计布局导出，并且被包含在掩模布局中，用于在多重图案化光刻过程期间有效地自对准目标图案的不同子布局。使用间隔物和SAP的端部对端部的多重图案化光刻可以使用正性光刻和/或负性光刻，用于线和/或间隔印刷。
使用间隔对准辅助图案多重光刻

[发明专利]形成用于进行间隔物界定图案化的竖直间隔物的方法-CN201811473050.6在审
发明人：智广久保田;须佐吉雄 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种形成用于间隔物界定多重图案化的竖直间隔物的方法，其包括：在模板上沉积具有第一膜应力的第一共形图案转移膜，并且连续地沉积具有第二膜应力的第二共形图案转移膜；对所述模板中除芯材料和所述第一图案转移膜和所述第二图案转移膜的竖直部分以外的部分进行干式蚀刻以形成竖直间隔物；以及对所述芯材料进行干式蚀刻，从而在所述竖直间隔物之间形成空白空间，其中通过调整所述第一图案转移膜与所述第二图案转移膜之间的膜应力差异，调整所述间隔物的倾斜角度。
间隔物图案转移竖直膜应力干式蚀刻共形界定沉积多重图案空白空间图案化芯材料除芯

[发明专利]用双重间隔物图案化技术形成半导体器件精细图案的方法-CN201210539495.6有效
发明人：李基领;卜喆圭;金原圭 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种使用双重间隔物图案化技术（SPT）工序形成半导体器件的精细图案的方法，通过应用包括负型SPT工序的双重SPT工序，能够实现具有均一精细线宽的线距图案。
双重间隔图案技术形成半导体器件精细方法

[发明专利]用于单图案化间隔件技术的RC提取-CN201110325769.7有效
发明人：黄正仪;赵孝蜀;郑仪侃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种方法，包括利用电子设计自动化工具执行布局布线操作，以形成将被用于形成半导体器件的电路图案的光掩模的最初布局。布局布线操作由多个单图案化间隔件技术(SPST)布线规则规范。在利用RC提取工具的EDA工具中模拟虚拟导电填充图案，以预测将被添加至光掩模的最初布局中的虚拟导电填充图案的位置和尺寸。基于最初布局和模拟的虚拟导电填充图案，在EDA工具中执行电路图案的RC时序分析。
用于图案间隔技术 rc 提取

[发明专利]用于光刻操作的间隔件双重图案化-CN201210059362.9有效
发明人：克里斯托夫·皮埃拉 -专利权人：益华公司
申请日： 2009-01-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本申请涉及用于光刻操作的间隔件双重图案化。本发明揭示半导体装置制作及布局产生的系统及方法。实例性方法包含以下过程：沉积第一材料层并图案化所述层以形成初始图案，其中所述初始图案使用单个曝光来界定布局元件的关键特征；在衬底上的第一图案上方沉积间隔件材料并蚀刻所述间隔件材料，使得所述间隔件材料从所述衬底及所述第一图案的水平表面被移除但仍保持在邻近于所述第一图案的垂直表面处；从所述衬底移除所述初始图案而留下间隔件图案中的所述间隔件材料；用最终材料填充所述间隔件图案；及修整所述经填充图案以移除所述最终材料的超过所述布局元件的尺寸的部分。
用于光刻操作间隔双重图案

[发明专利]具有非模糊波束图案的宽间隔雷达节点-CN201810896808.0有效
发明人： O·比尔勒;A·乔纳斯;T·蒂瑞德 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G01S7/02 文献下载
摘要：车辆、用于车辆的雷达系统以及驱动车辆的方法。一种雷达阵列，其具有沿车辆布置的多个雷达节点。每个雷达节点包括在节点的第一端处的第一发射机、在节点的第二端处的第二发射机以及在第一发射机和第二发射机之间对齐的多个接收机。节点的孔径长度和节点之间的间距中的至少一个是可变参数。处理器激活雷达阵列的发射机以生成测试脉冲，在雷达阵列的接收机处接收来自目标的该测试脉冲的反射，以及由测试脉冲的该反射确定目标的角度位置。可以利用所确定的目标的角度位置来改变车辆的轨迹。
具有模糊波束图案间隔雷达节点

[发明专利]用于光刻操作的间隔件双重图案化-CN200980102233.X有效
发明人：克里斯托夫·皮埃拉 -专利权人：益华公司
申请日： 2009-01-08 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：实例性方法包含以下过程：沉积第一材料层并图案化所述层以形成初始图案，其中所述初始图案使用单个曝光来界定布局元件的关键特征；在衬底上的第一图案上方沉积间隔件材料并蚀刻所述间隔件材料，使得所述间隔件材料从所述衬底及所述第一图案的水平表面被移除但仍保持在邻近于所述第一图案的垂直表面处；从所述衬底移除所述初始图案而留下间隔件图案中的所述间隔件材料；用最终材料填充所述间隔件图案；及修整所述经填充图案以移除所述最终材料的超过所述布局元件的尺寸的部分。
用于光刻操作间隔双重图案

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201710426584.2有效
发明人：张胤京;金相辰;朴东云;朴俊洙;杨昌宰;尹广燮;朱惠卿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种用于制造半导体器件的方法包括：堆叠半导体层、第一牺牲层和第二牺牲层；图案化第二牺牲层以形成第二牺牲图案；在第二牺牲图案的两侧上形成间隔物图案，其中间隔物图案的间距是恒定的，并且间隔物图案的宽度是恒定的；去除第二牺牲图案；形成覆盖间隔物图案的掩模层；在掩模层上形成支持图案，其中支持图案的宽度大于间隔物图案的宽度，并且支持图案与间隔物图案交叠；将支持图案和间隔物图案转移到第一牺牲层上以形成栅极图案和支持图案；以及将栅极图案和支持图案转移到半导体层上以形成栅极和支持栅极。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]在半导体装置中制造图案的方法-CN200810098532.8无效
发明人：尹炯舜 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-05-22 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种在半导体装置中制造图案的方法，其包括下列步骤：形成第一牺牲层图案于图案目标层上方；形成第一间隔物于这些第一牺牲层图案的侧壁；形成一第二牺牲层图案于这些第一牺牲层图案及这些第一间隔物上方，使得使该第二牺牲层图案暴露这些第一间隔物的至少之一；通过在该暴露第一间隔物上形成第二间隔物以形成双间隔物；移除该第二牺牲层图案及这些第一牺牲层图案；以及通过使用这些第一间隔物及该双间隔物作为蚀刻掩模，蚀刻该图案目标层的暴露部分以形成具有由这些第一间隔物所界定的第一节距的第一图案及具有由该双间隔物所界定的第二节距的第二图案根据本发明，可以在半导体装置中制造具有不同节距的图案的方法。
半导体装置制造图案方法

[发明专利]图案膜、包括其的透射率可变装置、以及用于生产透射率可变装置的方法-CN202180005195.7在审
发明人：宋哲沃;徐汉珉;裴南锡;金真弘;金旼俊 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G02F1/1333 文献下载
摘要：提供了图案膜，在所述图案膜中，间隔物图案包括分隔壁间隔物和球形间隔物，其中球形间隔物完全嵌入至少一个分隔壁间隔物中、或部分嵌入至少一个分隔壁间隔物中或与至少一个分隔壁间隔物接触，以及第一基础层的每单位面积的间隔物图案的单位面积比率为
图案包括透射率可变装置以及用于生产方法

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