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[发明专利]反熔丝感测装置及其操作方法-CN202210955639.X在审
发明人：张志航 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种反熔丝感测装置及其操作方法。反熔丝感测装置包括反熔丝感测电路、电压生成电路以及上电检测电路。在电压生成电路的上电瞬时期间，上电检测电路提供初始化电压给反熔丝感测电路的控制端，以避免反熔丝感测电路的控制端的电压电平处于未知状态。在上电瞬时期间结束后，电压生成电路提供控制电压给反熔丝感测电路的控制端。反熔丝感测电路基于控制电压感测反熔丝的阻态。在电压生成电路提供控制电压的期间，上电检测电路停止提供初始化电压至反熔丝感测电路的控制端。
反熔丝感测装置及其操作方法

[发明专利]反熔丝电路以感测反熔丝-CN202210071302.2在审
发明人：陈至仁 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：一种反熔丝电路包含电流产生器以及反熔丝感测单元。电流产生器具有至少一复制电子元件。反熔丝感测单元电性连接电流产生器，反熔丝感测单元具有至少一电子元件。反熔丝感测单元的至少一电子元件的电子元件规格相同于电流产生器的至少一复制电子元件的电子元件规格。电流产生器供应电流给反熔丝感测单元以感测反熔丝。借由本发明的技术方案，反熔丝电路可以提高感测反熔丝的准确度。
反熔丝电路感测反熔丝

[发明专利]反熔丝装置-CN202210128707.5在审
发明人：杨吴德 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明提供一种反熔丝装置，包括反熔丝单元以及感测电路。反熔丝单元包括串接于反熔丝单元的第一端与反熔丝单元的第二端之间的第一反熔丝与第二反熔丝。感测电路耦接至反熔丝单元的第一端与第二端，用以感测反熔丝单元的刻录态。
反熔丝装置

[发明专利]反熔丝感测装置及其操作方法-CN202210207641.9在审
发明人：张志航 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明提供一种反熔丝感测装置及其操作方法。反熔丝感测装置适于感测反熔丝的阻态。反熔丝感测装置包括电压产生电路、比较电路以及感测电路。电压产生电路用以产生随温度变化的比较电压。感测电路耦接至比较电路，以接收偏压电压。感测电路用以依据偏压电压感测反熔丝的阻态。
反熔丝感测装置及其操作方法

[发明专利]用于感测集成电路互补熔丝装置中的信号的方法-CN200810002046.1无效
发明人： C·科思安达拉曼 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-01-09 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种用于感测集成电路互补熔丝装置中的信号的方法，包括以下步骤：提供具有与反熔丝串联的熔丝的装置，该装置还包括与该熔丝和该反熔丝之间的中间节点相连的输出抽头；对该熔丝和该反熔丝进行编程；穿越该编程的熔丝和该编程的反熔丝的组合施加感测信号
用于集成电路互补装置中的信号方法

[发明专利]非易失性存储装置的单元及具有单元的非易失性存储装置-CN201410268321.X在审
发明人：辛昌熙;曹基锡;全成都;金允章 -专利权人：美格纳半导体有限会社
申请日： 2010-01-11 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：非易失性存储装置的单元包括：反熔丝，具有在输入端子与输出端子之间的第一端子；第一切换部件，耦接于反熔丝的第二端子与接地电压端子之间；第二切换部件，耦接于输入端子与反熔丝的第一端子之间；传输门，耦接于反熔丝的第一端子与输出端子之间；感测放大器，耦接于传输门与输出端子之间，以及第三切换部件，耦接于电源电压端子与传输门和感测放大器的共同节点之间。传输门在写入操作期间使反熔丝的第一端子与输出端子切断连接且在读取操作期间将反熔丝的第一端子与输出端子连接。感测放大器感测及放大在读取操作期间自传输门输出的数据。
非易失性存储装置单元具有

[发明专利]电可编程反熔丝和由它构成的电路-CN200480029253.6有效
发明人：瓦格迪·W·阿巴迪尔;约翰·A·法菲尔德;威廉·R·汤蒂 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-10-04 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种反熔丝器件(120)，包括偏压元件(124)和可编程反熔丝元件(128)，它们彼此串行排列，以便形成具有输出节点(F)的分压器，所述节点位于偏压元件和反熔丝元件之间。当反熔丝器件处于它的非编程状态时，每个偏压元件和反熔丝元件都是非传导的。当反熔丝器件处于它的编程状态时，偏压元件保持非传导，而反熔丝元件是传导的。反熔丝元件在它的非编程态和编程态的阻值的不同导致在输出节点上看到的电压差值，当1V的电压施加在反熔丝器件上时，该差值大约是几百毫伏的数量级。该电压差很高，从而利用简单的感测电路就可感测出。
可编程反熔丝构成电路

[发明专利]具反熔丝型差分记忆胞的随机码产生器及相关感测方法-CN201810360166.2有效
发明人：陈勇叡;黄志豪 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：一种随机码产生器，包括：一记忆胞阵列，包括多个反熔丝型差分记忆胞；一感测电路，具有一输入端与一反相输入端。当该记忆胞阵列中的一第一反熔丝型差分记忆胞被选择为一选定记忆胞时，该选定记忆胞的一位线连接至该感测电路的该输入端，且选定记忆胞的一反相位线连接至该感测电路的该反相输入端。于一读取动作时，该感测电路根据该位线的一第一充电电流以及该反相位线的一第二充电电流判断该选定记忆胞的一储存状态，并决定一随机码的一个位。
具反熔丝型差分记忆随机产生器相关方法

[发明专利]反熔丝-CN201080009454.5有效
发明人：闵元基;杰夫雷·W·珀金斯;凯尔·D·茹科夫斯基;左将凯 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2010-02-02 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：一种反熔丝(40、80、90′)包括具有间隔开的弯曲部分(55、56)的第一(22′、24′)和第二(26′)导电区，以及第一电介质区(44)位于其之间，与所述弯曲部分(55、56)相结合地形成弯曲的击穿区比编程电压低的感测电压用于确定反熔丝的状态是断开(高阻抗)还是接通(低阻抗)。期望，提供与击穿区(47)相邻的浅沟道隔离(STI)区(42)以抑制在编程期间热从击穿区(47)损耗。与利用基本上平面的电介质区(32)的反熔丝(30)相比，观察到较低的编程电压和电流。在又一实施例中，将电阻区(922)插入到具有平面(37)或弯曲(47)击穿区的反熔丝(90、90′)的一个引线(92、92′)中，以改善后编程感测可靠性。
反熔丝

[发明专利]具有熔丝电路的半导体集成电路和半导体存储器件-CN201210085642.7无效
发明人：都昌镐 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2012-03-28 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体集成电路，包括：熔丝；第一驱动单元，所述第一驱动单元被配置为响应于第一熔丝感测信号而驱动感测节点；第二驱动单元，所述第二驱动单元被配置为响应于第二熔丝感测信号而驱动所述感测节点，其中，所述第二驱动单元和所述熔丝形成驱动路径；旁路电阻器单元，所述旁路电阻器单元与所述熔丝并联地连接；以及感测单元，所述感测单元被配置为响应于所述感测节点的电压而感测所述熔丝的编程状态。
具有电路半导体集成电路存储器件

[发明专利]监测电熔丝电阻的系统-CN200510068339.6有效
发明人：庄建祥;陈云升 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-05-08 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种监测电熔丝电阻的系统。该监测电熔丝电阻的系统包括至少一非刷新型感测放大器。该监测电熔丝电阻的系统亦包括至少一熔丝模块，其包括至少一熔丝单元，而该熔丝单元耦接至该感测放大器的第一端点。该监测电熔丝电阻的系统尚包括参考电阻，耦接至该感测放大器的第二端点。其中系统对于介于该熔丝模块与该感测放大器间的电压源节点进行监测以得到该熔丝单元的电阻值。本发明所述的监测电熔丝电阻的系统，不需额外的测试电路。感测放大器可比较选取的电熔丝与参考电阻的电阻值。借着选取特定的选择元件，可于大型熔丝矩阵找出特定的电熔丝，因而可以运用单一感测放大器监测大量的电熔丝。
监测电熔丝电阻系统

[发明专利]存储器单元及存储器系统-CN201910954125.0有效
发明人：黄黎进勇 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2019-10-09 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器单元，存储器单元包括第一反熔丝组件、第一选择晶体管、第二反熔丝组件、第二选择晶体管及感测控制电路。第一反熔丝组件及第二反熔丝组件的第一端耦接于反熔丝控制线。第一选择晶体管根据字符线的电压传送第一位线及第一反熔丝组件的第二端之间的电压。第二选择晶体管根据字符线的电压传送第二位线及第二反熔丝组件的第二端之间的电压。在读取操作中，感测控制电路根据第一反熔丝组件及第二反熔丝组件的状态自第一选择晶体管或第二选择晶体管的第一端提供放电路径至第一系统电压端。
存储器单元系统

[发明专利]记忆体位元单元、记忆体装置及其操作方法-CN202110162675.6在审
发明人：张盟昇;杨耀仁;吴旻信 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：一种记忆体位元单元、记忆体装置及其操作方法，记忆体位元单元包含第一记忆体单元，其是包括第一反熔丝晶体管及第一选择晶体管，第一反熔丝晶体管是对应第一信号而选择为第一状态或第二状态，且第一选择晶体管是配置以对应第二信号而提供第一反熔丝晶体管的存取；第二记忆体单元，其是包括第二反熔丝晶体管及第二选择晶体管，第二反熔丝晶体管是对应第一信号而选择为第一状态或第二状态，且第二选择晶体管是配置以对应第二信号而提供第二反熔丝晶体管的存取；第一字元线，以选择性地提供第一信号；第二字元线，以选择性地提供第二信号；及位元线，以感测第一状态或第二状态。
记忆体位元单元装置及其操作方法

[发明专利]非易失性存储装置的单元及具有单元的非易失性存储装置-CN201010002347.1有效
发明人：辛昌熙;曹基锡;全成都;金允章 -专利权人：美格纳半导体有限会社
申请日： 2010-01-11 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本文公开一种能够通过加强读取操作中的数据感测裕度来提高可靠性的非易失性存储装置的单元，及一种具有该单元的非易失性存储装置。非易失性存储装置的单元包括：反熔丝，其具有在输入端子与输出端子之间的第一端子；及第一切换部件，其耦接于反熔丝的第二端子与接地电压端子之间。
非易失性存储装置单元具有

[发明专利]熔丝状态感测电路、装置和方法-CN201780064978.6有效
发明人：颜燕;崔允荣;J·李 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：熔丝状态感测电路、装置和方法。在一些实施例中，熔丝状态感测电路可包括使能块，其被配置成在基本上与施加电源电压的同时接收到使能信号时，使能由电源电压导致的熔丝电流到熔丝元件的流动。熔丝状态感测电路可进一步包括被适配成控制熔丝电流的量的电流控制块。熔丝状态感测电路可进一步包括判决块，其实施成基于熔丝电流来产生表示熔丝元件的状态的输出，所述输出在电源电压的施加的斜升部分期间产生。
丝状态感测电路装置方法

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