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[发明专利]一种MRAM、温度自适应的MRAM的读取电路及方法-CN202010152753.X有效
发明人：何世坤;张恺烨;熊保玉 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种MRAM、温度自适应的MRAM的读取电路及方法，该电路包括：待测存储位元检测电路、参考存储位元检测电路和比较电路。分别对待测存储位元和参考存储位元施加第一电信号和第二电信号，使得参考存储位元在被第二电信号读取时处于反平行态，此时参考存储位元的电阻介于平行态电阻和反平行态电阻之间。通过比较待测结果和参考结果，就可以得到读取结果。由于参考存储位元为MRAM中的存储位元，故其随温度变化的规律与待测存储位元的变化规律相同，且参考存储位元一直处于反向平行态，故不会出现读扰动。当工艺改变时，参考存储位元会自适应改变，故不需要再进行测试校准。最后，由于存储位元的可读取次数多，所以使用寿命长。
一种 mram 温度自适应读取电路方法

[发明专利]参考装置-CN202180023031.7在审
发明人： G.J.罗格;W.希尔;B.M.罗杰斯;K.西瓦拉曼;Y.C.恩 -专利权人：吉德外科私人有限公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： A61B34/20 文献下载
摘要：一种应用于患者的参考装置，该参考装置包括：支撑板；从支撑板延伸的第一定位元件；从上支撑板延伸的第二定位元件；从上支撑板延伸的第三定位元件；以及适于接收电子取向监测器的电子取向监测器壳体；对接站，其适于接收所述壳体，从而限定相对于患者的解剖结构的外部参考点；其中所述第一定位元件、所述第二定位元件和所述第三定位元件布置成被向下推到患者身上，从而为电子取向监测器提供相对于预定解剖部位的参考取向。
参考装置

[发明专利]存储器电路、系统以及操作方法-CN201010116642.X有效
发明人：黄明杰;许国原 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：该存储单元耦接一字元线以及一位元线。该存储器电路具有一位元线参考电位供应装置，用于供应一位元线参考电位给该位元线。该位元线参考电位供应装置使该位元线参考电位相对于一电源电位的比值是根据该电源电位而调整的。本发明的存储单元内无论存储逻辑数据‘0’或逻辑数据‘1’皆可正确地被感测放大器感测到。
存储器电路系统以及操作方法

[发明专利]记忆体装置-CN201811582708.7有效
发明人：吴瑞仁;简汎宇;黄圣财;郑君华 -专利权人：北京时代全芯存储技术股份有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种记忆体装置包含记忆体阵列、位元线驱动电路、字元线驱动电路、读写电路、控制器、参考驱动电路。记忆体阵列包含多个记忆体单元。位元线驱动电路用以解译记忆体位元地址并驱动位元线。参考驱动电路用以驱动参考行。参考行包含多个参考单元。参考行与多个参考单元位于记忆体阵列里。本实施可依据需求调整至单记忆体单元模式或双记忆体单元模式。
记忆体装置

[实用新型]记忆体装置-CN201822173521.3有效
发明人：吴瑞仁;简汎宇;黄圣财;郑君华 -专利权人：江苏时代全芯存储科技股份有限公司;铨芯科技股份有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种记忆体装置包含记忆体阵列、位元线驱动电路、字元线驱动电路、读写电路、控制器、参考驱动电路。记忆体阵列包含多个记忆体单元。位元线驱动电路用以解译记忆体位元地址并驱动位元线。参考驱动电路用以驱动参考行。参考行包含多个参考单元。参考行与多个参考单元位于记忆体阵列里。本实施可依据需求调整至单记忆体单元模式或双记忆体单元模式。
记忆体单元记忆体阵列驱动电路参考行位元线字元线参考驱动电路记忆体装置参考单元读写电路控制器驱动解译读取需求调整记忆体体位重置字元写入

[发明专利]数字模拟转换器及其转换方法-CN200810003209.8有效
发明人：邱郁文;黄俊尧 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2008-01-14 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H03M1/66 文献下载
摘要：此数字模拟转换器包含X位元电压数字模拟转换部分以及Y位元电流数字模拟转换部分。X位元电压数字模拟转换部分会对应于X位元MSB子字产生中间电压。Y位元电流数字模拟转换部分会对应于该中间电压产生参考电流，并输出将参考电流乘以参数而得的电流信号，其中此参数对应于Y位元LSB子字。此外，本发明亦揭露一种数字模拟转换方法。
数字模拟转换器及其转换方法

[发明专利]一种MRAM芯片的物理不可克隆函数生成方法及装置-CN201710805331.6在审
发明人：简红;蒋信 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G06F21/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种MRAM芯片的物理不可克隆函数生成方法及装置，所述方法从MRAM芯片中任意选择一个磁性隧道结MTJ位元作为参考位元，依次将MRAM芯片中预设数量的其他磁性隧道结MTJ位元的电阻与参考位元的电阻进行比较本发明的装置包括初始化模块、参考位元选择模块、比较模块和PUF生成模块。本发明的方法及装置，生成的PUF函数的数量和复杂程度与芯片的容量成正比。
芯片物理不可克隆函数参考位元磁性隧道结逻辑状态图电阻位元初始化模块比较模块记录比较生成模块选择模块成正比预设

[发明专利]基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成方法及装置-CN201710804696.7在审
发明人：简红;蒋信 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G06F21/73 文献下载
摘要：本发明公开了基于一次性可编程MRAM的物理不可克隆函数生成方法及装置，所述方法从OTP MRAM芯片中任意选择一个被击穿的磁性隧道结MTJ位元作为参考位元，将参考位元的电阻和OTP MRAM芯片中其他被击穿的磁性隧道结MTJ位元的电阻做比较，记录比较结果，生成逻辑状态图，利用所述逻辑状态图生成OTP MRAM芯片的物理不可克隆函数PUF。本发明的装置包括参考位元选择模块、比较模块和PUF生成模块。本发明的方法及装置，生成的PUF函数的数量和复杂程度与芯片的容量成正比。
物理不可克隆函数参考位元芯片一次性可编程磁性隧道结逻辑状态图电阻击穿位元比较模块记录比较生成模块选择模块成正比

[发明专利]寻找公共最佳参考电压的方法、存储系统-CN202210343438.4在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：英韧科技（上海）有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请涉及数据存储技术领域，公开了一种寻找公共最佳参考电压的方法、存储系统。所述方法包括：提供在不同时间间隔下各个位元存储单元对应的参考电压偏移量和边界位元存储单元对应的1计数差值电压偏移量的查找表；当存储系统存在发生UECC或误码率超出标准的存储颗粒时，检测所述边界位元存储单元当前的1计数差值电压偏移量，并且，以所述当前1计数差值电压偏移量为索引在所述查找表中获取各个位元存储单元相对应的参考电压偏移量；将所述相对应的参考电压偏移量施加到所述存储系统所有存储颗粒的初始公共参考电压上。本申请可以精确调整参考电压。
寻找公共最佳参考电压方法存储系统

[发明专利]影像压缩/解压缩装置及其方法-CN200410006420.7无效
发明人：姚舜晏;毛清龙;范美华 -专利权人：德鑫科技股份有限公司
申请日： 2004-03-02 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： H04N1/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种影像压缩/解压缩装置及其方法，该装置包含：一影像转换器，用以将输入的影像数据中的每一画素转换为具有二进制数值的一位元阵列，该位元阵列中同一行位于同一位元平面；一内容模具，耦合于该影像转换器，该内容模具包含一内容模型样板与一内容模型，该内容模具根据该内容模型样板以及与其搭配的该内容模型形状，对输入的该位元阵列中的一欲压缩位元取得具有相同位元平面的多个参考内容位元；以及一算术编码器，耦合于该内容模具，用以配合该内容模具，以根据该多个参考内容位元所提供的信息，对该欲压缩位元编码。
影像压缩解压缩装置及其方法

[实用新型]光学成像装置的参考光标定位结构-CN201920628434.4有效
发明人：熊全宾 -专利权人：矽创电子股份有限公司
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： G02B27/01 文献下载
摘要：本实用新型关于一种光学成像装置的参考光标定位结构，其包含一基板与至少一光学定位元件，光学定位元件设置于基板上，且分别设置于光学成像装置的一壳体的一侧面，使光学定位元件可提供至少一参考定位光标于壳体的侧面，供使用者藉由参考定位光标定位光学成像装置所投射的影像，以提高影像定位的准确性与便利性。
光学成像装置参考光标定位结构

[发明专利]一种存储计算阵列和存储设备-CN202111031370.8在审
发明人：孙一慧 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本申请公开了一种存储计算阵列，包括阵列排布的存储单元，存储单元包括多个存储节点，存储节点包括开关器件和磁性存储器件，磁性存储器件包括多个磁隧道结位元，磁隧道结位元至少具有三种阻态，磁隧道结位元包括由下至上依次层叠的第一参考层、第一势垒层、自由层、第二势垒层、第二参考层。本申请中每个磁性存储器件包括多个磁隧道结位元，每个磁隧道结位元至少有三种阻态，开关器件可以使得磁隧道结位元处于不同的阻态，磁隧道结位元阻态种类增多，可以存储的信息量增多，所以可以减少磁隧道结位元的数量，
一种存储计算阵列设备

[发明专利]定位元件-CN201310247227.1有效
发明人：弗兰克·戈梅尔 -专利权人：李尔集团有限公司
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01R13/629 文献下载
摘要：本发明涉及可借助成型件制造的壳体部件，具有至少一个装在壳体部件的一内侧上的定位元件。定位元件由壳体部件的成型件的相同成型件半部制造，借助该半部可制造壳体部件的一个壳体外侧。定位元件是壳体部件的组成部分，定位元件形成至少一参考表面。定位元件由制造壳体的此类部件所借助的相同成型件半部制造，应当借助定位元件向其连接或附接壳体的另一部件或要安装在壳体上和/或中的部件。由此组装时的公差能根据定位元件确定。定位元件和被分配和附属的参考表面将壳体另一部件或要装在壳体上和/或中的部件的位置限定在其相对该壳体部件的位置。
定位元件壳体部件成型件壳体半部制造参考表面位置准确性位置限定公差附接组装附属期望分配

[发明专利]锯齿波浪位元值侦测电路-CN200310103294.2有效
发明人：徐哲祥 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2003-11-04 - 公布日： 2005-05-11 - 主分类号： G11B7/00 文献下载
摘要：一种锯齿波浪位元值侦测电路，用来侦测一基频率为f_wob的波浪信号的锯齿波浪的位元值。该侦测电路包含：一第一带通滤波器，是以中心频率高于基频率来过滤该波浪信号，并产生一第一滤波信号；一第二带通滤波器，是以中心频率为基频率来过滤该波浪信号，并产生一第二滤波信号；一第一比较器，是比较第一滤波信号与一参考电压，并产生一二倍频信号；一第二比较器，是比较第二滤波信号与一参考电压，并产生一基频信号；一时脉产生器，是根据基频信号产生两倍频率的参考时脉；以及一位元值辨别单元，是根据二倍频信号与参考时脉来判断锯齿波浪的位元值
锯齿波浪位元侦测电路

[发明专利]获得NVM位元的I-V曲线的数字方法-CN201210029471.6有效
发明人：何晨;理查德·K·埃谷奇 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2012-02-10 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G11C29/04 文献下载
摘要：本公开涉及获得NVM位元的I-V曲线的数字方法。通过改变数字寄存器设置值，并且搜索每个Iref值时每个位元的转变栅极电压(Vg)，以便在测试模块或电路(110)的控制下使用可数字调整的栅极电压控制电路(117)和参考电流电路(123)获得位元I-V曲线，通过改变Iref值，在用户测试/诊断模式期间使用参考电流(Iref)值和相关联的数字寄存器设置值的校准表(160)。
获得 nvm 位元曲线数字方法

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