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[发明专利]一种太赫兹探测器芯片的三维封装结构-CN202310194573.1有效
发明人：涂学凑;吴强强;王卧虎;周淑宇;赵清源;张蜡宝;贾小氢;陈健;王华兵;康琳;吴培亨 -专利权人：南京大学
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种太赫兹探测器芯片的三维封装结构，其MEMS硅腔体盖帽层位于太赫兹探测器芯片的上方，盖住太赫兹探测器芯片的探测部分；金属平面反射镜位于太赫兹探测器芯片的背面，对入射到太赫兹探测器芯片衬底的信号进行反射；MEMS硅腔体盖帽层、太赫兹探测器芯片、金属平面反射镜三者堆叠互连构成复合谐振结构，使得探测器芯片处的电场谐振增强。本发明改变盖帽层深硅刻蚀的厚度可以实现探测器芯片处的电磁场能量增强，提高探测器的灵敏度；改变探测器衬底厚度、MEMS硅腔体盖帽硅层厚度与空气腔厚度可以实现不同谐振频率的探测和滤波效果，提高太赫兹探测器芯片三维封装的设计自由度
一种赫兹探测器芯片三维封装结构

[发明专利]基于测厚仪温度补偿的厚度测量方法、系统及相关设备-CN202310232382.X在审
发明人：刘晓奇;谢尧城;邓景扬;徐地华;范斌;晏俊景 -专利权人：广东正业科技股份有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G01B15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于测厚仪温度补偿的厚度测量方法、系统及相关设备，方法包括：根据测厚仪对待测产品进行厚度测量；获取上述测厚仪中探测器的内部温度值以及上述内部温度值对应的探测器输出均值，其中，上述内部温度值对应的探测器输出均值是该内部温度值下探测器输出值的均值；根据上述内部温度值和上述探测器输出均值，通过预设的探测器温度补偿模型获取探测器补偿输出值；根据上述探测器补偿输出值获取上述待测产品的测量厚度值。本发明有利于提高厚度测量的准确性。
基于测厚仪温度补偿厚度测量方法系统相关设备

[实用新型]玻璃厚度测量装置-CN201821969804.2有效
发明人：孔祥杭;刘强;潘涛;肖波 -专利权人：成都光明光电股份有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： G01B7/06 文献下载
摘要：本实用新型属于玻璃测量技术领域，具体公开了一种玻璃厚度测量装置，旨在解决采用厚度卡尺进行人工测量存在较大测量误差的问题。该玻璃厚度测量装置，包括控制器、显示器、冷却箱和玻璃厚度探测器；冷却箱内设有冷却通道，玻璃厚度探测器设置在冷却箱内；显示器和玻璃厚度探测器均与控制器电连接。该玻璃厚度测量装置通过在冷却箱内设置玻璃厚度探测器来测量玻璃厚度，并在冷却箱内设置了冷却通道用于通入冷却介质进行冷却，以保护玻璃厚度探测器的探测端，使其在测量过程中不受外界温度或玻璃温度的影响，进而保证了玻璃厚度探测器的测量精度，从而大大提高了该装置测量玻璃厚度的精准度。
厚度探测器玻璃玻璃厚度测量装置冷却冷却通道显示器测量本实用新型玻璃测量测量玻璃测量过程控制器电冷却介质人工测量装置测量控制器精准度冷却箱探测端卡尺保证

[发明专利]探测器系统和辐射成像装置-CN201811580796.7在审
发明人：田阳;李玉兰 -专利权人：同方威视技术股份有限公司;清华大学
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本公开提供了一种探测器系统和辐射成像装置。探测器系统包括：探测器，包括重叠设置的多层探测器层，探测器层包括探测器元件层，多层探测器层中至少部分探测器层沿探测器层的厚度方向可移动；距离调节装置，与多层探测器层中至少部分探测器层驱动连接，距离调节装置通过沿探测器层的厚度方向移动至少部分探测器层调节探测器的相邻的探测器层的层间距离辐射器成像装置包括前述的探测器系统。本公开的探测器系统和辐射成像装置利于实现全方向、高效率和高角度分辨的探测效果。
探测器层探测器系统辐射成像装置多层探测器距离调节装置探测器探测器元件层间距离成像装置角度分辨驱动连接重叠设置辐射器高效率可移动探测移动

[实用新型]探测器系统和辐射成像装置-CN201822172193.5有效
发明人：田阳;李玉兰 -专利权人：同方威视技术股份有限公司;清华大学
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本公开提供了一种探测器系统和辐射成像装置。探测器系统包括：探测器，包括重叠设置的多层探测器层，探测器层包括探测器元件层，多层探测器层中至少部分探测器层沿探测器层的厚度方向可移动；距离调节装置，与多层探测器层中至少部分探测器层驱动连接，距离调节装置通过沿探测器层的厚度方向移动至少部分探测器层调节探测器的相邻的探测器层的层间距离辐射器成像装置包括前述的探测器系统。本公开的探测器系统和辐射成像装置利于实现全方向、高效率和高角度分辨的探测效果。
探测器层探测器系统辐射成像装置多层探测器距离调节装置探测器探测器元件层间距离成像装置角度分辨驱动连接重叠设置辐射器高效率可移动探测移动

[发明专利]测厚系统、测厚方法及计算机可读存储介质-CN202210346009.2在审
发明人：晏亮杰;石钦鹏 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G01B15/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种测厚系统、测厚方法及计算机可读存储介质，测厚系统，包括发生器及探测器，用于对目标件进行测厚，以得到测量厚度值；位移检测器，用于检测发生器与探测器之间的位移变化，并得到对应的检测信号；控制器，与发生器、探测器及所述位移检测器通讯相连，用于根据检测信号计算得到一补偿量，以使测量厚度值更趋近于实际厚度值。通过该补偿量，能够补偿发生器与探测器测量的目标件的测量厚度值，进而使测量厚度值趋近于目标件的实际厚度值。故能够实时检测发生器与探测器之间的位移变化，并对测量厚度进行补偿，因此，提高了厚度检测精度。
系统方法计算机可读存储介质

[发明专利]红外探测器、混成芯片及其背减薄划痕处理方法-CN202110503440.9在审
发明人：李海燕;曹凌霞 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器、混成芯片及其背减薄划痕处理方法。红外探测器混成芯片背减薄划痕处理方法，包括：将红外探测器混成芯片减薄至预设厚度；去除减薄至预设厚度的红外探测器混成芯片中光敏芯片的边缘区域；将去除光敏芯片边缘区域的红外探测器混成芯片磨抛至目标厚度，预设厚度大于目标厚度采用本发明，通过将红外探测器混成芯片减薄至预设厚度，实现大部分光敏芯片厚度的去除，混成芯片因一部分的应力释放面型情况会得到优化，整体平面度会得到提高。另外，增加刻蚀或腐蚀工艺，形成光滑的光敏芯片器件边缘，降低在后续磨抛工艺中出现材料渣、划痕的可能性，同时通过几十微米厚度的去除，去除前面减薄过程中出现的划道。
红外探测器混成芯片及其背减薄划痕处理方法

[发明专利]优化阻挡杂质带探测器阻挡层厚度的方法-CN201610125888.0有效
发明人：王晓东;王兵兵;潘鸣;侯丽伟;谢巍;关冉;臧元章;汪瑞;周德亮 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种优化阻挡杂质带探测器阻挡层厚度的方法，首先通过数值模拟及数据拟合得到阻挡杂质带探测器的最佳阻挡层厚度，该厚度能使探测器获得高响应率的同时也具有低的噪声，进而根据优化后的结果设计并制作了高性能阻挡杂质带探测器该方法的优点在于，可以针对不同材料体系及不同外延工艺得到的阻挡杂质带探测器提取出相应的最佳阻挡层厚度，由此设计的探测器性能将具有最优值，从而避免为了提高器件性能而进行反复试片，极大地降低了研发成本。
优化阻挡杂质探测器厚度方法

[发明专利]一种汽车刹车片的厚度检测装置-CN202110392355.X在审
发明人：陈林;徐超;周强 -专利权人：绍兴五创电子科技有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： G01B17/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种汽车刹车片的厚度检测装置，包括若干个厚度检测头，所述厚度检测头包括底座、超声波距离探测器、控制器和保护套筒，所述底座固定在汽车刹车卡钳的支撑板之上，所述超声波距离探测器固定在底座之外且探测端朝向汽车刹车盘设置，所述保护套筒套设在超声波距离探测器之外且可在底座和汽车刹车盘之间水平弹性移动，所述超声波距离探测器和控制器电连接，通过在厚度检测头的超声波距离探测器之外设置保护套筒，从而对超声波距离探测器起保护作用，同时通过环绕设置若干个偏离检测头，在厚度检测工作进行期间，实时检测汽车刹车片的磨损程度是否均一。
一种汽车刹车片厚度检测装置

[发明专利]优化阻挡杂质带探测器噪声的方法、系统及介质-CN202010215108.8有效
发明人：王晓东;陈雨璐;王兵兵;张传胜;童武林;胡永山;于春蕾;张皓星;刘文辉 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种优化阻挡杂质带探测器噪声的方法、系统及介质，首先通过数值模拟及数据拟合得到在特定工作偏压及特定工作温度下，探测器噪声频谱密度关于不同阻挡层厚度的函数式，根据该函数式及设计的噪声频谱密度提取出相应的定制阻挡层厚度，按照该阻挡层厚度进行制作的探测器可使噪声频谱密度满足设计要求。该方法的优点在于，可以针对不同材料体系及不同工艺条件得到的阻挡杂质带探测器提取出噪声频谱密度与阻挡层厚度的关系，得到在特定工作偏压及特定工作温度下的定制阻挡层厚度，由此设计并制作的探测器噪声频谱密度将满足设计要求，避免为了优化探测器噪声设计而进行反复试片，极大地缩短了探测器的研发周期并降低了研发成本。
优化阻挡杂质探测器噪声方法系统介质

[发明专利]一种伽马探测器、成像系统及实时成像方法、设备及介质-CN202110404777.4在审
发明人：刘亚强;赵波;马天予;王石;吴朝霞 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种伽马探测器、成像系统及实时成像方法、设备及介质，其中，伽马探测器包括：至少两层伽马探测器环，其中，每层所述伽马探测器环包括预设数量探测器单元，每一个探测器单元由一组晶体和电子学模块相耦合而成，且每个所述晶体的厚度小于或等于预设厚度值。本发明实施例的技术方案可以在保证探测效率的同时，大幅改善探测到湮灭事件的时间分辨率，使其探测信号可以用于PET实时成像。
一种探测器成像系统实时方法设备介质

[发明专利]优化阻挡杂质带太赫兹探测器响应带宽的方法-CN201710133749.7有效
发明人：王晓东;陈雨璐;王兵兵;张传胜;侯丽伟;潘鸣 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十研究所
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种优化阻挡杂质带太赫兹探测器响应带宽的方法，包括：首先通过数值模拟及数据拟合得到探测器响应带宽关于不同吸收层厚度的函数式，进而根据所述函数式及设计的最优响应带宽提取出最佳吸收层厚度，则按照该厚度制作的阻挡杂质带探测器可使探测器响应带宽达到最优本发明的优点在于，可以针对不同材料体系及不同工艺条件得到的阻挡杂质带探测器提取出相应的最佳吸收层厚度，由此设计并制作的探测器响应带宽将具有最优值，从而避免为了优化响应带宽而进行反复试片，极大地缩短了研发周期并降低了研发成本
优化阻挡杂质赫兹探测器响应带宽方法

[发明专利]一种点状三维球状超小电容半导体探测器模型及应用-CN202010855518.9在审
发明人：刘曼文;李正 -专利权人：鲁东大学
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明属于电极探测技术领域，公开了一种点状三维球状超小电容半导体探测器模型及应用，探测器模型中央电极的半径约为10微米，球状外围电极的宽度约为10微米，探测器的半径约为60微米。本发明中点状三维球状超小电容半导体探测器模型对比二维探测器，耗尽电压将不会再受到探测器晶元厚度的限制，仅与电极间距，即本专利探测器的半径有关。对比其他三维电极探测器，电场分布不会有因无法耗尽而存在的低电场区。对比其他三维电极探测器，本发明探测器的电场分布更均匀，更理想。探测器厚度可作为一个参数灵活设计，可大大增加探测器的探测效率。
一种三维球状电容半导体探测器模型应用

[发明专利]一种基于微腔结构的光电探测器、阵列及其制备方法-CN202310630353.9在审
发明人：郝璐;杨喜业;董升;黄飞 -专利权人：广州光达创新科技有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于微腔结构的光电探测器、阵列及其制备方法。所述基于微腔结构的光电探测器，包括玻璃基底、光电探测微腔；其中，所述光电探测微腔包括由一个透射电极层、一个全反射电极层的形成的反射镜，厚度调控层和光敏层；通过设置多个不同厚度的光电探测微腔，可形成半峰宽较小的窄带的光电探测器不同厚度的调控层可以具备导电性，高透过率，可以精细调控每个光电探测器中光敏层到两个反射镜之间的距离，实现光电探测器对入射光线中吸收响应增强波段的有效区分，在距离反射镜厚度不同的光腔内，入射光多次反射，对于特定波长响应增强，形成谐振波，而且单个光电探测器即仅对特定波长响应增强，有效滤光，峰宽较小。
一种基于结构光电探测器阵列及其制备方法

[发明专利]用于探测放射源方位的探测装置-CN202211091301.0在审
发明人：唐北曦;刘意;何雨;黄锦凤;吴俊 -专利权人：重庆建安仪器有限责任公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01T1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于探测放射源方位的探测装置，包括圆形壳体，在壳体内设有主控板、探测器和屏蔽块，所述屏蔽块由固定连接的上屏蔽铅块和下屏蔽铅块组成，所述上屏蔽铅块和下屏蔽铅块均呈弧形，分别置于屏蔽块中心线两侧，且上屏蔽铅块的厚度从左向右逐渐增大，下屏蔽铅块的厚度从左向右逐渐减小；所述探测器设有两个，分别为上探测器和下探测器，所述上探测器和下探测器均呈圆柱状，呈上下设置，分别置于上屏蔽铅块、下屏蔽铅块所形成的半包围空间内；每个探测器均与主控板相接，用于采集环境中的γ射线，并产生脉冲数后传递到主控板上，由主控板根据各个探测器所反馈的脉冲数、所采集γ射线对应铅衰减厚度，判断放射源所发出γ辐射线方位。
用于探测放射源方位装置

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