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[发明专利]基于激光加速器的单粒子效应测试装置-CN202011329346.8在审
发明人：沈百飞;李顺;张辉;李昂骁;秦承宇;吉亮亮 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H05H1/54 文献下载
摘要：一种基于激光加速器的单粒子效应测试装置，包括飞秒激光装置、激光传输系统、激光聚焦系统、离子加速系统、离子束整形聚焦系统、单粒子效应测试系统和真空靶室系统。飞秒激光装置产生的激光脉冲经过激光传输和聚焦系统后，聚焦到离子加速系统的加速靶上产生高能离子束，利用离子束整形聚焦系统将离子束整形聚焦，传输到单粒子效应测试系统，实现单粒子效应测试。本发明将激光驱动加速的离子应用到了单粒子效应测试领域，该装置具有台式化、调向灵活、粒子种类丰富、宽能谱、能量可控等特点，可用于空间辐射环境模拟等应用。
基于激光加速器粒子效应测试装置

[发明专利]一种动态可重构芯片的单粒子功能错误测试方法及系统-CN202111015116.9在审
发明人：于春青;赵元富;陈雷;宋立国;李同德;王亮;郑宏超;岳素格;彭惠薪;朱永钦 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态可重构芯片的单粒子功能错误测试方法，针对不同功能模块编写对应的测试程序，并按照设计的测试方案进行辐射试验，得到不同测试程序下单粒子功能错误截面联立解得各个独立功能模块的单粒子功能错误截面，为动态可重构芯片的单粒子辐射性能评估提供参考，为动态可重构芯片的抗辐射加固设计提供方向，本发明还公开了一种动态可重构芯片的单粒子功能错误测试系统，包括程控电源模块、上位机控制中心模块和控制区模块，为动态可重构芯片的单粒子功能错误测试方法的实现提供了稳定的测试环境
一种动态可重构芯片粒子功能错误测试方法系统

[发明专利]一种通过逻辑设计提高芯片抗单粒子翻转能力的方法-CN201510993615.3有效
发明人：袁超;喻贤坤;王磊;姜爽;王莉;彭斌 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种通过逻辑设计提高芯片抗单粒子翻转能力的方法，通过对芯片的配置寄存器、有限状态机、数据寄存器和存储器采用冗余编码等逻辑设计手段，极大的提高芯片的抗单粒子翻转能力，并向系统主控CPU发出3种中断信号，使系统能够掌握芯片内部发生单粒子翻转的情况本发明能够以较低的设计复杂度和设计时间代价，大幅度提高芯片在空间单粒子环境下的可靠性和适应性，降低芯片因单粒子翻转造成功能错误或功能中断的概率。
一种通过逻辑设计提高芯片粒子翻转能力方法

[发明专利]一种脉冲波形测试电路-CN201610033983.8有效
发明人：郑云龙;桑泽华;林敏;杨根庆;邹世昌 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G01R23/16 文献下载
摘要：本发明提供一种脉冲波形测试电路，包括：用于收集单粒子轰击产生单粒子瞬态脉冲的脉冲收集模块；与所述脉冲收集模块相连，用于检测所述单粒子瞬态脉冲在不同电压值时的脉冲宽度，并产生多个相应的脉冲信号的脉冲宽度检测模块本发明的脉冲波形测试电路测量出了单粒子效应的真实波形，可以以此建立更精准的单粒子效应瞬态电流脉冲模型，对抗辐射电路的加固设计具有重要参考意义。
一种脉冲波形测试电路

[发明专利]一种SiP器件抗单粒子效应能力评估方法-CN201510484539.3有效
发明人：罗磊;魏志超;梅博;孙毅;于庆奎;张洪伟 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2015-08-07 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiP器件抗单粒子效应能力评估方法，步骤如下：对SiP进行开帽处理；获取SiP内部芯片信息，并确定SiP内部器件的抗辐射性能是否记录在辐射数据库中；若辐射数据库中有相应SIP芯片的抗辐射性能数据，且所有SIP芯片均能达到抗单粒子指标要求，则认为整个SiP达到抗单粒子指标要求；若某SIP内部芯片未能达到抗单粒子指标或者辐射数据库中没有某SIP芯片相应辐射性能试验数据；判断SiP器件中是否有处于叠层封装的芯片；判断处于叠层封装的上下相邻的芯片是否相同；将叠层封装下方无法被辐射到的芯片，单独封装成器件；对封装成器件的芯片以及有层叠但是相同的芯片以及无层叠的芯片进行单粒子效应试验，获得试验数据，并判断是否满足抗单粒子指标本发明解决了评估SiP器件抗单粒子效应能力不准确的问题。
一种 sip 器件粒子效应能力评估方法

[发明专利]抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可复位D触发器-CN201310670222.X有效
发明人：陈书明;王崇峰;姚龙;孙永节;梁斌;池雅庆;郭阳;陈建军;刘祥远;许文涛 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本发明公开了抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可复位D触发器，目的是解决可复位D触发器抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转能力不高的问题。分离主锁存器和从锁存器中互为冗余的C²MOS电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管，提高了本发明抗单粒子翻转的能力。缓冲器电路使得在持续时间较长的单粒子瞬态脉冲下不发生错误，且双模冗余通路进一步增加了抗单粒子瞬态的能力。
粒子翻转瞬态复位触发器

[发明专利]抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置位和复位D触发器-CN201310674406.3有效
发明人：池雅庆;姚龙;邱明新;梁斌;郭阳;陈书明;胡春媚;刘宗林;陈建军;孙永节;李振涛 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本发明公开了抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置位和复位D触发器，目的是解决可置位和复位D触发器抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转能力不高的问题。分离主锁存器和从锁存器中互为冗余的C²MOS电路提高了抗单粒子翻转的能力。缓冲器电路使得在持续时间较长的单粒子瞬态脉冲下不发生错误，双模冗余通路进一步增加了抗单粒子瞬态的能力。
粒子翻转瞬态可置位复位触发器

[发明专利]抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置位D触发器-CN201310671683.9有效
发明人：梁斌;万鸿;姚龙;陈书明;郭阳;李振涛;孙永节;池雅庆;陈建军;刘祥远 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本发明公开了抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置位D触发器，目的是解决可置位D触发器抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转能力不高的问题。分离主锁存器和从锁存器中互为冗余的C²MOS电路中的上拉PMOS管和下拉NMOS管，提高了抗单粒子翻转的能力。缓冲器电路使得在持续时间较长的单粒子瞬态脉冲下不发生错误，且双模冗余通路进一步增加了抗单粒子瞬态的能力。
粒子翻转瞬态可置位触发器

[发明专利]抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置位的扫描结构D触发器-CN201310671682.4有效
发明人：郭阳;喻鑫;韦静;梁斌;池雅庆;陈书明;胡春媚;孙永节;陈建军;刘宗林 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H03K3/3562 文献下载
摘要：本发明公开了抗单粒子翻转和单粒子瞬态的可置位的扫描结构D触发器，目的是解决可置位的扫描结构D触发器抗单粒子翻转能力和抗单粒子瞬态能力不高的问题。分离主锁存器和从锁存器中互为冗余的C²MOS电路提高了抗单粒子翻转的能力。缓冲器电路使得在持续时间较长的单粒子瞬态脉冲下不发生错误，双模冗余通路进一步增加了抗单粒子瞬态的能力。
粒子翻转瞬态可置位扫描结构触发器

[发明专利]一种抗单粒子瞬态时钟树结构-CN201710399969.4有效
发明人：王丹;杨肖茜;岳素格;赵元富;王亮;孙永姝;李东强;王福庆;韩旭鹏;吕曼 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：一种抗单粒子瞬态时钟树结构，包括根节点时钟驱动单元、子节点时钟驱动单元以及叶节点时钟驱动单元，根节点时钟驱动单元和子节点时钟驱动单元均为时钟反相器或者缓冲器，而叶节点时钟驱动单元为双路滤波器，双路滤波器可以消除发生于输入信号上的脉冲宽度小于滤波器内部设定的延迟时间的单粒子瞬态脉冲每个双路滤波器驱动一定数量的双时钟抗单粒子时序单元。本发明显著提高时钟树网络抗单粒子瞬态的能力，有效降低时钟树网络受到辐射粒子轰击时，任意时钟节点以及多个时钟树节点上产生单粒子瞬态脉冲的概率，且相对于时序单元单粒子瞬态加固方式实现的集成电路，具有功耗低、
一种粒子瞬态时钟结构

[发明专利]一种空气气溶胶单粒子多模态光谱诊断装置及诊断方法-CN201910827698.7有效
发明人：周平伟;朱瑜;朱礼国;杜良辉;翟召辉;李江;钟森城;邹逸;刘乔;王德田 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01N15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种空气气溶胶单粒子多模态光谱诊断装置及诊断方法，包括散射光源、深紫外光源、近紫外光源、高能脉冲光源、光谱收集输运光路和光探测器；所述散射光源所发光束分布于气溶胶单粒子路径的最前方，所述深紫外光源、近紫外光源和高能脉冲光源所发光束均位于气溶胶单粒子路径上，位于散射光源所发光束的后方；同一气溶胶单粒子，穿过散射光源、深紫外光源、近紫外光源和高能脉冲光源所发光束，产生散射信号、荧光光谱和激光诱导击穿光谱，并由光谱收集输运光路传输至光探测器，共同表征气溶胶单粒子的性质。采用本发明的一种空气气溶胶单粒子多模态光谱诊断装置及诊断方法，能迅速识别粒子的结构特征、荧光特征和元素构成等信息。
一种空气气溶胶粒子多模态光谱诊断装置方法

[发明专利]单气溶胶粒子形状实时检测装置-CN201510130255.4有效
发明人：赵永凯;卜一川;廖小情;张佩;孙征宇;陈正岩;黄惠杰 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2017-05-03 - 主分类号： G01N15/14 文献下载
摘要：本发明公开一种单气溶胶粒子形状实时检测装置，包括单粒子聚焦气路、散射腔体、电源供电系统、两个定位触发单元、散射图样检测单元和微机控制处理单元。本发明基于粒子的前向与侧向散射光场特性，结合粒径测量相关信息，判别粒子形状，可检测粒径下限提高，在实际应用中的准确度高，采用的散射腔体设计的结构较简单、稳定性高，易于光学系统装校，结合单粒子空气动力学聚焦气路技术，通过微机控制系统自动化控制，实现单气溶胶粒子的实时检测。
气溶胶粒子形状实时检测装置

[发明专利]一种自恢复抗单粒子软错误累积的三模冗余结构-CN201711341286.X有效
发明人：刘家齐;赵元富;岳素格;王亮;李建成;孙永姝;王丹;李东强 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开了一种自恢复抗单粒子软错误累积的三模冗余结构，通过增加单粒子软错误检测电路和数据选择电路对电路进行优化设计，基于这种结构的设计能够在三模冗余结构中单路信号翻转后自行恢复，能够有效解决三模冗余结构可能由错误累积导致单粒子加固失效的问题
一种恢复粒子错误累积冗余结构

[发明专利]一种抗单粒子效应的逻辑电平转换器-CN201610207088.3在审
发明人：王海滨;戴茜茜;李庆武;张学武;倪建军;谢迎娟;谈俊燕 -专利权人：河海大学常州校区
申请日： 2016-04-06 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：本发明公开一种抗单粒子效应的逻辑电平转换器，其包括反相单元、电平转换单元和抗单粒子效应单元，反相单元包括信号输入端和信号输出端，信号输出端输出的信号反相于信号输入端输入的信号；电平转换单元包括第一电平转换电路和第二电平转换电路抗单粒子效应单元的输入端连接电平转换单元的信号输出端，并根据输入的信号值改变或保持输出信号。在应用时，电平转换单元与抗单粒子效应单元组成冗余电路，电平转换单元的两路输出信号值相同时，抗单粒子效应单元的输出即确定；否则保持前一次输出的值，即达到抗单粒子效应的目的。
一种粒子效应逻辑电平转换器

[发明专利]一种单粒子辐照碳化硅功率MOSFETs安全边界性能退化的分析方法-CN201810136619.3在审
发明人：李鹏伟;李兴冀;杨剑群;董磊 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种单粒子辐照碳化硅功率MOSFETs安全边界性能退化的分析方法，涉及一种碳化硅功率器件安全边界性能的确定方法。为了解决目前无法准确获得SiC型功率器件单粒子辐照的安全边界的问题。本发明首先采用地面单粒子辐照碳化硅功率器件，获得器件发生单粒子烧毁或栅穿效应的试验数据；将每对试验数据值在反向偏置电压‑电参性能数值坐标系中描出来，并标记出发生单粒子烧毁或栅穿效应时所对应的最小反向偏置电压及其电参数值对应的点，以及在未发生单粒子烧毁或栅穿效应时所对应的最大反向偏置电压及其电参数值对应的点，从而确定电荷收集区、电参数值增大区和器件击穿烧毁区。
安全边界单粒子辐照碳化硅功率器件反向偏置电压烧毁单粒子碳化硅功率试验数据性能退化电荷收集区功率器件获得器件数值增大击穿分析

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