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[实用新型]段差与厚度量测设备-CN202221555928.2有效
发明人：呼冠宇;尚天文;刘磊;龚青云 -专利权人：蓝思精密（泰州）有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了段差与厚度量测设备，涉及成品量测设备领域。用于对锁附版I/O小件锁附的精度进行高效率的量测，有效解决了手动量测人力成本高，产率低，重复性检测精度低，合格率低等缺点，以及旧机台量测方法单一、无法量测锁附深度问题。所述量测设备包括送料模组、段差量测模组、推料模组、压料模组、CCD厚度量测模组以及收料模组。采用超高速轮廓量测仪与工业相机替代高度规人工量测，解决了量测的精度、成本、工时、良率的问题；采用双工位分别检测，Z高段差量测精度以及锁附深度量测精度高。
厚度设备

[实用新型]多工位自动检测电池厚度分选装置-CN200820074146.0无效
发明人：祁剑明;杨华通 -专利权人：天津力神电池股份有限公司
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： B07C5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种结构简单、安全可靠的多工位自动检测电池厚度分选装置。本实用新型多工位自动检测电池厚度分选装置，通过下述技术方案予以实现，所述装置包括厚度分档装置和自动吸起装置，所述分档装置包括滑动板支架，滑动斜面，厚度依次减小的第一档次厚度量块组、第二档次厚度量块组和第三档次厚度量块组，固定块组，测厚杆和对射传感器，所述自动吸起装置包括主固定架、气缸固定架、吸盘固定架、真空吸盘、水平导杆气缸、竖直导杆气缸和连接板。本实用新型该装置，特别适于目前企业需求自动检测、高效率的检测厚度分选区域，也可用于检测批类零、部件的厚度一致性等广泛领域，该装置可根据需要检测厚度的不同标准配做不同的厚度量块，以实现不同需求的检测。
多工位自动检测电池厚度分选装置

[发明专利]一种量测宽度的方法-CN201410400727.9在审
发明人：刘智敏 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2014-08-14 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体缺陷分析领域，尤其涉及一种量测宽度的方法，该方法应用于量测光刻工艺中的EBR/WEE区域，首先在EBR/WEE交界区域选取若干厚度量测点，然后对这些厚度量测点进行测量，由第一个厚度达到正常值的位置坐标计算出该量测点距离晶边的距离，这个距离就是EBR/WEE在所选区域的量测值。该方法操作简单，操作性低，两侧结果重复性高，误差较小，且量测结果可实时经由统计过程控制系统管控。
一种宽度方法

[发明专利]外延薄膜的厚度量测方法-CN201710050182.7在审
发明人：洪世玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种外延薄膜的厚度量测方法，其包括下列步骤。提供第一衬底，第一衬底具有成长区域；将第一衬底置于腔体中进行第一外延工艺，以于成长区域上选择性地成长第一外延薄膜；量测第一外延薄膜的片电阻值以及厚度；重复上述步骤至少一次，以建立第一外延薄膜的片电阻值与厚度的关连；将第二衬底置于腔体中进行第二外延工艺，以于第二衬底上选择性地成长出第二外延薄膜；以及量测第二外延薄膜的片电阻值，并且根据第二外延薄膜的片电阻值以及第一外延薄膜的片电阻值与厚度的关连计算出第二外延薄膜的厚度
外延薄膜片电阻衬底成长区域厚度量测外延工艺量测腔体重复

[发明专利]化学机械研磨装置以及研磨方法-CN200410103533.9有效
发明人：陈承先;黄雅仪;高铭祥;林义雄;郭祖宽 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-12-29 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于研磨半导体晶圆基材的化学机械研磨装置及研磨方法，该装置适用于研磨一晶圆上的一材料层，其包括一底座、数个研磨头、数个研磨垫、一度量器以及一控制器。该研磨头是设置于该底座之上；该研磨垫是设置于该底座之上；该度量器是设置于该底座之上，并且是位于该研磨垫中的两个相邻研磨垫之间，用以量测该材料层的厚度。该控制器是连接于该研磨垫以及该度量器；该研磨方法是在该研磨垫中的至少一个第一个研磨垫上研磨该材料层；以该度量器量测该材料层的厚度；以及在该研磨垫中的至少一个第二个研磨垫上将该材料层研磨成一目标厚度。
化学机械研磨装置以及方法

[发明专利]光刻胶厚度的计算方法-CN202211492038.6在审
发明人：樊航;宋振伟;张其学;郭星;冯晨 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻胶厚度的计算方法，所述方法包括：提供晶圆，并在不同转速下于晶圆表面形成光刻胶层；获取形成于不同转速下的所述光刻胶层的厚度量测值；通过计算得到不同转速下的所述光刻胶层的厚度理论值；基于不同转速下的所述厚度量测值及所述厚度理论值进行拟合通过本发明解决了以现有的光刻胶厚度计算方法计算光刻胶厚度得到的结果不精确的问题。
光刻厚度计算方法

[发明专利]离子植入的在线检测方法-CN201010593427.9无效
发明人：阳厚国 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种离子植入的在线检测方法，通过利用后继氧化制程所生成的SiO2氧化层厚度同本底杂质的对应关系，借助于一般厚度量测机台，对经过离子植入和氧化制程的测试样片进行薄膜厚度量测，可得出离子植入所达到的植入离子浓度
离子植入在线检测方法

[实用新型]一种全贴合产品胶层厚度量测设备-CN201922425062.8有效
发明人：朱思翔 -专利权人：苏州桐力光电股份有限公司
申请日： 2019-12-29 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：一种全贴合产品胶层厚度量测设备，包括设备本体，所述设备本体上设置有测量平台，所述待检测产品放置在所述测量平台上，所述测量平台的上方设置有光谱位移传感器测头，所述光谱位移传感器测头通过支撑架悬空设置，所述光谱位移传感器测头对准所述待检测产品，所述光谱位移传感器测头通过光纤与所述控制器连接，所述控制器连接PC端；本方案设计的全贴合产品胶层厚度量测设备，通过光谱位移传感器测头产生的光射线穿过所述待检测产品，利用光的反射原理，在待检测产品不同层面形成波峰，通过PC端的计算程序自动量测两波峰之间的距离，从而计算出厚度值。
一种贴合产品厚度设备

[实用新型]一种超精密塑料镜片半成品厚度量测装置-CN202121528291.3有效
发明人：徐正翰 -专利权人：东莞新旭光学有限公司
申请日： 2021-07-06 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超精密塑料镜片半成品厚度量测装置，包括基板，所述基板正面的中心处栓接有置中限位柱，所述基板的正面轴向固定连接有粗定位限位机构，所述基板的正面轴向固定连接有物料顶针点限位机构，所述粗定位限位机构位于物料顶针点限位机构的内侧，所述物料顶针点限位机构的外侧固定连接有待测物通孔透光块，本实用新型提供一种超精密塑料镜片半成品厚度量测装置，通过基板、置中限位柱、粗定位限位机构、物料顶针点限位机构和待测物通孔透光快的配合，待测分析物料不会被破坏，样品能够保留至下一个制程工站，降低对物料的量测误差，同时半成品不需要拆解，提升量测效率。
一种精密塑料镜片半成品厚度装置

[发明专利]半导体膜厚度量测校准标准片及其制造方法-CN201310695221.0有效
发明人：刘媛娜;尹正朝;周欣洁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体膜厚度量测校准标准片及其制造方法，所述校准标准片包括晶圆基片以及位于所述晶圆基片表面的至少2个不同膜厚等级的图案区域。本发明由于在同一片标准片上形成多个厚度等级的图案区域，进而可以采用同一片标准片对多个厚度等级进行校准。与现有技术相比，本发明可节省购买标准片的开支，提高了薄膜厚度量测机台对产品的量测利用率和操作人员的工作效率，同时也降低了标准片晶圆的破片机率和管控的效率。
半导体厚度校准标准及其制造方法

[实用新型]一种硅盘厚度量测装置-CN202122378628.3有效
发明人：郑人豪 -专利权人：合盟精密工业（合肥）有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G01B5/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅盘厚度量测装置，包括底座、对称设置在所述底座上的两条滑轨、滑动固定在所述滑轨上的滑动支撑盘，所述滑动支撑盘沿其半径长度方向开设有一通槽，所述通槽平行于所示滑轨方向设置；所述底座上设置有缺口通过设置滑动支撑盘对硅盘进行支撑，降低量测难度，节约人力，避免对硅盘的损伤；通槽的设置保证分厘卡可以顺利卡在硅盘的上、下两侧，并对不同位置进行厚度量测，保证检测的准确性，提升产品的合格率。
一种厚度装置

[发明专利]厚度测量系统与方法-CN201910883517.2有效
发明人：刘晏宏;吴建志;陈哲夫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：一种厚度量测系统与方法。厚度测量系统包含工厂接口、沉积工具以及至少一测量装置。工厂接口用以乘载晶圆。沉积工具耦接于工厂接口，并用以处理从工厂接口传送的晶圆。至少一测量装置设置于工厂接口、沉积工具或其组合之内。至少一测量装置用以执行晶圆上的材料的厚度的即时量测，其中晶圆由工厂接口或沉积工具乘载。
厚度测量系统方法

[发明专利]光纤干涉式厚度测量装置及其测量方法-CN200410091869.8无效
发明人：林志泉 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2004-12-25 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种光纤干涉式厚度测量装置，其包括一测量光源、一光耦合器、一第一光纤、一第二光纤、一电光调制器、一光感知器，一信号处理器和一正弦信号产生器，其中，该测量光源连接至光耦合器，该光耦合器分别连接该两光纤的输入端，该电光调制器设置在该两光纤之一上，该光感知器连接至该光耦合器，并将包含厚度量测信息的干涉光信号转变成包含厚度量测信息的电信号输出至信号处理器。本发明还涉及一种应用该光纤干涉式厚度测量装置的测量方法。
光纤干涉厚度测量装置及其测量方法

[实用新型]水泥板块厚度量测器-CN201220725442.9有效
发明人：朱宝君;危鼎;王桂玲;张涛;薛铁;苗冬梅;马洪娟;周洪涛;王强;王国欣;杜佐龙 -专利权人：中国建筑第八工程局有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G01B5/06 文献下载
摘要：本实用新型为一种水泥板块厚度量测器，包括了一主杆、支脚以及一控制盘；所述主杆上具有一标记，并在末段处设有外螺纹区，所述支脚可提供主杆站立，并可在主杆上随意移动，以调整支脚相对于主杆的位置，所述的控制盘是以可移动的方式设置在主杆上，藉此则可利用主杆以及控制盘之间的高度来控制或是量测水泥浇筑所形成板块的厚度。
水泥板块厚度量测器

[发明专利]以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法-CN200610171772.7有效
发明人：白世杰;马宏 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-12-29 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：进行第一厚度量测步骤，量测目标层的厚度。进行第二干蚀刻工艺，根据在第一厚度量测步骤所量测到的目标层厚度决定出蚀刻时间，继续蚀刻掉一部分的目标层厚度，形成该熔丝窗。
阶段蚀刻方式半导体基材形成熔丝窗方法