专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]硅基低漏电流双悬臂栅NMOS相位检测器-CN201510377659.3有效
  • 廖小平;闫浩 - 东南大学
  • 2015-07-01 - 2017-08-25 - G01R25/00
  • 本发明的硅基低漏电流双悬臂栅NMOS相位检测器,由双悬臂栅NMOS管和低通滤波器构成。NMOS管为增强型,制作在Si衬底上,栅极悬浮在栅氧化层上方,与下拉电极和绝缘层共同构成一个悬臂结构。悬臂的下拉偏置电压设计等于NMOS管的阈值电压。当双悬臂都被下拉时,输入信号通过双悬臂栅NMOS管实现信号相乘,经低通滤波器后完成相位检测。当仅其中一个悬臂被下拉时,器件具有较高击穿电压,被选通的信号经过双悬臂栅NMOS管实现信号放大,从而使得同一电路可以在信号放大与相位检测两种不同模式下切换。同时由于悬臂栅的设计使得器件减小了栅极漏电流,有效地降低了漏电流功耗。
  • 硅基低漏电悬臂梁可动栅nmos相位检测器
  • [发明专利]一种器件以及电子设备-CN202210344948.3在审
  • 李明;朱怀远;赵飞;徐景辉 - 华为技术有限公司
  • 2022-03-31 - 2023-10-24 - B81B3/00
  • 本发明实施例所提供的器件包括:部件以及悬臂,所述悬臂与所述部件连接;所述悬臂的横截面具有第一长度和第二长度,所述第一长度大于所述第二长度;所述部件与导线连接,所述导线位于所述悬臂具有所述第二长度的端部,所述导线用于与所述部件之间传输第一电信号,所述悬臂扭转的情况下,所述端部的应力小于所述悬臂具有所述第一长度的侧壁的应力。
  • 一种器件以及电子设备
  • [发明专利]硅基低漏电流四悬臂栅MOS管的RS触发器-CN201510380043.1有效
  • 廖小平;王小虎 - 东南大学
  • 2015-07-01 - 2017-08-04 - H03K3/012
  • 本发明的硅基低漏电流四悬臂栅MOS管的RS触发器由一个四悬臂栅NMOS管和两个电阻构成,该四悬臂栅NMOS管由源极,漏极,栅极组成,形成漏极‑源极‑漏极的结构,在源极和两个漏极之间分别有两个悬臂栅,源极左侧的两个悬臂栅的悬浮端之间留有一缝隙,两个悬浮端紧密相连的悬臂栅的位置关于该MOS管漏‑源‑漏方向对称,同样地,源极右侧的两个悬臂栅也是如此。在该触发器的源极左侧和右侧各有一个悬臂栅作为该RS触发器的输入端R和S,输出端在源极右侧的漏极和电阻之间输出,当该RS触发器工作时,当NMOS管处于关断时其悬臂栅就处于悬浮态,降低了栅极漏电流,从而降低了电路的功耗
  • 硅基低漏电悬臂梁可动栅mosrs触发器
  • [发明专利]硅基低漏电流双悬臂栅分频器-CN201510378509.4有效
  • 廖小平;韩居正 - 东南大学
  • 2015-07-01 - 2018-02-23 - H03L7/18
  • 本发明的硅基低漏电流双悬臂栅分频器由硅衬底,N型增强型MOSFET,外接的低通滤波器、压控振荡器、乘法器、高频扼流圈构成。MOSFET的栅极是两个悬浮在栅氧化层上的悬臂,由直流偏置控制,并作为参考信号和反馈信号的输入。悬臂的下拉电压设计为MOSFET的阈值电压。两个悬臂栅均处于悬浮状态时,MOSFET截止,栅电容较小,能减小栅极漏电流。两个悬臂栅均下拉与栅氧化层接触时,MOSFET导通,参考信号和反馈信号经MOSFET相乘,通过低通滤波器、压控振荡器和乘法器实现参考信号的分频。下拉单个悬臂栅,实现对单个信号的放大,电路具有多功能。本发明降低漏电流,体积更小,且实现多功能。
  • 硅基低漏电悬臂梁可动栅分频器
  • [发明专利]基于硅基低漏电流双悬臂栅或非门的RS触发器-CN201510379369.2有效
  • 廖小平;严嘉彬 - 东南大学
  • 2015-07-01 - 2017-06-09 - H03K3/012
  • 本发明的基于硅基低漏电流双悬臂栅MOSFET或非门的RS触发器,原理和结构简单,由基于Si基低漏电流双悬臂栅MOSFET实现的或非门电路构成RS触发器,降低成本的同时减小了功耗。由于悬臂结构在非工作状态时的漏电流极低,有效地降低了功耗。在MOSFET沟道上方对称设计的两个悬臂作为栅极,在悬臂下方各有一个下拉电极,下拉电极上覆盖着一层绝缘的氮化硅介质层。当MOSFET两个输入为低电平时,悬臂都处于悬浮状态,MOSFET处于非导通状态,漏极输出为高电平;当至少一个输入端为高电平时,高电平对应的悬臂被下拉,此时MOSFET处于导通状态,漏极输出为低电平
  • 基于硅基低漏电悬臂梁可动栅非门rs触发器
  • [发明专利]硅基低漏电流双悬臂栅MOS管或非门-CN201510379768.9有效
  • 廖小平;王小虎 - 东南大学
  • 2015-07-01 - 2017-08-25 - H03K19/20
  • 本发明的硅基低漏电流双悬臂栅MOS管或非门由一个双悬臂栅NMOS管和一个电阻构成,该NMOS管的源极接地,两个悬臂栅极作为信号的输入端,漏极都与电阻相接,电阻与电源电压相接;该或非门制作在P型硅衬底上,下拉电极在悬臂栅下的部分被在二氧化硅层覆盖,下拉电极接地;该或非门所用的悬臂栅MOSFET的栅极并不是直接紧贴在二氧化硅层上方,而是依靠锚区的支撑悬浮在二氧化硅层上方;悬臂栅的下拉电压设计的与NMOS管的阈值电压相等,当该或非门工作时,当NMOS管处于关断时其悬臂栅就处于悬浮态,降低了栅极漏电流,从而降低了电路的功耗。
  • 硅基低漏电悬臂梁可动栅mos非门
  • [发明专利]硅基低漏电流双悬臂栅倍频器-CN201510378508.X有效
  • 廖小平;韩居正 - 东南大学
  • 2015-07-01 - 2017-12-05 - H03B19/14
  • 本发明的硅基低漏电流双悬臂栅MOSFET倍频器,由硅衬底,N型增强型MOSFET,以及外接的低通滤波器,压控振荡器,除法器、高频扼流圈构成。MOSFET的栅极是两个悬浮在栅氧化层上的悬臂,下拉电压设计为MOSFET的阈值电压,由直流偏置控制,并作为参考信号和反馈信号的输入。当两个悬臂栅均处于悬浮状态时,MOSFET截止,栅极不与栅氧化层接触,能减小栅极漏电流,降低功耗。当两个悬臂栅均下拉与栅氧化层接触时,MOSFET导通,参考信号和反馈信号传输到MOSFET相乘,通过外接电路实现参考信号频率的乘法运算。单个悬臂栅下拉后,可以实现对单个信号的放大,电路具有多功能。本发明降低功耗,体积更小,实现多功能。
  • 硅基低漏电悬臂梁可动栅倍频器
  • [发明专利]一种基于悬臂的压电主动减振装置-CN201810805458.2有效
  • 陈昊;王晓辉;沈景凤;金权;任文豹;何俊;徐海峰;杨友利 - 上海理工大学
  • 2018-07-20 - 2023-08-29 - F16F15/04
  • 本发明公开了一种基于悬臂的压电主动减振装置,涉及悬臂技术领域,包括支撑模块,悬臂和控制模块;所述悬臂设置于所述支撑模块上,所述控制模块用于有效抑制所述悬臂的振动;所述支撑模块包括底座和支撑臂,所述支撑臂被设置于所述底座的上部;所述悬臂的第一端固定于所述支撑臂上;所述控制模块包括控制器,压电作器和压电传感器,所述控制器设置于所述支撑臂上,所述压电作器设置于所述悬臂的第二端上表面,所述压电传感器设置于所述悬臂的第二端下表面;所述压电作器和所述压电传感器通过所述控制器与外界电源电性连接。本发明的减振装置,设计合理,实用性强,且可以有效抑制悬臂的振动。
  • 一种基于悬臂梁压电主动装置

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