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[发明专利]一种真空吸附贴蜡装置及方法-CN202311042396.1在审
发明人：张伟明;汪万盾;浦一枫;丁孙杰;朱海瀛;钱煜;徐秋峰 -专利权人：天通控股股份有限公司;天通凯巨科技有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明属于一种晶圆贴蜡加工技术领域，具体涉及一种真空吸附贴蜡装置及方法。该真空吸附贴蜡装置包括贴蜡装置和真空吸附装置，贴蜡装置包括可转动的陶瓷盘、晶圆和蜡层，真空吸附装置包括真空吸附膜、真空吸附装置上部、真空吸附装置下部、真空输入口、密封圈和螺丝。采用该装置进行晶圆贴蜡的方法主要为利用抽真空，使大气压挤压真空吸附膜，再通过真空吸附膜变形对晶圆进行均匀加压贴蜡，贴蜡更均匀；在晶圆加压贴蜡的同时又将空气抽走，能够防止气泡产生；冷却定型完成前，持续对晶圆加压，晶圆定型后才去除贴蜡压力，移除贴蜡装置，防止晶圆回弹，提高贴蜡的质量；对整个陶瓷盘上的晶圆同时加压贴蜡，提高了贴蜡的效率。
一种真空吸附装置方法

[发明专利]大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片加工方法-CN202011443733.4有效
发明人：沈浩;张艺;徐秋峰;汪万盾;丁孙杰;宋岩岩;朱海瀛;曹焕 -专利权人：天通控股股份有限公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料加工技术领域，尤其是一种大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片加工方法，该方法包括切片、倒角、研磨800、黑化、研磨2000和抛光步骤；所述研磨800步骤和研磨2000步骤中均采用双面研磨机，在22℃±2℃下，研磨加压方式采用分段缓慢加压方式；所述抛光步骤中采用双面抛光机，在22℃±2℃下，设备最大转速为6‑10rpm，采用SiO2抛光液，比重为1.06‑1.20，抛光加压方式采用分段缓慢加压方式。因加压时采用缓慢、逐渐加压的方式，极大减小了划伤、碎片、裂片等情况，同时搭配本发明的夹具，可以有效地减少塌边、爆边、研磨不充分等情况，极大提高了生产的良品率，摆脱厂家半导体机台设备应用的牵引。
尺寸超薄高精度铌酸锂晶片加工方法

[发明专利]一种大尺寸超薄铌酸锂基片的双面抛光方法-CN201911075696.3有效
发明人：沈浩;王勤峰;徐秋峰;朱海瀛;丁孙杰;曹焕;汤卓伦 -专利权人：天通控股股份有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸超薄铌酸锂基片的双面抛光方法，包括如下步骤：a)将切割后的大尺寸超薄铌酸锂晶片研磨后获得表面具有粗糙结构的大尺寸超薄铌酸锂双面研磨片；b)然后进行双面减薄，超声清洗，获得表面具有粗糙结构的大尺寸超薄铌酸锂双面减薄片；c)在盛有硝酸、氢氟酸和缓释剂均匀混合的密闭容器中直接进行化学腐蚀，获得表面随机无序凹坑结构的大尺寸超薄铌酸锂腐蚀片；d)用双面抛机和抛光液进行双面抛光，再进行超声清洗，获得最终的大尺寸超薄铌酸锂双抛片。本发明一次抛光，批量生产，抛光效率高，生产的铌酸锂基片表面平坦度高，这一特征决定了铌酸锂基片在器件应用中不易破碎，材料利用率高，加工成品率高。
一种尺寸超薄铌酸锂基片双面抛光方法

[发明专利]一种钽酸锂晶体基片加工方法-CN201710880538.X有效
发明人：沈浩;顾鑫怡;徐秋峰;归欢焕;丁孙杰 -专利权人：天通控股股份有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种钽酸锂晶体基片加工方法，包括切片、倒角、黑化、研磨、粗抛和精抛步骤，在所述粗抛和精抛步骤中采用了钻石抛光液，所述钻石抛光液由钻石微粉、乙二醇、甘油、乙醇氨以及去离子水构成，其PH值在9～11之间，其中钻石微粉含量为20～25%，乙二醇含量为8～15%，甘油含量为3～5%，乙醇氨含量为0.1～0.3%，去离子水含量为60～65%。本发明可以大大提高钽酸锂晶片的表面光洁度、降低其表面粗糙度，消除应力，达到镜面抛光效果，从而降低节约生产成本和提高产品的合格率。
一种钽酸锂晶体加工方法

[发明专利]一种钽酸锂晶片的抛光方法-CN201710880312.X有效
发明人：沈浩;顾鑫怡;徐秋峰;归欢焕;丁孙杰 -专利权人：天通控股股份有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种钽酸锂晶片的抛光方法，包括如下步骤：a)将切割后的钽酸锂晶片，用粒度为5～20um的磨料研磨，获得表面具有粗糙结构的钽酸锂研磨片；b)将钽酸锂研磨片在盛有硝酸和氢氟酸混合酸的密闭容器中直接进行化学腐蚀，使钽酸锂晶片的粗糙度＜200nm，平坦度＜5um，获得表面随机无序凹坑结构的钽酸锂腐蚀片；c)将钽酸锂腐蚀片用单抛机和抛光液进行单面抛光，抛光压力为0.005～1MPa，使钽酸锂晶片的粗糙度＜0.5nm，平坦度＜3um，获得钽酸锂单抛片。本发明一次抛光，批量生产，抛光效率高，生产的钽酸锂晶片表面平坦度高，这一特征决定了钽酸锂晶片在器件应用中不易破碎，材料利用率高，加工成品率高。
一种钽酸锂基片抛光方法