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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]导电层图案化的方法及导电结构-CN202010429311.5有效
发明人：范佳铭 -专利权人：业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明一方面提供一种导电层图案化的方法。该方法包括：于一基材的表面形成导电层，所述导电层的接触角大于等于50度小于等于90度；于所述导电层远离所述基材的表面上形成图案化的光阻层；以及利用水性蚀刻液蚀刻所述导电层，以去除所述导电层未被所述图案化的光阻层覆盖的部分，进而得到图案化的导电层。本发明另一方面还提供一种导电结构。
导电图案方法结构

[发明专利]半导体封装结构、整合式无源元件及其制造方法-CN201110344674.X无效
发明人：谢孟伟;李德章;张勇舜 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2011-11-04 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：整合式无源元件包括基板、第一图案化导电层、图案化电容层、第二图案化导电层、第一图案化介电层、第三图案化导电层及第二图案化介电层。第一图案化导电层配置在基板上且具有多个电极。图案化电容层配置在第一图案化导电层上。第二图案化导电层配置在图案化电容层上。第一图案化介电层配置在第一图案化导电层、图案化电容层及第二图案化导电层上，且暴露出电极。第三图案化导电层配置在第一图案化介电层上且暴露出电极。第二图案化介电层配置在第一图案化介电层及第三图案化导电层上，且暴露出电极。
半导体封装结构整合无源元件及其制造方法

[发明专利]图案化导电层中的天线-CN201810470528.3有效
发明人：蒋奕;吴江枫;张立俊;杨思文;M·帕斯科林尼 -专利权人：苹果公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本公开涉及“图案化导电层中的天线”。具体涉及一种电子设备。电子设备可包括基板和基板上的导电层。导电层可被图案化以形成第一区域和围绕并限定第一区域的形状的第二区域。第一区域可由导电层的连续部分形成。第二区域可包括将导电层分成贴片阵列的开口的栅格。第一区域可形成天线的天线谐振元件。第二区域可阻挡来自天线谐振元件的天线电流，并且可对射频电磁波是透明的。开口可具有太窄而不能被肉眼识别的宽度。这可配置第一区域和第二区域以显示为单个连续导电层，尽管其中形成天线谐振元件。
图案导电中的天线

[发明专利]线路结构及其制造方法-CN200810109899.5有效
发明人：范智朋;贾妍缇 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2008-06-05 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：首先，形成底导电层于载板上，并形成第一图案化阻镀层于其上，图案化阻镀层具有至少一沟槽以暴露出部分底导电层。然后，形成第一图案化导电层于沟槽中，并形成第二图案化阻镀层覆盖于部分第一图案化导电层与部分第一图案化阻镀层上。接着，形成第二图案化导电层于第二图案化阻镀层所暴露出的第一图案化导电层上，并移除第一与第二图案化阻镀层以及由第一图案化导电层所暴露出的底导电层。然后，形成图案化防焊层以覆盖部分第一图案化导电层，其暴露出第二图案化导电层以及第一图案化导电层邻近第二图案化导电层的部分。
线路结构及其制造方法

[发明专利]薄膜导电层和钝化层的图案化-CN201080037611.3无效
发明人：康盛球;黄丽丽 -专利权人：苹果公司
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了薄膜的导电层和钝化层的简化图案化。在一些实施例中，图案化可以包括在薄膜衬底上沉积导电层，在导电层上沉积钝化层，应用包括期望图案的可移除掩模至钝化层，以及图案化钝化层以具有期望图案，使用图案化的钝化层作为用于导电层的掩模，以及图案化导电层以具有期望图案在其它实施例中，图案化可以包括在薄膜衬底上沉积导电层，在导电层上沉积钝化层，在钝化层上沉积保护层，应用具有期望图案的可移除掩模至保护层，图案化保护层以具有期望图案，使用图案化的保护层作为用于钝化层和导电层的掩模，以及图案化钝化层和导电层以具有期望图案。使用这样图案化的薄膜的示例性装置可以包括触摸传感器面板。
薄膜导电钝化图案

[发明专利]四方扁平无引脚封装制程-CN200910004407.0无效
发明人：沈更新;林峻莹 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：首先，提供具有多个凹槽的一导电层及位于导电层上的一图案化焊罩层，其中图案化焊罩层覆盖导电层的凹槽。移除不被图案化焊罩层覆盖的部分导电层以形成一图案化导电层。在图案化导电层上配置多个芯片，以使图案化焊罩层及芯片位于图案化导电层的同一侧。透过多条焊线将芯片电性连接于图案化导电层，其中芯片及焊线位于图案化导电层的同一侧。形成至少一封装胶体并分割封装胶体及图案化导电层。
四方扁平引脚封装

[发明专利]阵列基板及其制造方法-CN201910511800.2在审
发明人：陈培铭 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：藉由第一掩膜形成第一图案化导电层于基板上。基板包括元件区及扇出区。形成栅极绝缘层于第一图案化导电层上。藉由第二掩膜形成图案化半导体层及第二图案化导电层于栅极绝缘层上。第二图案化导电层覆盖于图案化半导体层上。形成第一绝缘层于图案化半导体层及第二图案化导电层上。藉由第三掩膜形成第一图案化透明导电层及第三图案化导电层于第一绝缘层上。第三图案化导电层覆盖于第一图案化透明导电层上，且第三图案化导电层至少位于扇出区。另提出一种阵列基板。
图案化导电层图案化半导体层阵列基板掩膜绝缘层图案化透明导电层栅极绝缘层扇出区基板元件区覆盖制造

[发明专利]四方扁平无引脚封装制程-CN200910004086.4有效
发明人：沈更新;林峻莹 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2009-02-09 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：首先，提供一图案化导电层及位于图案化导电层上的一图案化焊罩层。在图案化焊罩层上配置多个芯片，以使图案化焊罩层位于芯片及图案化导电层之间。透过多条焊线将芯片电性连接于图案化导电层，其中芯片及焊线位于图案化导电层的同一侧。形成至少一封装胶体以包覆图案化导电层、图案化焊罩层、芯片及导线。接着，分割封装胶体、图案化导电层及图案化焊罩层。
四方扁平引脚封装

[发明专利]微机电元件及其制造方法-CN200710087875.X无效
发明人：李政璋;王宏洲;袁宗廷;梁朝睿;谢协伸;陈煌坤;邢泰刚 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2007-03-21 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微机电元件，其包括基板、第一图案化导电层、第二图案化导电层以及第一图案化阻挡层。第一图案化导电层设置于该基板上。第二图案化导电层设置于该第一图案化导电层上。第一图案化阻挡层与该第一图案化导电层与该第二图案化导电层连接。另外，本发明亦披露一种微机电元件的制造方法。
微机元件及其制造方法

[发明专利]电磁阻抗感测元件及其制作方法-CN201510673114.7有效
发明人：李泓达;黎柏夆 -专利权人：旺玖科技股份有限公司
申请日： 2015-10-16 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种电磁阻抗感测元件及其制作方法，其中电磁阻抗感测元件包括基材、第一图案化导电层、第二图案化导电层、磁性导线以及包覆层。基材具有一表面以及由此表面延伸进入基材的一沟槽。第一图案化导电层形成于此基材表面及沟槽的侧壁和底面上。磁性导线位于沟槽中。第二图案化导电层形成于第一图案化导电层上，横跨沟槽并与第一图案化导电层电性接触，用于将磁性导线夹设于第一图案化导电层与第二图案化导电层之间。包覆层包覆磁性导线，使磁性导线分别与第一图案化导电层和第二图案化导电层电性隔离。其中，第一图案化导电层与第二图案化导电层形成至少一个线圈电路围绕磁性导线。
电磁阻抗元件及其制作方法

[发明专利]芯片封装结构的制程-CN200910008384.0无效
发明人：沈更新;林峻莹 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2009-02-25 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：首先，提供一图案化导电层与一图案化防焊层图案化防焊层，其中图案化导电层具有多个第一开口，图案化防焊层配置于图案化导电层上。接着，接合多个芯片至图案化导电层上，以使芯片与图案化防焊层分别配置于图案化导电层的相对二表面上。然后，借由多条导线电性连接芯片至图案化导电层，其中导线贯穿图案化导电层的第一开口。之后，形成至少一封装胶体，以包覆图案化导电层、图案化防焊层、芯片以及导线。然后，分割封装胶体、图案化导电层与图案化防焊层。本发明的芯片封装结构的制程可在不需用到核心介电层的情况下，制作出芯片封装结构，故所制得的芯片封装结构的厚度小于现有的芯片封装结构的厚度。
芯片封装结构

[发明专利]线路基板工艺-CN201010260690.6有效
发明人：李瑜镛;姜成模;裴栒兴;韩昌奭 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2010-08-19 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：首先，提供导电结构，包括第一图案化导电层、第一介电层、第二介电层、第一导电层及第二导电层。第一介电层及第二介电层分别配置于第一图案化导电层相对的两表面。第一导电层及第二导电层分别配置于第一介电层及第二介电层。第一介电层位于第一图案化导电层与第一导电层之间。第二介电层位于第一图案化导电层与第二导电层之间。接着，形成导电孔道于导电结构。图案化第一导电层及第二导电层以分别形成第二图案化导电层及第三图案化导电层。
线路工艺

[发明专利]薄膜晶体管结构及其制作方法-CN202010143991.4有效
发明人：谢孟廷;石秉弘 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管结构，包括：主动区、周边区、第一图案化导电层、第二图案化导电层、介电层以及转接桥。主动区包括多个金属氧化物半导体薄膜晶体管。周边区邻接于该主动区。第一图案化导电层至少部分位于周边区。第二图案化导电层由主动区延伸至周边区。介电层位于第一图案化导电层与第二图案化导电层之间，并将第一图案化导电层和第二图案化导电层电性隔离。转接桥位于周边区，包括接触垫和连接线。接触垫邻接且与第二图案化导电层电性隔离，并穿过介电层，而与第一图案化导电层接触。连接线分别与第二图案化导电层和接触垫电性接触。
薄膜晶体管结构及其制作方法

[发明专利]纵向晶体管及其制造方法-CN201310565481.6有效
发明人：叶佳俊;陈蔚宗;徐振航;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：制造方法包括：在基板上形成第一图案化导电层；在第一图案化导电层上形成图案化金属氧化物层，图案化金属氧化物层包括第一图案化绝缘层、第二图案化绝缘层以及第二图案化导电层；形成半导体层；形成第三图案化导电层。第一图案化绝缘层、第二图案化绝缘层以及第二图案化导电层以同一金属氧化物材料形成，且第二图案化导电层的氧浓度与第一图案化绝缘层以及第二图案化绝缘层的氧浓度不同。
纵向晶体管及其制造方法

[发明专利]低成本改良式薄膜太阳能电池设备设计准则-CN201010501755.1无效
发明人：张一熙;李家娴;李冠颉 -专利权人：亚洲太阳科技有限公司
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种低成本改良式薄膜太阳能电池设备设计准则，包括以下步骤：对具有导电层的基板进行第一激光制程，以形成图案化导电层，图案化导电层暴露出部分基板；测量图案化导电层电性；沉积半导体材料层于基板上并覆盖图案化导电层，沉积半导体材料层的方法采用不含四氢化硅(SiH4)的设备；对半导体材料层进行第二激光制程，以形成图案化半导体层，图案化导电层暴露出部分图案化导电层；形成另一导电层于基板上并覆盖图案化半导体层；对另一导电层及其覆盖的图案化半导体层进行第三激光制程，以形成暴露出部分图案化导电层的另一图案化导电层。
低成本改良薄膜太阳能电池设备设计准则

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