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[发明专利]含钽酸锂颗粒的氧化铝基陶瓷复合材料及其制备方法-CN200810063853.4无效
发明人：张有凤;刘艳玫;贾德昌;周玉 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2008-01-14 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：含钽酸锂颗粒的氧化铝基陶瓷复合材料及其制备方法，它涉及一种氧化铝基陶瓷复合材料及其制备方法。它解决了现有技术中生产氧化铝陶瓷复合材料的烧结温度高、抗弯强度低和断裂韧性较低的问题。本发明含钽酸锂颗粒的氧化铝基陶瓷复合材料是按体积百分比将5％～30％钽酸锂粉末和70％～95％氧化铝粉末混合制备而成。制备步骤：将钽酸锂粉末和氧化铝粉末湿混、球磨后烘干，得混合均匀的钽酸锂与氧化铝粉末，再放入模具中，经烧结得含钽酸锂颗粒的氧化铝基陶瓷复合材料。本发明所得含钽酸锂颗粒的氧化铝基陶瓷复合材料致密度达99～99.99％，具有所需烧结温度低、抗弯强度高达445.9～492.9MPa、断裂韧性达4.8～5.37MPa·m^1/2。
含钽酸锂颗粒氧化铝陶瓷复合材料及其制备方法

[发明专利]制备化学计量比铌酸锂或钽酸锂晶片的方法-CN200710151176.7无效
发明人：张玲;孙军;许京军;孔勇发;陈绍林;刘士国;黄自恒;王红旗;王占银;楼慈波;刘宏德;高峰 -专利权人：南开大学
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种制备化学计量比铌酸锂或钽酸锂晶片的方法。该方法可以制备化学计量比铌酸锂或钽酸锂晶片。其具体过程是，将铌酸锂或钽酸锂晶片和含锂化合物放置在密闭容器中，将密闭容器内部抽真空，使真空度小于0.5帕，并将容器内部保持一定的高温，用高纯氩气调节内部气氛中各种组分的分压，以防止晶片表面出现龟裂。经过长60小时～120小时的处理，获得化学计量比铌酸锂或钽酸锂晶片。本发明与传统VTE方法(申请专利号：01144332.4)比较，用含锂化合物代替多晶料，第一可以反复使用，大大降低成本；第二可以提高气氛中的锂含量，从而提高扩散速度，减少扩散时间；第三可以通过氩气来调节气氛中的锂含量，从而可以使用不同蒸气压的含锂化合物。
制备化学计量铌酸锂钽酸锂晶片方法

[发明专利]复合体-CN201980045107.9有效
发明人：岩下修三 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明的复合体，含β－锂霞石的结晶相和钽酸锂的结晶相。在0～50℃的温度范围，每1℃计算出的热膨胀系数在0±1ppm/K以内。钽酸锂的结晶相中含有钙。β－锂霞石的结晶相与钽酸锂的结晶相的体积比为90:10～99.5:0.5。
复合体

[发明专利]一种钽改性的镍钴铝酸锂正极材料及应用其的电极、电池-CN202211709684.3在审
发明人：利凯文 -专利权人：惠州亿纬锂能股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供一种钽改性的镍钴铝酸锂正极材料，该镍钴铝酸锂正极材料包括镍钴铝酸锂本体，镍钴铝酸锂本体的外部设有包覆层，包覆层中含有钽元素，且，镍钴铝酸锂本体中掺杂有钽元素。在本发明所提供的镍钴铝酸锂正极材料中，含钽包覆层和镍钴铝酸锂本体中掺杂的钽元素相互协同，有效地降低镍钴铝酸锂类正极活性材料的初始直流内阻及循环直流阻抗，同时，上述镍钴铝酸锂正极材料还具有优异的结构稳定性
一种改性镍钴铝酸锂正极材料应用电极电池

[发明专利]一种钽酸锂黑片的回收再利用方法-CN201810533359.3有效
发明人：龙勇;于明晓;石自彬;丁雨憧;徐扬;李和新 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L21/477 文献下载
摘要：本发明公开了一种钽酸锂黑片的回收再利用方法，将待处理的不合格钽酸锂黑片放置于热处理炉中，在氧气气氛下，在400℃至钽酸锂居里温度范围内进行热处理，冷却即得到钽酸锂白片；钽酸锂白片再次经过黑化处理得到钽酸锂黑片，从而完成不合格钽酸锂黑片的回收再利用。本方法可以使黑化电阻率不合适或不均匀的钽酸锂黑片恢复至均匀一致的钽酸锂白片，为再次获得均匀一致的合格钽酸锂黑片打好基础；由于热处理温度控制在钽酸锂居里温度以下，保证了钽酸锂晶片的压电性与单畴性。
一种钽酸锂黑片回收再利用方法

[发明专利]一种制备钽酸锂晶片的方法-CN201310481244.1无效
发明人：刘子骥;梁志清;郑兴;黎威志;于云飞;谢佳林;李宁亮 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制备钽酸锂晶片的方法，包括：获取钽酸锂基片；清洗钽酸锂基片；将钽酸锂基片置于腐蚀溶液中，并且在钽酸锂基片的中心位置处加热腐蚀溶液，使钽酸锂基片在腐蚀溶液中腐蚀第一时间，获得钽酸锂晶片；清洗并干燥钽酸锂晶片。本发明的实施例的方法中，对钽酸锂基片进行腐蚀时，在钽酸锂基片的中心位置处加热腐蚀溶液，通过对该加热位置的控制，实现了对钽酸锂基片表面的温度分布的控制，进而控制了腐蚀速率，从而可以控制腐蚀后的表面粗糙度和均匀性该方法制备的钽酸锂晶片的表面均匀性好，表面粗糙度小，并且背侵、背花等问题得到改善。
一种制备钽酸锂晶片方法

[发明专利]掺钽钛酸锂负极材料的制备方法及掺钽钛酸锂负极材料和锂离子电池-CN201810509604.7在审
发明人：李敏;白岩;成信刚;马书良 -专利权人：北方奥钛纳米技术有限公司;银隆新能源股份有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01M4/485 文献下载
摘要：本发明提供了一种掺钽钛酸锂负极材料的制备方法及掺钽钛酸锂负极材料和锂离子电池，涉及锂离子电池技术领域。该制备方法首先将钛源、锂源和钽源通过混合研磨的方法形成掺钽钛酸锂前驱体，然后将掺钽钛酸锂前驱体与碳源混合掺杂后，再烧结，得到掺钽钛酸锂负极材料；向钛酸锂中掺钽，基本不会改变钛酸锂的循环性，同时还可提高钛酸锂负极材料的克容量，提高钛酸锂的能量密度；另外，将掺钽钛酸锂前驱体与碳源混合，利用碳源在烧结过程中全部转化为二氧化碳挥发的特性，可使烧结得到的掺钽钛酸锂负极材料的颗粒较为均匀，无需破碎工序即可得到微纳米级别的掺钽钛酸锂负极材料本发明还提供了掺钽钛酸锂负极材料和锂离子电池。
掺钽钛酸锂负极锂离子电池钛酸锂前驱体钛酸锂制备碳源混合烧结混合研磨烧结过程克容量微纳米循环性挥发二氧化碳钛源钽源锂源破碎掺杂转化

[发明专利]一种钽酸锂晶片的抛光方法-CN201710880312.X有效
发明人：沈浩;顾鑫怡;徐秋峰;归欢焕;丁孙杰 -专利权人：天通控股股份有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钽酸锂晶片的抛光方法，包括如下步骤：a)将切割后的钽酸锂晶片，用粒度为5～20um的磨料研磨，获得表面具有粗糙结构的钽酸锂研磨片；b)将钽酸锂研磨片在盛有硝酸和氢氟酸混合酸的密闭容器中直接进行化学腐蚀，使钽酸锂晶片的粗糙度＜200nm，平坦度＜5um，获得表面随机无序凹坑结构的钽酸锂腐蚀片；c)将钽酸锂腐蚀片用单抛机和抛光液进行单面抛光，抛光压力为0.005～1MPa，使钽酸锂晶片的粗糙度＜0.5nm，平坦度＜3um，获得钽酸锂单抛片。本发明一次抛光，批量生产，抛光效率高，生产的钽酸锂晶片表面平坦度高，这一特征决定了钽酸锂晶片在器件应用中不易破碎，材料利用率高，加工成品率高。
一种钽酸锂基片抛光方法

[发明专利]压电性材料基板与支撑基板的接合体-CN201880088584.9有效
发明人：多井知义;服部良祐 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明在支撑基板与由选自由铌酸锂等构成的组中的材质形成的压电性材料基板的接合体中，使接合体的接合强度提高。接合体7、7A具备：支撑基板4；压电性材料基板1、1A，它们由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及非晶质层5，其存在于支撑基板4与压电性材料基板1、1A之间。非晶质层5包含选自由铌和钽构成的组中的一种以上金属原子、构成支撑基板的原子以及氧原子。非晶质层5中的所述金属原子的浓度高于氧原子的浓度，且为20～65原子％。
压电材料支撑接合

[发明专利]一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法-CN202010645103.9有效
发明人：欧欣;鄢有泉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L41/253 文献下载
摘要：本发明涉及材料制备技术领域，特别涉及一种硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，包括：获取钽酸锂单晶晶圆片；在所述钽酸锂单晶晶圆片的表面制作热膨胀抑制层，对所述热膨胀抑制层和所述钽酸锂单晶晶圆片进行离子注入得到第一衬底结构，在所述钽酸锂单晶晶圆片内形成离子注入损伤层；本申请实施例所述的硅基钽酸锂压电单晶薄膜衬底的制备方法，在对钽酸锂单晶晶圆片离子注入前先在其表面制作一层热膨胀抑制层，热膨胀抑制层在离子注入的过程中能够抑制钽酸锂的各向异性热膨胀形变，减小钽酸锂的弯曲幅度，提高离子注入的深度均匀性，并最终提高剥离的钽酸锂单晶薄膜的厚度均匀性。
一种硅基钽酸锂压电薄膜衬底制备方法

[发明专利]一种超薄钽酸锂晶片的保护膜及脱膜方法-CN202211718730.6在审
发明人：孔辉;徐秋峰;张忠伟;钱煜;沈浩;濮思麒;曹焕 -专利权人：天通凯巨科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种超薄钽酸锂晶片的保护膜及脱膜方法，包括如下步骤：将钽酸锂晶片进行碱性清洗溶液超声清洗；将钽酸锂晶片用甩干机甩干；将保护膜均匀涂覆于钽酸锂晶片正面并固化；将钽酸锂晶片进行喷砂处理；将钽酸锂晶片放入脱膜剂溶液中加热超声清洗进行脱膜，最终得到表面无残胶的钽酸锂晶片。
一种超薄钽酸锂晶片保护膜方法

[发明专利]成分均匀的球状掺杂钽酸锂多晶原料的合成方法-CN200810016746.6有效
发明人：吴剑波;夏宗仁;郑斐斐;秦晓勇;朱怀列;王继扬;姚淑华;颜涛;刘宏 -专利权人：中电科技德清华莹电子有限公司;山东大学
申请日： 2008-06-06 - 公布日： 2008-12-10 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种成分均匀的球状掺杂钽酸锂多晶原料的合成方法，是将钽源原料在含羧酸基的有机溶剂中均匀混合，形成含钽配合物，通过热重分析的方法计算出钽的准确量，再加入Li⁺，MgO或ZnO本发明合成的多晶料的一级颗粒尺寸在纳米尺度，其熔点明显低于固相反应多晶料，不但可以节省能源，而且对于连续加料生长工艺来说，可实现掺杂化学计量比钽酸锂晶体生长的自动化。
成分均匀球状掺杂钽酸锂多晶原料合成方法

[发明专利]镁蒸气还原钽酸锂晶片的装置-CN201710080663.2有效
发明人：张学锋;董学祥;梁斌 -专利权人：宁夏钜晶源晶体科技有限公司
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种镁蒸气还原钽酸锂晶片的装置，包括炉体、旋转支架及真空装置，所述炉体内盛装有镁粉，所述真空装置与所述炉体连接，本发明的装置设置了炉体、内炉管、旋转支架及真空装置，通过旋转支架对钽酸锂晶片进行装夹，在还原过程中旋转钽酸锂晶片，保证蒸出的镁蒸汽均匀接触钽酸锂晶片，进一步保证了钽酸锂晶片还原的均匀性，通过真空装置实现了对镁蒸气还原钽酸锂晶片的装置的抽真空，实现了对镁粉进行气化，利用生成的镁蒸汽作为还原剂对钽酸锂晶片进行还原，大幅提升了钽酸锂晶片还原的均匀性
蒸气还原钽酸锂晶片装置

[实用新型]镁蒸气还原钽酸锂晶片的装置-CN201720135248.8有效
发明人：张学锋;董学祥;梁斌 -专利权人：宁夏钜晶源晶体科技有限公司
申请日： 2017-02-15 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种镁蒸气还原钽酸锂晶片的装置，包括炉体、旋转支架及真空装置，所述炉体内盛装有镁粉，所述真空装置与所述炉体连接，本实用新型的装置设置了炉体、内炉管、旋转支架及真空装置，通过旋转支架对钽酸锂晶片进行装夹，在还原过程中旋转钽酸锂晶片，保证蒸出的镁蒸汽均匀接触钽酸锂晶片，进一步保证了钽酸锂晶片还原的均匀性，通过真空装置实现了对镁蒸气还原钽酸锂晶片的装置的抽真空，实现了对镁粉进行气化，利用生成的镁蒸汽作为还原剂对钽酸锂晶片进行还原，大幅提升了钽酸锂晶片还原的均匀性，石墨材质的内炉管的表面不易形成氧化物膜，避免了内炉管的材料与还原剂气体发生反应。
蒸气还原钽酸锂晶片装置

[发明专利]压电性单晶基板与支撑基板的接合体-CN201980026646.8有效
发明人：多井知义;服部良祐 -专利权人：日本碍子株式会社
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明在由铌酸锂等形成的压电性单晶基板1(1A)与支撑基板3的接合体8(8A)中，抑制加热时的接合体的翘曲。接合体8(8A)具备：支撑基板3；压电性单晶基板1(1A)，所述压电性单晶基板1(1A)由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及非晶质层7，所述非晶质层7包含选自由铌和钽构成的组中的一种以上金属原子
压电性单晶基板支撑接合

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