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[发明专利]一种基于全无机钙钛矿单晶的辐射探测器的制备方法-CN201710133192.7有效
发明人：杨丽军;杨盼;赵晓冲;王劲川 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于全无机钙钛矿单晶的辐射探测器，该辐射探测器包括用于将高能辐射转换成电子‑空穴对的全无机钙钛矿单晶体，以及分别设置在全无机钙钛矿单晶体上方两侧、用于收集电子‑空穴对的两个电极；并且，本发明还提供了采用溶液法、布里奇曼法和蒸镀的结合来制备该辐射探测器的方法，制备工艺简单，操作方便，该辐射探测器中的全无机钙钛矿单晶具有禁带宽度可调、高载流子迁移率、良好的两极电荷传输特性、激子扩散长度超过1μm，而该辐射探测器结构简单
一种基于无机钙钛矿单晶辐射探测器及其制备方法

[发明专利]一种用于光电探测的甲胺铅碘钙钛矿单晶薄片-CN201810572408.4在审
发明人：冀婷;高娟;崔艳霞;梁强兵;李国辉;张叶;王文艳;郝玉英 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明涉及光电信号转换领域，具体是种用于光电探测的甲胺铅碘钙钛矿单晶薄片。一种用于光电探测的甲胺铅碘钙钛矿单晶薄片，按照如下的步骤制作，步骤一、将两块玻璃板成平行关系叠放在一起，使形成一个额定距离的空间，然后将带额定距离的空间的两块玻璃板放置在第一钙钛矿前体溶液中，24‑48 h后生成额定厚度的正六边形单晶薄片种子；步骤二、挑选规则的正六边形单晶薄片种子放置在距离等于额定距离的两块平行关系叠放的玻璃板中，然后放置入第二钙钛矿前体溶液中，24 h后生成厚度等于额定厚度的正六边形单晶薄片成体
单晶薄片光电探测正六边形碘钙甲胺钛矿块玻璃板平行关系前体溶液钙钛矿玻璃板光电信号转换成体叠放制作

[发明专利]低温溶液中生长ABX₃钙钛矿单晶的方法-CN201510254128.5有效
发明人：刘生忠;刘渝城;杨周 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种低温溶液中生长ABX₃钙钛矿单晶的方法，采用连续生长的方法，连续多周期分阶段在低温溶液中快速生长ABX₃钙钛矿单晶，所用溶液浓度大，生长所需原料溶解均匀，增加生长周期和对生长条件的精细控制，很容易得到尺寸大、形状规则、质量高的ABX₃钙钛矿单晶，方法工艺简单、可操作性强；生长条件温和，所需温度低，节能；设备要求低、成本低；成功率高、生长单晶速度快；缺陷少、稳定性好，所得单晶尺寸大(>10mm)×(>10mm)×(>10mm)等优点。从而促进对钙钛矿材料及相关光电器件(包括太阳电池、光探测器、LED及激光器等)的基础机理理论研究。
低温溶液生长 abx sub 钙钛矿单晶方法

[发明专利]一种有机无机复合钙钛矿材料的单晶薄膜及其制备方法和应用-CN201610964168.3有效
发明人：胡劲松;陈尧轩;万立骏 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机无机复合钙钛矿材料的单晶薄膜及其制备方法和应用，所述方法是利用二维限域诱导的溶液以制备有机无机复合大面积钙钛矿的单晶薄膜，该方法对ABX
一种有机无机复合钙钛矿材料薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种钙钛矿器件的制备方法-CN202211553984.7在审
发明人：毕恩兵;文芳;巴前凯 -专利权人：宣城先进光伏技术有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明提供一种钙钛矿器件的制备方法，包括以下步骤：配制钙钛矿前驱体溶液，所述钙钛矿前驱体溶液中含有添加剂，所述添加剂为双胍盐酸盐；采用所述钙钛矿前驱体溶液形成钙钛矿液膜；对所述钙钛矿液膜进行退火得到固态的钙钛矿膜通过在钙钛矿前驱体溶液中添加双胍盐酸盐，使得形成钙钛矿膜之后，钙钛矿晶界处均匀分布有双胍盐酸盐，不仅抑制了相分离现象，提高了钙钛矿晶体结构的稳定性，还提高了钙钛矿膜的结晶性，增大了钙钛矿晶粒的尺寸，降低钙钛矿膜内的缺陷态密度，从而同时提高了钙钛矿太阳能电池的光电转换性能和稳定性。
一种钙钛矿器件制备方法

[发明专利]一种全无机CsPbBr3-x-CN202210600863.7在审
发明人：刘渝城;史瑞新;刘生忠 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2022-05-30 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： C30B7/06 文献下载
摘要：本发明提供一种全无机CsPbBr3‑xIx单晶及其制备方法，该方法是在有机溶剂中，采用升温结晶的办法，通过调节温度、反应物比例、溶液浓度等参数，在低温溶液中生长不同组分的全无机钙钛矿CsPbBr3‑xIx单晶。该制备方法克服了现有的低温生长高体电阻率、低离子迁移钙钛矿单晶的问题，该方法具有单晶生长时间较短、生长温度低、设备要求低、工艺相对简单且可以得到较高品质的钙钛矿单晶等特点。
一种无机 cspbbr base sub

[发明专利]一种生长大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法-CN201810946844.3有效
发明人：丁建旭;袁野;杜松洁;崔洪芝;井琳;程晓华 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种生长大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法，该方法利用逆温度溶解度在富铯生长体系中生长大尺寸零维钙钛矿发光单晶；其中，所述带隙可调谐的大尺寸零维钙钛矿发光单晶的化学式为Cs4<该单晶发光峰半峰宽窄，发光峰位可调控在481‑536nm范围内，半高宽小于25nm，单晶尺寸大。
一种生长尺寸零维钙钛矿发光方法

[发明专利]一种诱导A位混合阳离子碘基钙钛矿单晶有序生长的制备方法及其应用-CN202210659506.8在审
发明人：姚凯;单乐婷;武龙 -专利权人：南昌大学
申请日： 2022-06-13 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种诱导A位混合阳离子碘基钙钛矿单晶有序生长的制备方法及其应用。针对结构通式为APbI3型的A位混合阳离子碘基钙钛矿单晶，通过将碱土金属甲酸盐作为诱导剂引入到A位混合阳离子碘基钙钛矿单晶生长的前驱体溶液中，碱土金属离子对Pb/base:Sup>空位进行钝化来提高B位空位的形成能，与此同时甲酸离子还原碘单质来提高X位碘空位形成能，进而诱导混合A位阳离子的有序排列，大幅提高晶体结构的有序性，最终获得高质量的A位混合阳离子碘基钙钛矿单晶本发明还提供了一种由上述方法制备的A位混合阳离子碘基钙钛矿单晶在半导体光电器件中的应用，所述光电器件包括太阳能电池、X射线探测器及可见光探测器等光电器件的任意一种。
一种诱导混合阳离子碘基钙钛矿单晶有序生长制备方法及其应用

[发明专利]一种mPhDMADPbI4-CN202310527381.8在审
发明人：胡伟;李小燕 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种mPhDMADPbI4二维钙钛矿单晶及其制备方法，所述制备方法采用水溶液法与变速率梯度降温复合法，具体包括以下步骤：(1)mPhDMADPbI<然后移取HI和H3PO2置于所述玻璃瓶中；(2)mPhDMADPbI4二维钙钛矿单晶的制备：将所述玻璃瓶放置在加热台上，加热至充分溶解，然后以变速率梯度降温法待晶体析出，得到mPhDMADPbI4二维钙钛矿单晶。根据本发明提供的制备方法避免了制备过程转化不完全的问题，能够高效率制备高质量的DJ相二维钙钛矿mPhDMADPbI4单晶材料，本发明首次生长出基于mPhDMADI2的DJ相二维钙钛矿单晶，提高晶体生长的纯度。
一种 mphdmadpbi base sub

[发明专利]一种宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法-CN202010136825.1在审
发明人：孙文红;王玉坤;李磊 -专利权人：广西大学
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿太阳能电池、光电探测器以及宽禁带半导体光电材料与器件技术领域，公开了一种宽禁带半导体衬底上旋涂单晶的生长方法，在超声清洗机中用异丙醇、乙醇和去离子水各清洗30分钟，利用紫外臭氧处理衬底15分钟，对宽禁带半导体衬底进行彻底清洗；在经过彻底清洗的宽禁带半导体衬底上采用旋涂仪旋涂碘化铅或无机钙钛矿前体溶液；经过退火处理后，即可得到高质量的碘化铅和钙钛矿单晶薄膜。本发明采用旋涂工艺生长高质量碘化铅和钙钛矿单晶薄膜的技术，通过优化前体溶液的配比以及薄膜生长温度，使用旋涂工艺在宽禁带半导体衬底上生长碘化铅或钙钛矿材料，获得了高质量的外延单晶薄膜，应用于制造高效光电探测器或太阳能电池
一种宽禁带半导体衬底上旋涂单晶生长方法

[发明专利]一种钙钛矿型SrIrO₃单晶薄膜材料的制备方法-CN201510272038.9有效
发明人：刘正太;沈大伟;李明颖;杨海峰;姚岐;刘吉山;樊聪聪 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-05-25 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：本发明提供一种钙钛矿型SrIrO₃单晶薄膜材料的制备方法，包括如下步骤：S1：提供一钙钛矿型衬底；S2：对所述衬底进行清洗处理；S3：对所述衬底进行退火处理；S4：在氧化物分子束外延系统中采用Ir单质靶蒸发源、Sr单质靶蒸发源及氧源，在所述衬底表面外延生长钙钛矿型SrIrO₃单晶薄膜材料。本发明利用氧化物分子束外延技术，通过超高真空设备硬件、单质蒸发源的选择、稳定的蒸发源束流控制、衬底的选取、衬底的处理、薄膜合成参数的稳定控制，制备得到高质量的钙钛矿型SrIrO₃单晶薄膜材料该单晶薄膜相比体材料拥有很大的优势，具有稳定态的钙钛矿型结构，外延薄膜表面是天然的平整解理面，有利于实现电子结构的测试，样品表面的高洁净度使测试更加顺利进行。
一种钙钛矿型 sriro sub 薄膜材料制备方法

[发明专利]一种溶剂浴辅助热处理改善钙钛矿薄膜质量的方法-CN202010514403.3在审
发明人：李祯;杨磊;李志浩;郅冲阳;刘萃;丁晓刚 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明一种溶剂浴辅助热处理改善钙钛矿薄膜质量的方法，属于新材料技术领域；首先，采用旋涂法制备钙钛矿薄膜；然后，将钙钛矿薄膜浸没于极性溶剂和非极性溶剂的混合溶剂中，其中极性溶剂所占体积比0.1％‑10％；最后，将放入钙钛矿薄膜的混合溶剂加热到80‑200℃，保温时间为10‑120分钟；保温后待其自然冷却，将钙钛矿薄膜从混合溶剂中取出，再用非极性溶剂清洗，用惰性气体吹干，并放在加热台上将所述钙钛矿薄膜加热干燥，最后获得改善的钙钛矿薄膜。本发明还可以用于提高钙钛矿单晶或微晶的表面特性，降低表面缺陷和成分偏析，获得高质量的钙钛矿晶体表面。
一种溶剂辅助热处理改善钙钛矿薄膜质量方法

[发明专利]一种增强钙钛矿太阳能电池性能的方法-CN202211270938.6在审
发明人：肖平;赵政晶;赵志国;赵东明;秦校军;蔡子贺;刘云 -专利权人：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司;华能新能源股份有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种增强钙钛矿太阳能电池性能的方法，包括以下步骤：将二维钙钛矿单晶与具有表面配位作用的试剂混合，在三维钙钛矿界面诱导生成二维钙钛矿界面。与现有技术相比，本发明提供了一种二维钙钛矿增强三维钙钛矿太阳能电池性能的策略，采用两步法首先进行二维钙钛矿修饰，基于具有表面配位作用的试剂的化学可修饰特点，实现化学官能团引入，增强界面修饰，从而使二维钙钛矿可控，再进一步优化三维钙钛矿界面，不仅能够体现二维钙钛矿提高稳定性的作用，还可以通过配位修饰，解决二维钙钛矿电学性能差的缺点，实现增强钙钛矿太阳能电池性能的效果。
一种增强钙钛矿太阳能电池性能方法

[发明专利]一种基于种子层辅助生长的连续多层钙钛矿薄膜制备方法-CN201810471191.8在审
发明人：朱瑞;罗德映;杨文强;龚旗煌 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公布了一种基于种子层辅助生长的连续多层钙钛矿薄膜制备方法，首先在基底上制备单晶或多晶钙钛矿前驱薄膜，然后制备金属卤化物种子层；接着基于种子层辅助制备后生长薄膜，通过与种子层材料的配合得到钙钛矿薄膜；多次重复种子层和后生长薄膜的制备得到连续多层钙钛矿薄膜。本发明通过在钙钛矿薄膜表面引入种子层，基于种子层辅助生长连续多层钙钛矿薄膜，得到高品质的连续多层钙钛矿薄膜，降低薄膜内部及表面缺陷密度，抑制非辐射复合，改善发光量子效率，提升器件性能。
钙钛矿薄膜种子层制备多层生长薄膜发光量子效率非辐射复合金属卤化物种子层材料表面缺陷多次重复前驱薄膜提升器件钙钛矿高品质单晶多晶基底引入配合

[发明专利]一种结构梯度变化的钙钛矿材料的制备方法及其应用-CN202110388813.2在审
发明人：陈宇;姜浩天;钟海政 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本申请公开了一种结构梯度变化的钙钛矿材料的制备方法及其应用，所述方法包括：将含有钙钛矿化合物和卤代烃的物料，离子交换和/或空位缺陷钝化，得到所述结构梯度变化的钙钛矿材料；所述钙钛矿化合物为钙钛矿多晶薄膜和/或钙钛矿单晶块体；所述离子交换的条件为：温度为80～140℃；时间为2～20h。本发明制备的钙钛矿材料具有低的缺陷态浓度和连续调制的半导体性能，在光电探测、传感成像、发光显示等半导体光电领域具有广泛的应用前景。
一种结构梯度变化钙钛矿材料制备方法及其应用