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[发明专利]半导体装置-CN202080085890.4在审
发明人：荒井俊介;西畑雅由;平光真二;柿本规行 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：以夹着在两面具有主电极的半导体元件的方式配置并与对应的主电极电连接的散热部之一即热沉(51)，在与发射极端子之间形成焊料接合部。热沉(51)在发射极端子侧的面上具有高浸润区域(151b)、以及在板厚方向的平面视图中与高浸润区域(151b)邻接而设置以规定高浸润区域(151b)的外周、与高浸润区域(151b)相比对焊料的浸润性低的低浸润区域高浸润区域(151b)在平面视图中具有重叠区域(151c)和与重叠区域(151c)相连的非重叠区域(151d)，重叠区域是与发射极端子的焊料接合部的形成区域重叠的区域，在至少一部分中配置有焊料。
半导体装置

[发明专利]光电传感器-CN201811025712.3有效
发明人：高宫知广;畑中浩 -专利权人：阿自倍尔株式会社
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本发明的光电传感器具备：IV转换电路(1)，其具有OP放大器(U1)；晶体管(Q1)，其集电极端子连接于OP放大器(U1)的反相输入端子，发射极端子连接于OP放大器(U1)的输出端子；以及恒压源(V2)，其正极端子连接于晶体管(Q1)的基极端子，负极端子接地。
光电传感器

[发明专利]电子装置-CN201710671430.X有效
发明人：板东晃司;武藤晃 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：搭载于基板(WB)上的半导体装置(PAC1)及半导体装置(PAC2)分别具有与半导体芯片(CHP1)的表面电极电连接且从位于半导体芯片(CHP1)的表面侧的封固体的主面露出的发射极端子(ET)。另外，半导体装置(PAC1)及半导体装置(PAC2)分别具有与半导体芯片(CHP1)的背面电极电连接且从位于半导体芯片(CHP1)的背面侧的封固体的主面露出的集电极端子(CT)。另外，半导体装置(PAC1)的集电极端子(CT)经由形成于基板(WB)的上表面(WBt)的导体图案(MP1)与半导体装置(PAC2)的发射极端子ET电连接。
电子装置

[实用新型]电子装置-CN201720984596.2有效
发明人：板东晃司;武藤晃 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：搭载于基板(WB)上的半导体装置(PAC1)及半导体装置(PAC2)分别具有与半导体芯片(CHP1)的表面电极电连接且从位于半导体芯片(CHP1)的表面侧的封固体的主面露出的发射极端子(ET)。另外，半导体装置(PAC1)及半导体装置(PAC2)分别具有与半导体芯片(CHP1)的背面电极电连接且从位于半导体芯片(CHP1)的背面侧的封固体的主面露出的集电极端子(CT)。另外，半导体装置(PAC1)的集电极端子(CT)经由形成于基板(WB)的上表面(WBt)的导体图案(MP1)与半导体装置(PAC2)的发射极端子ET电连接。
电子装置

[发明专利]半导体装置-CN200510004596.3有效
发明人：赤木修 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-01-18 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：具有梯状的第一基极电极及长方形状的第一发射极电极和平板状的第二基极电极、第二发射极电极的半导体装置，可确保接合面积，即使对于第一发射极电极，也是引线结合位置有效的配置，但第二发射极电极中心附近的基极区域到第二基极电极的距离长本发明的半导体装置在芯片的一条边上导出基极及发射极端子，平板状地设置第二发射极电极，相对于配置外部端子的芯片边垂直地延伸第一发射极电极，在第二发射极电极的中央附近设置第二基极电极的突出部。由此，可使第二发射极电极的中央附近的元件的基极区域接近第二基极电极，可降低发射极电阻，提高基极区域的载流子的引出速度。
半导体装置

[发明专利]逆变器控制装置-CN201080024656.7有效
发明人：黑崎桂 -专利权人：三电有限公司
申请日： 2010-05-28 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：逆变器控制装置包括：主电源(31)；将从该主电源(31)分配来的电力进行转换的辅助电源(22)；利用从该辅助电源(22)提供的控制用电力进行工作的控制器(21)；通过将发射极—集电极间电流进行接通/关断以将控制器(21)的输入信号进行接通/关断的晶体管(4)；及输入端子至少通过电阻(rD)与主电源(31)相连接以对主电源(31)的电压进行监视的电源监视电路(3)，晶体管(4)的发射极端子接地，晶体管(4)的基极端子通过电阻(rB)与电源监视电路(3)的输出端子相连接，根据电源监视电路(3)的输出信号，将晶体管(4)的发射极—集电极间电流进行接通/关断。
逆变器控制装置

[发明专利]三极管在反向偏压安全工作区下的测试装置及测试方法-CN201010219663.4有效
发明人：张国光;王自鑫;李佳明;姚剑锋;李冠文;黄武洪 -专利权人：佛山市蓝箭电子有限公司
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种三极管在反向偏压安全工作区下的测试装置及测试方法，所述装置包括用于连接待测三极管三极的三个端子：基极端、集电极端和发射极端；可调电流脉冲模块，用于控制待测三极管开启或关断的电流脉冲；电压电流检测模块，用于检测集电极电流Ic和集电极与发射极之间的反向偏压VCE；钳位电路模块，用于设定集电极与发射极之间的反向偏压VCES；控制模块，用于接收电压电流检测模块检测到的集电极电流Ic和集电极与发射极之间的反向偏压VCE，并根据检测到的集电极电流Ic和集电极与发射极之间的反向偏压VCE之间的关系确定待测三极管在反向偏压安全工作区下是否合格。
三极管反向偏压安全工作测试装置方法

[发明专利]用于压控振荡器的系统和方法-CN201410510174.2有效
发明人： S·特罗塔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H03L7/099 文献下载
摘要：根据实施例，压控振荡器(VCO)包括：具有多个晶体管的VCO核；耦合在VCO核的集电极端子与第一供电节点之间的偏压电阻器；以及耦合至VCO核的发射极端子的变容电路。
偏压电阻器压控振荡器耦合发射极端子集电极端子供电节点自给偏压晶体管变容电路配置

[发明专利]半导体电路、倒相器电路以及半导体设备-CN200610139515.5无效
发明人：岛袋浩;小林英登;重田善弘;多田元 -专利权人：富士电机电子设备技术株式会社
申请日： 2006-09-15 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：根据本发明的半导体电路包括其电阻值可用高电压来控制的压控半导体器件(N)1，N1的漏极端子经由电阻器(R)6连接到输出半导体器件(N_O)5的栅极端子(控制端子)，N1的源极端子连接到N_O5的发射极端子，且N1的栅极端子连接到N_O5的作为输出端子的集电极端子。当半导体电路的输入端子处于Hi电平时，N_O5截止。SUB>5的集电极和发射极之间施加期望的高电压。因为当输入端子电位改为Lo电平时p沟道MOSFET(P_D)2导通，且仍向N_O5的输出端子施加高电压，所以N1导通而N_O5进入N
半导体电路倒相器以及半导体设备

[发明专利]放大器-CN201680035555.7有效
发明人：中野慎介;桂井宏明;野河正史;木村俊二;十林正俊;栗田茂弘;远藤雅弘 -专利权人：日本电信电话株式会社
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：构成跨阻放大器的放大器，其特征在于，在连接于放大级的输入端子的电流源与电源电压线之间插入有电感器元件。所述电流源包含：第一晶体管，基极端子与电流控制用偏压连接、且集电极端子与所述输入端子连接，所述电感器元件插入于所述第一晶体管的发射极端子与所述电源电压线之间。
放大器

[发明专利]一种IGBT模块封装结构-CN201710806890.9有效
发明人：唐新灵;李现兵;张朋;张喆;吴鹏飞;武伟;林仲康;石浩;田丽纷;王亮 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及大功率IGBT模块封装技术领域，具体涉及一种IGBT模块封装结构，包括绝缘基板；至少两个IGBT芯片并联支路组，设于所述绝缘基板上；至少两个发射极汇流结构，与所述IGBT芯片并联支路组一一对应地设置于所述绝缘基板上，且多个所述发射极汇流结构之间相互绝缘，每个所述IGBT芯片并联支路组的发射极与其对应的所述发射极汇流结构电气连接；发射极端子母线，设于所述绝缘基板上，与每个所述发射极汇流结构电气连接。
一种 igbt 模块封装结构

[发明专利]双极晶体管结构和制造双极晶体管结构的方法-CN201510301796.9有效
发明人： C.达尔;A.蒂尔克;D.A.楚马科夫 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：根据各种实施例，双极晶体管结构可包括：衬底；在衬底中的集电极区；设置在集电极区之上的基极区，设置在基极区之上的发射极区；横向地电接触基极区的基极端子，其中基极端子包括多晶硅。
双极晶体管结构制造方法

[发明专利]电子器件-CN201410442796.6有效
发明人：武藤晃;古川贵史 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：即，第一半导体器件被安装在布线板的上表面上，使得第一发射极端子和第一信号端子被沿着布线板的一对短边在其上延伸的X方向布置。在另一方面，第二半导体器件被安装在布线板的上表面上，使得第二发射极端子和第二信号端子被沿着布线板的一对长边在其上延伸的Y方向布置。
电子器件

[发明专利]射地－基地连接的放大电路以及使用该电路的通信装置-CN200510071671.8无效
发明人：贵岛洋史;川村博史 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2005-03-25 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：将基极端子与输入端子相连的发射极接地双极型晶体管Q1a与将集电极端子与输出端子相连的基极接地双极型晶体管Q1b进行射地－基地连接。发射极接地双极型晶体管Q1a不工作时，控制基极接地双极型晶体管Q1b的基极电流。
基地连接放大电路以及使用通信装置

[发明专利]切换导体器件的方法-CN201480021317.1在审
发明人： W·克鲁克斯 -专利权人：阿尔斯通技术有限公司
申请日： 2014-02-07 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H03K17/10 文献下载
摘要：所述半导体器件包括栅极端、集电极端和发射极端。该方法包括步骤：(i)在接收到导通信号时，施加电压到半导体器件的栅极端来将半导体器件的集电极-发射极电压降低到第一预定电压平台水平，并且保持该电压至半导体器件的栅极端以预定时间段；(ii)在预定时间段之后，控制施加到半导体器件的栅极端的电压来以变化的缓变率改变集电极-发射极电压，直到集电极-发射极电压达到预定电压水平，对施加到半导体器件的栅极端用以改变集电极-发射极电压的电压进行的这种控制包括：将集电极-发射极电压降低到第二预定电压平台水平；将集电极-发射极电压保持在第二预定电压平台水平来调节半导体器件在使用中所位于的电路中的电流的变化速率；并且将集电极-发射极电压降低到半导体器件处于其导通状态的电压水平；以及(iii)控制施加到半导体器件的栅极端的电压来将集电极-发射极电压保持在预定电压水平。
切换导体器件方法