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[发明专利]一种涂层导体用双钙钛矿型缓冲层的制备方法-CN200810232589.2有效
发明人：卢亚锋;李成山;闫果;张国防;王耀;白利锋;张小玲 -专利权人：西北有色金属研究院
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01B12/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种涂层导体用双钙钛矿型缓冲层的制备方法，制备过程为：将金属盐固体按一定摩尔比称量、混合、溶解以配制前驱液，将前驱液旋涂于YSZ和钛酸锶SrTiO₃单晶基片上；将旋涂好的基片置于管式炉中分钟的升温速率加热，在400-500℃下恒温1-3小时，以形成无定形的前驱膜；然后以不低于5℃/分钟的升温速率加热，900-1100℃下恒温1-3小时，再以不低于2℃/分钟的降温速率冷却至室温，即制得双钙钛矿型缓冲层本发明方法工艺简单、成本低，所制备的双钙钛矿型缓冲层具有很好的c轴织构、表面粗糙度小且无微裂纹和孔洞，双钙钛矿型缓冲层与涂层导体的超导层之间晶格匹配良好。
一种涂层导体用双钙钛矿型缓冲制备方法

[发明专利]一种晶体管器件及其制造方法-CN200910089793.8无效
发明人：赵柏儒;付跃举;袁洁;许波;朱北沂;李俊杰;金爱子;曹立新;邱祥冈 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01L29/868 文献下载
摘要：本发明提供一种叠层钙钛矿结构氧化物p-i-n结和一种叠层钙钛矿结构氧化物双极型晶体管及其制造方法，该晶体管包括：氧化物单晶衬底；在衬底上形成的第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层；在第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层的至少一部分上形成的两个分隔开的钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层；在该两个钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层上分别形成的第二导电类型的钙钛矿结构氧化物层；在该两个分隔开的第二导电类型氧化物层上分别形成的第一和第二金属电极；在未被钙钛矿结构氧化物铁电体势垒层和第二导电类型的钙钛矿结构氧化物层占据的第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层上形成的第三金属电极
一种晶体管器件及其制造方法

[发明专利]一种(HC(NH2-CN201910011764.3有效
发明人：李闻哲;范建东;王华民;袁伟南;麦耀华 -专利权人：暨南大学
申请日： 2019-01-07 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：Sub>)2)xR1‑xPbI3钙钛矿单晶探测器及其制备方法base:Sub>)xR1‑xPbI3钙钛矿单晶探测器，由下往上依次包括基板、钙钛矿单晶、电极和银胶，所述两个银胶分别连接导电金丝，所述(HC(NH2)2)xR1‑xPbI3钙钛矿单晶是在HC(NH2)2PbI3钙钛矿生长单晶的溶液中添加不同的金属阳离子形成一种钙钛矿结构，所述R为Cs+
一种 hc nh base sub

[发明专利]一种钙钛矿钛酸铅单晶纳米片的制备方法-CN201210443215.1有效
发明人：韩高荣;钞春英;任召辉;沈鸽 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿钛酸铅单晶纳米片的制备方法，采用两步水热法：首先以钛酸四丁酯为先驱物，用乙二醇单甲醚制得钛的羟基氧化物沉淀，以KOH为矿化剂，制得K2Ti6O13纳米线粉体，然后以制得的K2Ti6O13纳米线粉体为钛源，以八水醋酸铅为铅源，NaOH为矿化剂，二次水热处理，得到四方相的钙钛矿钛酸铅单晶纳米片。本发明工艺过程简单，易于控制，无污染，成本低，易于规模化成产，制得的四方相钙钛矿钛酸铅单晶纳米片结晶纯度高，分散性好。
一种钙钛矿钛酸铅单晶纳米制备方法

[发明专利]操作时间窗口可控调节的钙钛矿溶液、电池、制备方法及应用-CN202110871024.4有效
发明人：吴聪聪;明逸东;梁子辉;李矜;李静;王世敏 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C09D11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种操作时间窗口可控调节的钙钛矿溶液、电池、制备方法及应用，属于钙钛矿太阳能电池领域，其成分包括钙钛矿ABX3，乙腈溶剂和配位型溶剂，A位为甲胺离子将钙钛矿单晶或通过化学计量比配制的碘甲胺与碘化铅粉末置于甲胺气氛中，得到黄色钙钛矿前驱液，或者将钙钛矿单晶或通过化学计量比配制的碘甲胺与碘化铅粉末溶解在甲胺乙醇的溶液中，得到粘稠的黄色钙钛矿前驱液，然后，使用配位溶剂和乙腈混合均匀后，获得钙钛矿墨水。本发明还提供了钙钛矿电池、制备方法和应用。本发明的墨水能实现加工时间窗口的调节，工业适用性极强。
操作时间窗口可控调节钙钛矿溶液电池制备方法应用

[发明专利]混卤全无机钙钛矿单晶X射线探测器-CN202210015176.9在审
发明人：张国栋;张鹏;华云秋;陶绪堂 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及混卤全无机钙钛矿单晶X射线探测器，本发明使用混卤全无机钙钛矿单晶制备X射线探测器，其中，混卤全无机钙钛矿单晶具有优异的电学性能，包括大的电阻率(1010
混卤全无机钙钛矿单晶射线探测器

[发明专利]一种钙钛矿单晶及其制备方法和用途-CN202110373977.8有效
发明人：宁志军;韩聪聪;姜显园 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C07C209/00 文献下载
摘要：本发明提供一种钙钛矿单晶及其制备方法和用途，所述钙钛矿单晶的化学式为A2SnI4，其中，A为选自正丁胺基、异丁胺基、2本发明制备的低维锡基钙钛矿单晶可用于光电探测器件，并对偏振光表现出显著的区分。
一种钙钛矿单晶及其制备方法用途

[发明专利]一种利用低纯度原料制备高质量卤族钙钛矿单晶的方法-CN202310534715.4在审
发明人：赵婕;何松;周佳;俞星宇;王娟娟;钟文康;程抱昌 -专利权人：江西国创院新材料有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：一种利用低纯度原料制备高质量卤族钙钛矿单晶的方法，1）将低纯度的原料放入加热设备中，对加热设备进行升温和负压处理；2）向加热设备腔体内通入惰性气体，保持加热设备腔体稳定在设置的负压状态一段时间；3）将取出的原料按比例混合后，加入溶剂，溶解后的原料经过滤，加入反应容器中，保持单晶生长条件；4）保温保压至单晶生长结束，在容器中获得高质量的卤族钙钛矿单晶。同时还能够利用受潮后的原料制造出高质量的卤族钙钛矿单晶。与现有的常规制备卤族钙钛矿单晶的方法相比，本发明复杂程度相当，但能非常简便的解决了现有技术中存在的问题。
一种利用纯度原料制备质量卤族钙钛矿单晶方法

[发明专利]一种层溶液法生长钙钛矿单晶的方法-CN201910614086.X有效
发明人：钟向丽;吴祎玮;王金斌;晏翀恺;方苗苗;李勃超;李小磊;郭科鑫;单心怡 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种层溶液法生长钙钛矿单晶的方法，属于钙钛矿材料单晶技术领域。和溶液B之间加入溶液A或溶液B的冰冻层，可以减缓溶液A层与溶液B层的混合速率，且两层溶液反应放出的热量会被冰冻层所抵消，从而使得两层溶液之间的反应更加平缓，使晶体成核与生长过程更加平稳，静置培养后所得钙钛矿单晶尺寸大、质量高、单晶晶体表面更加平整。且本发明提供的方法操作简单、不需要精密的生长设备、对实验环境要求低、成本低廉，对于单晶的制备具有更广的普适性。实施例结果表明，使用本发明方法得到的钙钛矿单晶长度可达0.5～2cm，晶体结晶度良好。
一种溶液生长钙钛矿单晶方法

[发明专利]一种大面积无铅钙钛矿单晶膜、制备方法及其应用-CN202211366691.8在审
发明人：李建荣;冯艳;刘浪 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积无铅钙钛矿单晶膜、制备方法及其应用，涉及光电探测技术领域，其技术要点为：本发明的大面积无铅钙钛矿单晶膜的制备方法利用气‑液表面与界面作用，通过调节溶剂和生长条件，得到大面积(C7H16N)2CuBr4钙钛矿结构单晶膜。本发明提供钙钛矿单晶膜的生长方法在理论上面积可以无限制延伸，得到的单晶膜厚度能实现在3‑560μm可调。用厚度560μm的单晶膜制备的X射线探测器光电响应开关比达到91.8，且暗电流低至0.11pA。本发明涉及到的单晶膜的生长方法简单，原料廉价易得，适用于大面积的单晶膜生长，有望在X射线探测器具有潜在应用价值。
一种大面积无铅钙钛矿单晶膜制备方法及其应用

[发明专利]一种连续制备钙钛矿光伏单晶薄膜复合材料的方法-CN202011252885.6有效
发明人：陈庆;曾军堂;司文彬;李钧 -专利权人：山西绿普光电新材料科技有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿光伏单晶薄膜复合材料技术领域，具体涉及一种连续制备钙钛矿光伏单晶薄膜复合材料的方法。纳米微晶粒备用；（2）制备致密层；（3）制备微膜层；（4）制备CH3NH3PbI3钙钛矿单晶薄片，得到钙钛矿光伏单晶薄膜复合材料。本发明降低了钙钛矿层的缺陷，减少晶粒、晶界、孔隙等表面态，提高钙钛矿太阳能电池稳定性。
一种连续制备钙钛矿光伏单晶薄膜复合材料方法

[发明专利]一种钙钛矿单晶薄膜的制备方法及其应用-CN202210657214.0在审
发明人：盛兴;孔德颖;尹斓 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿单晶薄膜的制备方法，所述方法包括如下步骤：S1、在半导体基底上制备一层PbS单晶薄膜；S2、将上述生长有PbS薄膜的所述半导体基底与甲胺卤化物MAX反应生成钙钛矿MAPbX3单晶薄膜，其中，MA为甲胺阳离子，X为ⅦA族阴离子。采用此方法可制备厘米级的钙钛矿MAPbX3单晶薄膜，成本较低，反应温度较低，适合于大批量生产。
一种钙钛矿单晶薄膜制备方法及其应用

[发明专利]一种片状全维度钙钛矿单晶及其制备方法和应用-CN202310100468.7在审
发明人：李自清;洪恩柳;方晓生;苏莉 -专利权人：复旦大学
申请日： 2023-02-12 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电子材料技术领域，具体为一种片状全维度钙钛矿单晶及其制备方法和应用。本发明方法包括：配制钙钛矿前驱体溶液并保温；将微量钙钛矿前驱体溶液滴到疏水基底上；在溶液‑空气界面处自组装，控制生长时间完成晶体生长；根据原料不同可制备全结构维度的钙钛矿单晶。本发明利用十八烷基三氯硅烷来提高液滴的表面张力，相对于平面液滴，曲面液滴促进低维结构乃至三维结构钙钛矿的各向异性生长。本发明克服了现有的低温生长单晶的横纵比低和无法用于平面光电器件的问题，制备工艺简单、效率高；获得的单晶具有高品质、高横纵比等特点，在室温下发射对称的荧光峰，具有优异光电性能；可广泛用于光电探测领域。
一种片状维度钙钛矿单晶及其制备方法应用

[发明专利]太阳能电池制备方法、太阳能电池及叠层太阳能电池-CN202211601215.X在审
发明人：张远方;徐孟雷;杨洁;张昕宇 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及叠层太阳能电池，太阳能电制备方法包括：提供依次层叠的载板和分离辅助层；在分离辅助层远离的载板的表面上形成包括粘接基体及排布在粘接基体中的多个单晶钙钛矿颗粒的钙钛矿吸收层，粘接基体具有相对的第一表面和第二表面，第一表面远离分离辅助层，至少部分单晶钙钛矿颗粒具有相对于第一表面凸出的第一凸面和相对于第二表面凸出的第二凸面，且单晶钙钛矿颗粒表面上形成有功能层；在钙钛矿吸收层上形成第一载流子传输层；在第一载流子传输层上形成第一导电层；去除载板及分离辅助层，在钙钛矿吸收层上形成第二导电层。本申请实施例有利于提高钙钛矿太阳能电池的光电转换能力和稳定性。
太阳能电池制备方法

[发明专利]基于超薄单晶钙钛矿薄膜的柔性光电探测器及其制备方法-CN202010926997.9在审
发明人：彭茹雯;景灏;王牧;王嘉楠;李成尧;何捷 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-09-07 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0203 文献下载
摘要：本发明公开一种基于超薄单晶钙钛矿薄膜的柔性光电探测器，包括自下而上依次布置的支撑层、具有间隔层和活性层的复合结构、电极层；所述支撑层为柔性有机物衬底；所述复合结构被构造为包括柔性云母薄片及生长于柔性云母薄片表面的单晶钙钛矿薄膜进一步，本发明还公开一种柔性光电探测器制备方法，采用机械剥离法制备柔性云母薄片，采用低温溶液法在柔性云母薄片表面生长单晶钙钛矿薄膜，退火处理后获得复合结构。本发明利用具有间隔层和活性层的复合结构和有机支撑层本身的柔性，可以实现高性能的柔性单晶钙钛矿薄膜光电探测器。
基于超薄单晶钙钛矿薄膜柔性光电探测器及其制备方法

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