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[发明专利]一种大直径上引出线两段式绝缘瓷体喷射熔断器-CN201610715859.X在审
发明人：刘晓强;宋雅男;由仁宽;吴昊 -专利权人：辽宁华隆电力科技股份有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01H85/08 文献下载
摘要：本发明公开一种大直径上引出线两段式绝缘瓷体喷射熔断器，绝缘瓷体的顶部设置有锁紧装置；熔丝与下部熔丝管的接线柱固定并穿过上部熔丝管由所述锁紧装置固定在绝缘瓷体的上端；所述熔丝在中部熔丝管的部分具有直径较小的熔断部，所述熔断部的两端设有防火帽，所述防火帽与上部熔丝管及下部熔丝管间的熔丝的外部套有热缩绝缘层；所述上部熔丝管、下部熔丝管间的轴向内腔内设置弹簧；下部熔丝管的底部固定有冲击头；所述绝缘瓷体的轴向内腔的底部设置封堵本发明可保证熔断后的熔丝呈绝缘状态，避免了熔断位置不好造成的放电现象；此外，本发明利用熔丝管直接压缩弹簧，并且采用了冲击头破坏绝缘瓷体的底部密封堵，因此，可保证下部熔丝管弹出可靠。
一种直径引出段式绝缘喷射熔断器

[发明专利]一种U型导电环且上锁紧喷射熔断器-CN201610715890.3在审
发明人：高伟;林天源;修明巍;宋学真 -专利权人：辽宁华隆电力科技股份有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01H85/05 文献下载
摘要：本发明公开一种U型导电环且上锁紧喷射熔断器，绝缘瓷体的顶部设置有锁紧装置；熔丝与下部熔丝管的接线柱固定并穿过上部熔丝管由所述锁紧装置固定在绝缘瓷体的上端；所述熔丝在中部熔丝管的部分具有直径较小的熔断部，所述熔断部的两端设有防火帽，所述防火帽与上部熔丝管及下部熔丝管间的熔丝的外部套有热缩绝缘层；所述上部熔丝管、下部熔丝管间的轴向内腔内设置弹簧；下部熔丝管的底部固定有冲击头；所述绝缘瓷体的轴向内腔的底部设置封堵本发明可保证熔断后的熔丝呈绝缘状态，避免了熔断位置不好造成的放电现象；此外，本发明利用熔丝管直接压缩弹簧，并且采用了冲击头破坏绝缘瓷体的底部密封堵，因此，可保证下部熔丝管弹出可靠。
一种导电上锁喷射熔断器

[发明专利]一种高可靠性的熔丝逻辑运算电路-CN201911154081.X在审
发明人：张怀东 -专利权人：无锡十顶电子科技有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明提供一种高可靠性的熔丝逻辑运算电路，包括多于一个的单个熔丝电路、逻辑运算电路。其中，多于一个的单个熔丝电路中，单个熔丝电路是指熔丝与上拉器件或者下拉器件的串联，每个单个熔丝电路的输出连接到逻辑运算电路的输入，逻辑运算电路的输出为本电路的输出，逻辑运算电路的功能为，只要有一个单个熔丝电路中的熔丝被烧断，逻辑运算电路的输出与没有熔丝被烧断相比发生逻辑电平翻转。因为熔丝被烧断后有重新被连接的可能性，所以当多于一个熔丝被烧断时，少于被烧断熔丝个数的熔丝被重新连接时，逻辑运算电路的输出电平不会翻转，所以本发明熔丝逻辑运算电路的输出具有可靠性高的优点，本电路实现简单
一种可靠性逻辑运算电路

[发明专利]熔丝安装单元及具有该熔丝安装单元的熔丝盒模块-CN201610149741.5有效
发明人：谭均;吴安祥 -专利权人：阳光电源股份有限公司
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01H85/20 文献下载
摘要：本发明公开了熔丝安装单元及具有该熔丝安装单元的熔丝盒模块。熔丝安装单元能安装两个熔丝，整体呈片状结构，且包括壳体、两个熔丝夹组件、两个接线端子。壳体的相对两侧分别设置一个能收容熔丝的收容槽，壳体的顶部设置有凹槽，凹槽的底部设置有供插拔连接的两个导电连接座。两个导电连接座分别与两个收容槽内的熔丝电性连接。壳体的底部与两个收容槽相对应的位置分别固定两个熔丝夹组件，两个接线端子分别固定在两个熔丝夹组件上且分别通过两个熔丝夹组件与相应的熔丝电性连接；两个接线端子位于壳体的同一侧，可以全部从一端接入和接出线缆。本发明还公开了具有该熔丝安装单元的熔丝盒模块。
安装单元具有熔丝盒模块

[发明专利]可模拟熔断的熔丝电路-CN201310646521.X有效
发明人：刘玉芳;罗先才;徐栋;严淼;沈天平;孙静;徐宵隽 -专利权人：无锡华润矽科微电子有限公司
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明提供一种可模拟熔断的熔丝电路，其包括熔丝、第一置位电路、第二置位电路和锁存器。第一置位电路的输出端与所述熔丝的第一连接端相连；第二置位电路的输出端与熔丝电路的输出端相连；锁存器的输入端与所述熔丝的第二连接端相连，锁存器的输出端与熔丝电路的输出端相连。当熔丝熔断时，由第二置位电路使得熔丝电路的输出端输出熔断信号；当熔丝未熔断且需要模拟熔断时，将第一连接端置位于熔断置位电平，该熔断置位电平使得熔丝电路的输出端输出熔断信号。与现有技术相比，本发明中的可模拟熔断的熔丝电路可以模拟熔丝熔断效果，以在晶圆测试时，先通过所述熔丝电路模拟熔丝熔断来测试芯片的电路性能，从而增加芯片的成品率。
模拟熔断电路

[实用新型]沉浮式海底地震仪的释放机构-CN200920223086.9有效
发明人：庄灿涛;李江;薛兵;朱小毅;陈阳;朱杰;彭朝勇;叶鹏;梁鸿森;刘明辉;杨桂存;周银兴;李建飞;林湛;娄文宇 -专利权人：北京港震机电技术有限公司
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G01V1/04 文献下载
摘要：一种沉浮式海底地震仪的释放机构，包括释放机构、锚组件、连接板，释放机构包括熔丝盘和熔丝，熔丝盘的两端各嵌设熔丝拉块，熔丝拉块上设绕线桩，熔丝盘上设有正负电极、绕线桩、压片，熔丝经由负电极绕过各绕线桩，将各熔丝拉块与熔丝盘固定在一起；锚组件由耦合架、配重架组成，耦合架通过钢丝绳与释放机构的熔丝盘连接；连接板放置在耦合架上，连接板与熔丝盘固定。当给释放机构中的电极通电后，负电极熔丝就开始发生电腐蚀反应，直至最后断开。断开后，熔丝拉块就和整个释放机构分离，这样连接在熔丝拉块上的耦合架也与整个沉浮式海底地震仪分离。
沉浮海底地震仪释放机构

[实用新型]一种高可靠性的熔丝逻辑运算电路-CN201922031038.6有效
发明人：张怀东 -专利权人：无锡十顶电子科技有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高可靠性的熔丝逻辑运算电路，包括多于一个的单个熔丝电路、逻辑运算电路。其中，多于一个的单个熔丝电路中，单个熔丝电路是指熔丝与上拉器件或者下拉器件的串联，每个单个熔丝电路的输出连接到逻辑运算电路的输入，逻辑运算电路的输出为本电路的输出，逻辑运算电路的功能为，只要有一个单个熔丝电路中的熔丝被烧断，逻辑运算电路的输出与没有熔丝被烧断相比发生逻辑电平翻转。因为熔丝被烧断后有重新被连接的可能性，所以当多于一个熔丝被烧断时，少于被烧断熔丝个数的熔丝被重新连接时，逻辑运算电路的输出电平不会翻转，所以本实用新型熔丝逻辑运算电路的输出具有可靠性高的优点，本电路实现简单
一种可靠性逻辑运算电路

[发明专利]用于片上系统重新配置及再利用的熔丝加载架构-CN201980053233.9有效
发明人： L·N·皮尼拉比科;P·戈帕拉普拉姆;A·A·莫特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本申请案涉及用于片上系统SoC重新配置及再利用的熔丝加载架构。可基于熔丝标头将修整数据从裸片上的熔丝加载到寄存器。举例来说，可在所述裸片上识别与一组熔丝耦合的一组寄存器，其中所述一组熔丝可存储将作为熔丝加载程序的一部分被复制到所述寄存器的修整数据。在这些情形中，可在所述修整数据内识别一或多个熔丝标头，且每一熔丝标头可对应于包含熔丝子集的熔丝群组。基于熔丝标头内的一或多个子字段，可确定熔丝地址与寄存器地址之间的映射，且可基于所述映射将所述修整数据从每一熔丝群组复制到一组寄存器中。
用于系统重新配置再利用加载架构

[实用新型]一种熔丝测试结构及硅片-CN201420237723.9有效
发明人：陈金园;黎智;谭志辉 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-05-09 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种熔丝测试结构及硅片，涉及半导体器件制造领域，为解决现有技术中无法在线监控产品上熔丝相关性能的问题而设计；其中，熔丝测试结构包括：用于测试熔丝电阻的测试结构和熔丝，所述测试结构与所述熔丝通过金属线相连本实用新型提供的方案能够轻易测出产品上熔丝的电阻，还可以模拟客户端熔丝烧熔的情况，进而实现在线监控产品上熔丝的相关性能的目的。
一种测试结构硅片

[发明专利]电极的制造方法、熔丝装置及其制造方法-CN201210483777.9有效
发明人：李莹;吴关平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-23 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本公开涉及电极的制造方法、熔丝装置及其制造方法。所述熔丝装置包括：熔丝元件，所述熔丝元件包含相变材料；以及第一电极，所述第一电极与所述熔丝元件接触，并且所述第一电极在与所述熔丝元件接触的部分处具有亚光刻尺寸。根据本公开，熔丝装置的断开电流相比于相关技术能够被减小。
电极制造方法装置及其

[发明专利]一种熔丝结构及电子装置-CN201710060330.3有效
发明人：戚德奎;陈福成 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及一种熔丝结构及电子装置。所述熔丝结构包括：阴极；阳极，与所述阴极间隔设置；熔丝元件，所述熔丝元件的两端分别连接所述阴极和所述阳极；其中，所述熔丝元件的厚度小于所述阴极的厚度，且所述熔丝元件的厚度也小于所述阳极的厚度。通过所述设置可以使所述阴极和所述阳极的厚度与所述熔丝元件的厚度的不同来实现熔丝元件的熔断，而不再在平面上通过使熔丝元件两端宽度大于所述熔丝元件中间宽度的结构实现熔丝元件的熔断，通过所述改变可以减小熔丝元件的尺寸
熔丝元件阴极阳极熔丝结构熔断电子装置结构实现阴极间隔减小

[实用新型]熔管组件及包括其的限流熔断器-CN202020168049.9有效
发明人：张会民;顾奕晟;沈小益;姚鹏;祝海涛;张琴 -专利权人：上海库柏电力电容器有限公司
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01H85/165 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种熔管组件及包括其的限流熔断器，所述熔管组件包括：熔管本体，其具有相对设置的第一端口和第二端口；第一导电密封件和第二导电密封件，其分别与所述第一端口和第二端口密封连接；以及位于所述熔管本体中的熔丝组件，所述熔丝组件包括第一熔丝、第二熔丝和第三熔丝，所述第一熔丝的一端和第二熔丝的一端分别连接至所述第一导电密封件和第二导电密封件，所述第三熔丝的两端分别连接至所述第一熔丝的另一端和第二熔丝的另一端，且所述第一熔丝和第二熔丝的直径都大于所述第三熔丝的直径本实用新型的熔管组件的安全性能高，密封性能好，且具有牢固的机械连接和良好的电连接。
组件包括限流熔断器

[发明专利]电路保护装置-CN202011055159.5在审
发明人：姜斗园;申雅岚 -专利权人：斯玛特电子公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01H85/00 文献下载
摘要：公开了一种电路保护装置，包括：壳体；负温度系数热敏电阻器，其容纳在所述壳体中并包括电阻加热元件、安装在所述电阻加热元件的两侧上的一对电极、以及分别从所述一对电极抽出的第一热敏电阻器引线和第二热敏电阻器引线；以及熔丝，其容纳在所述壳体中并且包括熔丝主体、以及分别连接到所述熔丝主体的两端的第一熔丝引线和第二熔丝引线。这里，所述熔丝主体包括其上形成有镀层的熔丝杆和耦接到所述熔丝杆的两端并具有导电性的一对熔丝盖帽，并且所述第一熔丝引线和所述第二熔丝引线分别接合到所述一对熔丝盖帽。
电路保护装置

[发明专利]用于封装半导体装置的熔丝-CN202210322485.0在审
发明人： E·顿切尔 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L23/62 文献下载
摘要：本申请公开用于封装半导体装置的熔丝。一种设备(图3，300)包括：封装衬底(204)，其具有被配置用于安装半导体管芯(203)的管芯焊盘(201)，以及与管芯焊盘(201)隔开的引线(110)；半导体管芯(203)，其安装在管芯焊盘上；熔丝(306)，其安装到引线(110)，该熔丝具有耦合在熔丝帽(311)和引线之间的熔丝元件(309)，该熔丝具有熔丝主体(307)，其具有围绕熔丝元件的开口，熔丝帽附接到熔丝主体；电连接件(208)，其将半导体管芯耦合到熔丝；和模制化合物(207)，其覆盖半导体管芯、熔丝、电连接件以及封装衬底的一部分，其中引线的一部分从模制化合物中暴露以形成端子。
用于封装半导体装置

[发明专利]测试方法-CN202310586906.5在审
发明人：覃煜 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本公开提供一种测试方法，测试方法包括：设置反熔丝模型为未熔断状态；配置反熔丝模型的熔断条件；将反熔丝模型被配置为，当反熔丝模型满足熔断条件时，将反熔丝模型的未熔断状态调整为熔断状态；其中，熔断条件包括反熔丝模型的编程电压大于或等于预设熔断电压且反熔丝模型的编程时间大于或等于预设熔断时间在本公开中，通过使反熔丝模型在编程电压和编程时间满足熔断条件后熔断，降低了反熔丝模型与实际的反熔丝晶体管的物理特性的差异，从而提高了存储器电路仿真结果的可靠性。同时，通过在反熔丝模型满足熔断条件后，自动地调整反熔丝模型的状态，从而提高了存储器电路仿真的效率。
测试方法