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[发明专利]叠层储存电容器结构、低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器-CN200610078728.1无效
发明人：李牧家;黄俊伟;吕宏哲;郭国鸿;李鸿斌;赖文贵;蔡佳怡;张育淇;李浩群;张炜炽 -专利权人：统宝光电股份有限公司
申请日： 2006-05-10 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：上述第一储存电容器包括一第一导电层、一第二导电层、以及一位于该第一导电层与该第二导电层之间的第一绝缘层。此叠层储存电容器结构还包括一第三导电层，且此第三导电层包括一第一部分与一延伸的第二部分。上述第二储存电容器包括该第二导电层、该第三导电层的该延伸的第二部分、以及一位于该第二导电层与该第三导电层的该延伸的第二部分之间的第二绝缘层。
储存电容器结构低温多晶薄膜晶体管液晶显示器

[发明专利]一种白蚁监测控制系统用传感器-CN200710066911.4无效
发明人：刘文军 -专利权人：刘文军
申请日： 2007-01-26 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： A01M1/00 文献下载
摘要：一种白蚁监测控制系统用传感器，包括一外壳本体，所述外壳本体内置有至少一个导电检测元件，其特征在于：所述导电检测元件由白蚁喜食材料制成，中间开有至少一条贯穿的孔道，所述孔道中压入导电粉末材料，所述孔道的端部安装有接线柱，所述接线柱通过导线连接到监测电路上，构成导电回路。与现有技术相比，本发明的优点在于通过利用压入导电检测元件孔道内的导电粉末材料作为导电介质，不会由于白蚁喜食材料的伸缩性等影响导电粉末材料的导电性能，因此传感器的稳定性好，而且由于导电粉末紧紧地被包裹于白蚁喜食材料中
一种白蚁监测控制系统传感器

[发明专利]多层压电式微位移致动器-CN200710019691.X无效
发明人：潘铁政;王晓峰 -专利权人：昆山攀特电陶科技有限公司
申请日： 2007-02-01 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：该多个压电陶瓷层两两之间分别设有多个内电极，该多个内电极形成两个彼此非接触的内电极组，该两个内电极组以交替方式分别向该压电陶瓷堆两侧延伸，并分别与设于该压电陶瓷堆两侧的两个外电极导通连接，该两个外电极分别由位于该压电陶瓷堆内侧、具有防导电离子迁移的导电阻挡层和位于外侧、具有防裂缝的导电弹性层组成。该导电阻挡层由至少包含铜、镍、钯、铝及合金中一种材料组成。该导电弹性层为具有导电介质的软性或弹性导电胶或导电胶带，本发明具有非常简单、易行、有效和经济，并能防止导电离子迁移、防止伸缩过程中导电材料裂缝。
多层压电式微位移致动器

[发明专利]导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法-CN200610067142.5无效
发明人：彭晖;彭一芳 -专利权人：金芃;彭晖
申请日： 2006-04-05 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法。导电的非极化的复合氮化镓基衬底的一个实施实例：导电的反射/欧姆/应力缓冲层层叠在导电的支持衬底和导电的非极化的氮化镓基外延层之间。导电的非极化的复合氮化镓基衬底的生产方法的主要工艺步骤如下：在生长衬底上，依次生长中间媒介层(或晶核层)和非极化的第一氮化镓基外延层，层叠掩膜层，蚀刻掩膜层形成氮化镓窗口和掩膜层条，生长导电的非极化的第二氮化镓外延层，层叠导电的反射/欧姆/应力缓冲层，键合导电的支持衬底，剥离生长衬底、中间媒介层(或晶核层)、非极化的第一氮化镓外延层、掩膜层条、和导电的非极化的第二氮化镓外延层中带有空洞的部分，热处理。
导电极化复合氮化衬底生产方法

[发明专利]导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法-CN200610067523.3无效
发明人：彭晖;彭一芳 -专利权人：金芃;彭晖
申请日： 2006-02-26 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭示导电的非极化的复合氮化镓基衬底及生产方法。导电的非极化的复合氮化镓基衬底的一个实施实例：导电的反射/欧姆/应力缓冲层层叠在导电的支持衬底和导电的非极化的氮化镓基外延层之间。导电的非极化的复合氮化镓基衬底的生产方法的主要工艺步骤如下：在生长衬底上，依次生长中间媒介层(或晶核层)和非极化的第一氮化镓基外延层，层叠掩膜层，蚀刻掩膜层形成氮化镓窗口和掩膜层条，生长导电的非极化的第二氮化镓外延层，层叠导电的反射/欧姆/应力缓冲层，键合导电的支持衬底，剥离生长衬底、中间媒介层(或晶核层)、非极化的第一氮化镓外延层、掩膜层条、和导电的非极化的第二氮化镓外延层中带有空洞的部分，热处理。
导电极化复合氮化衬底生产方法

[发明专利]利用导电磁粉加工非导电陶瓷的放电加工方法-CN200510111502.2无效
发明人：郭常宁;裴景玉;潘安安 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2005-12-15 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： B23H1/00 文献下载
摘要：一种特种加工领域的利用导电磁粉加工非导电陶瓷的放电加工方法。步骤如下：1)在放电加工机的工作台上安放电磁铁装置，电磁铁装置的形状与工件相同；2)在电磁铁上面装夹非导电陶瓷；3)在该陶瓷表面铺设导电磁粉；4)将导电磁粉作为电极的一端与金属电极组成电极对；5)接通电磁铁电源，导电磁粉将被吸附在陶瓷表面；6)设定主要放电加工参数；7)进行放电加工。本发明在非导电陶瓷下面安装电磁铁，利用电磁铁产生的磁场，使导电磁粉吸附在非导电陶瓷的表面上，与金属电极组成电极对，形成最初的放电条件；加工中，与电极的抬刀相适应，控制电磁铁的通断，调整导电磁粉在加工面的分布
利用导电加工陶瓷放电方法

[发明专利]自旋晶体管、可编程逻辑电路和磁存储器-CN200510078194.8无效
发明人：齐藤好昭;杉山英行 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-06-16 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L29/82 文献下载
摘要：一种自旋晶体管，包括第一导电层，该第一导电层由在第一方向上磁化的铁磁材料制成，并且用作源极和漏极之一；第二导电层，该第二导电层由在第一方向和第二方向中的一个方向上磁化的铁磁材料制成，并且用作源极和漏极中的另一个该自旋晶体管还包括沟道区，该沟道区位于第一导电层和第二导电层之间，并且在第一导电层和第二导电层之间引入电子自旋；栅电极，该栅电极位于沟道区之上；以及隧道势垒膜，该隧道势垒膜位于沟道区和第一导电层及第二导电层中的二者至少一个之间
自旋晶体管可编程逻辑电路磁存储器

[实用新型]防静电导电鞋-CN201420617143.2有效
发明人：韩子成 -专利权人：天津名都皮革制品有限公司
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： A43B7/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了防静电导电鞋，包括鞋面、鞋垫、中底和大底；其特征在于：所述大底正面内边侧开设有嵌槽；所述中底由中垫和导电编织层构成；所述中底嵌入大底内；所述鞋面底部外边沿、导电编织层外边沿和大底顶部外边沿通过缝制金属线缝合；所述鞋面的入口处的内侧缝制有一层导电布；所述鞋面的中间层设置有一导电金属线；所述导电金属线两端分别连接导电布和缝制金属线；所述大底底部钉入多个铆钉；所述铆钉上端通过导电引线与缝制金属线绕制。本实用新型的防静电导电鞋，将中底、大底和鞋面通过缝制金属线进行缝合，保证其接触的良好；如果使用者脚部穿短袜；导电布能够与人体很好地接触，保证去静电功能正常使用。
静电导电

[实用新型]一种晶体硅太阳电池-CN201520240093.5有效
发明人：高云峰;刘成法;刘超;张松;徐大超;王鹏磊;季海晨 -专利权人：上海大族新能源科技有限公司;大族激光科技产业集团股份有限公司
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本实用新型一种晶体硅太阳电池，包含：第一导电类型的晶体硅层；覆盖第一导电类型的晶体硅层正面及侧壁的第二导电类型的晶体硅层；减反射膜层，覆盖位于第一导电类型的晶体硅层正面的第二导电类型的晶体硅层；金属电极，位于减反射膜层，与第二导电类型的晶体硅层电连接；金属背电极，覆盖第一导电类型的晶体硅层的背面，并与第一导电类型的晶体硅层电连接；隔离槽，环绕设置在位于第一导电类型的晶体硅层侧壁的第二导电类型的晶体硅层
一种晶体太阳电池

[实用新型]利用电荷耦合实现耐压的功率MOS器件-CN201520191576.0有效
发明人：朱袁正;叶鹏 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种利用电荷耦合实现耐压的功率MOS器件，其连接耐压环采用沟槽结构，在连接耐压沟槽内填充有耐压导电多晶硅；有源区包括若干有源元胞，栅极导电多晶硅通过绝缘栅氧化层与有源元胞沟槽的侧壁相接触，且栅极导电多晶硅通过绝缘栅氧化层分别与元胞导电多晶硅以及元胞绝缘氧化层相隔离；栅极导电多晶硅的底部位于第二导电类型阱区的下方，第一导电类型注入区以及第二导电类型阱区均与有源区第一主面上的有源区金属欧姆接触；有源区金属与耐压区金属电连接，且元胞导电多晶硅与耐压导电多晶硅保持等电位。
利用电荷耦合实现耐压功率 mos 器件

[实用新型]插座-CN201420216588.X有效
发明人：朱新立;于义彬 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2014-04-29 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01R13/115 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种插座，包括：壳体，壳体的上端盖上设有插孔；导电件，导电件设在壳体内的底面上；绝缘支撑件，绝缘支撑件设在壳体内并位于导电件上方且与插孔错开设置；以及导电弹片，导电弹片的下端与导电件具有预定距离导电弹片包括根据本实用新型的插座，只要导电弹片的下端未移动到与导电件接触的位置时，导电弹片都是不带电的，提高了插座使用的安全性。
插座

[实用新型]单层双面金属电极阵列电容式触摸屏-CN201420118098.6有效
发明人：卢璋;黄宏;余启明 -专利权人：欧浦登（顺昌）光学有限公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本实用新型公开单层双面金属电极阵列电容式触摸屏，其包括显示屏，所述显示屏的背部贴附有导电膜，所述导电膜包括透明基材，透明基材的正面设有横向金属电极阵列，背面设有纵向金属电极阵列；所述横向金属电极阵列由多条相互平行、且呈直线型的横向金属导电条组成，所述纵向金属电极阵列由多条相互平行、且呈直线型的纵向金属导电条组成；所述横向金属导电条和纵向金属导电条均通过蚀刻成型或印刷成型；所述横向金属导电条的引线端和纵向金属导电条的引线端均通过分组并联连接到信号处理器采用以上结构，将导电膜设置在显示屏的背部，可以提高透光率，降低光损，不存在使用者看到莫尔纹现象和导电膜上的网格，大大提高了视觉效果。
单层双面金属电极阵列电容触摸屏

[实用新型]工装测试装置-CN201420864998.5有效
发明人：张琪;高国湖;曾庆东 -专利权人： TCL王牌电器（惠州）有限公司
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： B65G47/74 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种工装测试装置，包括垂直的第一传输段和第二传输段，且第一传输段的一侧设有第一导电轨，第二传输段的一侧设有第二导电轨；工装板对应第一导电轨设有第一导电部，对应第二导电轨设有第二导电部，第一传输段末端还设有用于在导电轨从第一传输段传输到第二传输段的过程中，对工装板的第二导电部保持供电的第三导电轨，从而使得工装板在第一传输线传输到第二传输线的过程中保持持续通电。本实用新型的工装测试装置，从第一传输段过渡到第二传输段上时，可通过第二导电部进行供电，实现了工装板在90°转角时的持续通电。
工装测试装置

[实用新型]一种导电膜-CN201420385327.0有效
发明人：李默 -专利权人：深圳欧菲光科技股份有限公司;南昌欧菲光科技有限公司;苏州欧菲光科技有限公司
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种导电膜。其包括：一基底，包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；透明导电层，设于所述第一表面或所述第一表面及所述第二表面，所述透明导电层包括多个导电区域和多个绝缘区域，所述多个导电区域和所述多个绝缘区域由配置为网格的导电材料形成，所述网格包括多个节点和连接多个节点的多条网格线；所述导电区域与所述绝缘区域沿第一方向延伸，并在与所述第一方向正交的第二方向上相互间隔设置，以在相邻的所述导电区域与所述绝缘区域之间形成第一缺口；所述透明导电层还包括第一辅助线本实用新型导电膜的透光率分布比较均匀。
一种导电

[实用新型]开关柜用计量室结构及使用该计量室结构的开关柜-CN201320590130.6有效
发明人：董会平;熊卫斌;张培锋;张新旺;刘巧愿;李晓飞;孔晓刚 -专利权人：国家电网公司;许继集团有限公司;许继电气股份有限公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H02B1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种开关柜用计量室结构及使用该计量室结构的开关柜，计量室结构包括计量室本体，计量室本体后方固设有导电排，计量室本体的后方设有用于隔离所述导电排与开关柜后部电缆室的隔离罩，隔离罩具有半包围或全包围的围设在导电排外侧并沿导电排延伸的罩体，计量室本体的后部设有后部安装板，后部安装板上插装有导电插件，导电插件具有与后部安装板固定的固定段及分布于固定段两侧的插入计量室本体中的插入端及插入隔离罩中并与隔离罩中的导电排导电连通的连接端。隔离罩将导电排与开关柜后部的电缆室隔离开，消除导电排对其他馈线回路产生影响，当需要对某个馈线回路进行维护检修时，也不需要再将其他馈线回路断电。
开关柜用计结构使用计量