“单晶金刚石 ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果77780个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]单晶金刚石和使用该单晶金刚石的半导体元件-CN201880081889.7在审
发明人：大曲新矢;山田英明;茶谷原昭义;杢野由明 -专利权人：国立研究开发法人产业技术综合研究所
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种降低了位错密度的单晶金刚石。单晶金刚石(10)具备单晶金刚石层(2、3)。单晶金刚石层(2)形成于金刚石基板(1)之上，包含点缺陷。单晶金刚石层(3)配置在单晶金刚石层(2)之上。单晶金刚石层(2、3)具有比金刚石基板低的位错密度。
金刚石使用半导体元件

[发明专利]嵌入多晶金刚石结构中的一个或多个单晶金刚石及其生长方法-CN201880070743.2在审
发明人： D.S.米斯拉 -专利权人：二A科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：生长嵌入式单晶金刚石结构的方法，其包括：将单晶金刚石置于非金刚石基底上，其中所述非金刚石基底大于单晶金刚石；使用遮蔽材料遮蔽单晶金刚石的顶部；并且使用化学气相沉积（CVD）生长室，围绕所述单晶金刚石生长多晶金刚石材料，从而使单晶金刚石与多晶金刚石材料接合。
嵌入多晶金刚石结构中的一个多个单晶及其生长方法

[发明专利]一种生产单晶金刚石的方法-CN201911369163.6有效
发明人：彭国令;黄翀 -专利权人：长沙新材料产业研究院有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种生产单晶金刚石的方法，包括以下步骤：S1，选择多颗单晶金刚石，将各单晶金刚石抛光，然后清洗；S2，测量各单晶金刚石的厚度，然后将各单晶金刚石摆放在真空腔体内；S3，启动金刚石生长设备；S4，测量各单晶金刚石的温度，对测量到各单晶金刚石的温度进行数据处理，判断测量到的各单晶金刚石的温度差异是否在预定范围内；若各单晶金刚石的温度差异超出了预定范围，对单晶金刚石的位置进行调整；S5，重复步骤S4，使各单晶金刚石的温度差异维持在预定范围内，直至各单晶金刚石生长完成。能够将各单晶金刚石生长时的温度差异控制在一定范围内，使各单晶金刚石生长时的温度更加均匀。本发明应用于金刚石合成技术领域。
一种生产金刚石方法

[发明专利]制造多个单晶CVD合成金刚石的方法-CN202310886790.7在审
发明人： C·J·H·沃特;D·J·特维切;J·L·科林斯 -专利权人：六号元素技术有限公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：一种制造多个单晶体CVD合成金刚石的方法，该方法包括：用多晶CVD金刚石材料的层涂覆载体基底；将多个单晶金刚石基底结合到载体基底上的多晶CVD金刚石材料层；在所述多个单晶金刚石基底上生长单晶CVD金刚石材料以形成多个单晶CVD金刚石；和将所述多个单晶CVD金刚石从载体基底上的多晶CVD金刚石材料层以及在所述多个单晶CVD金刚石之间生长的任何多晶CVD金刚石材料分离，以便产生多个单独的单晶CVD金刚石。
制造多个单晶 cvd 合成金刚石方法

[发明专利]制造多个单晶CVD合成金刚石的方法-CN201680068394.1在审
发明人： C·J·H·沃特;D·J·特维切;J·L·科林斯 -专利权人：六号元素技术有限公司
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：一种制造多个单晶体CVD金刚石的方法，该方法包括：用多晶CVD金刚石材料的层涂覆载体基底；将多个单晶金刚石基底结合到载体基底上的多晶CVD金刚石材料层；在所述多个单晶金刚石基底上生长单晶CVD金刚石材料以形成多个单晶CVD金刚石；和将所述多个单晶CVD金刚石从载体基底上的多晶CVD金刚石材料层以及在所述多个单晶CVD金刚石之间生长的任何多晶CVD金刚石材料分离，以便产生多个单独的单晶CVD金刚石。
单晶多晶基底单晶金刚石材料层材料分离基底结合金刚石单晶体生长涂覆制造合成

[发明专利]一种金刚石复合片及其制备方法-CN201810968282.2在审
发明人：易剑;江南;褚伍波 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本申请公开了一种金刚石复合片，所述金刚石复合片包括单晶金刚石片和多晶金刚石膜；所述多晶金刚石膜包裹所述单晶金刚石片的外缘表面；所述单晶金刚石片的中心与所述金刚石复合片的中心重合。本申请将单晶金刚石和多晶金刚石进行复合，用于改善整个金刚石片的内部结构和功能。该金刚石复合片成本低廉、性能优异。
一种金刚石复合及其制备方法

[发明专利]一种抑制金刚石衬底裂纹向外延层扩散的方法-CN202210976926.9在审
发明人：任泽阳;丁森川;张金风;苏凯;马源辰;王晗雪;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种抑制金刚石衬底裂纹向外延层扩散的方法，包括：选择含裂纹单晶金刚石衬底，其表面有裂纹且晶面角度相近；对所述含裂纹单晶金刚石衬底的表面进行清洗；对清洗后的含裂纹单晶金刚石衬底进行刻蚀，以去除表面的非金刚石相；对刻蚀后的含裂纹单晶金刚石衬底进行退火处理，以消除其表面的部分残余应力；在退火后的含裂纹单晶金刚石衬底的表面周期性生长多层金刚石缓冲层组，每层金刚石缓冲层组均包括不同生长条件下生长的四层单晶金刚石；在所述金刚石缓冲层上进行无裂纹单晶金刚石同质外延生长，形成无裂纹的单晶金刚石材料。本发明的方法为同质外延单晶金刚石降低了成本，同时提高了外延金刚石的质量和成品率。
一种抑制金刚石衬底裂纹外延扩散方法

[发明专利]一种通过异质外延保护环辅助单晶金刚石生长的方法-CN202011637468.3有效
发明人：魏强;王宏兴;陈根强;张晓凡;宋志强;王若铮 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种自适应协同外延生长单晶金刚石辅助环，用于设置在单晶金刚石衬底外围一周，为异质外延结构，包括：自下而上逐层分布的非金刚石衬底、异质外延形核缓冲层和单晶金刚石形核层；单晶金刚石形核层的晶向与待生长的单晶金刚石面的晶向一致利用金刚石辅助环与同质外延单晶金刚石协同生长，提高同质外延单晶金刚石生长质量。
一种通过外延保护环辅助金刚石生长方法

[发明专利]通过多晶金刚石生长辅助的生长单晶金刚石的方法-CN202080084769.X在审
发明人： R·J·巴斯奈特;A·F·巴斯奈特;A·查尔斯埃尔南德斯;W·霍尔伯;T·C·韦德;A·J·布朗 -专利权人：普拉斯玛比利提有限责任公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：一种通过多晶金刚石生长辅助的生长单晶金刚石以提高单晶金刚石的尺寸和品质的方法，包括将金刚石籽晶热配合在基材支架的顶表面上，其提供用于单晶金刚石和多晶金刚石的组合的生长表面。在加工期间所述金刚石籽晶和所述基材支架之间的预定温度差连同等离子体工艺条件导致单晶金刚石生长速率与多晶生长速率相差预定量。引入工艺气体，和形成等离子体以在所述生长表面上生长单晶金刚石和多晶金刚石两者，使得邻近所述单晶金刚石生长的所述多晶金刚石保护正在生长的单晶金刚石的侧表面，从而改善跨正在生长的单晶金刚石的生长品质。
通过多晶金刚石生长辅助方法

[发明专利]金刚石复合基板及其制造方法-CN200480000322.0无效
发明人：目黑贵一;山本喜之;今井贵浩 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2004-01-22 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明目的在于提供一种具有好的韧性、大的表面积和高质量的金刚石基板及制造该基板的方法，该基板可用于半导体材料、电子元件、光学元件等等。金刚石多晶膜层叠在金刚石单晶基板表面上而形成金刚石复合基板。在所述的金刚石复合基板中，优选具有金刚石单晶基板的最大表面积的主要面为{100}面，而且金刚石多晶膜层叠在平行于该面的反面上。金刚石单晶基板3可以由具有相同方位的主要面的多个金刚石单晶构成，而且这些多个金刚石单晶可以通过金刚石单晶层4连接而形成金刚石复合基板2。金刚石单晶也可以用作种子晶体以及在其表面通过气相合成提供金刚石单晶。
金刚石复合及其制造方法

[发明专利]经由化学气相沉积合成厚的单晶金刚石材料-CN201780069563.8有效
发明人： B·L·格林;A·M·本内特;T·P·莫拉特;S·I·奥尔森罗比 -专利权人：六号元素技术有限公司
申请日： 2017-11-08 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：一种制造多个单晶CVD金刚石的方法。该方法包括在第一载体基底上安装多个单晶金刚石基底。使所述多个单晶金刚石基底进行第一CVD金刚石生长过程，以便在多个单晶金刚石基底上形成多个单晶CVD金刚石。将所述多个单晶CVD金刚石安装在凹陷的载体基底中并进行第二CVD金刚石生长过程。
经由化学沉积合成金刚石材料

[发明专利]单晶金刚石、制造单晶金刚石的方法和包含单晶金刚石的工具-CN201580032164.5在审
发明人：西林良树;辰巳夏生;角谷均;植田晓彦;小林丰 -专利权人：住友电气工业株式会社;住友电工硬质合金株式会社
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供单晶金刚石、制造所述单晶金刚石的方法以及包含所述金刚石的工具，所述单晶金刚石以均衡方式提高了硬度和耐缺损性。单晶金刚石含有氮原子，且所述单晶金刚石中的孤立置换型氮原子的数目对所述单晶金刚石中的氮原子总数之比为0.02％以上且低于40％。
金刚石制造方法包含工具

[发明专利]大尺寸单晶金刚石及其制备方法-CN202111613038.2在审
发明人：缪勇;马懿 -专利权人：苏州贝莱克晶钻科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸单晶金刚石及其制备方法。所述制备方法包括：沿第一金刚石单晶片的厚度方向对其周缘部进行切割，使形成的切割面垂直于第一金刚石单晶片的上下表面，之后依次进行研磨、清洗及等离子体刻蚀处理，再以第一金刚石单晶片作为生长基底生长金刚石单晶层；之后从金刚石单晶层中分离获得径向尺寸大于第一金刚石单晶片的第二金刚石单晶片，然后将第二金刚石单晶片作为新的生长基底，并循环以上操作直至获得所需的大尺寸单晶金刚石。本发明有效解决了由小尺寸单晶金刚石不能直接外延生长为大尺寸单晶金刚石以及外延过程中易产生多晶的问题；所制得的制备的到的大尺寸单晶金刚石晶体均匀度高，整体性强。
尺寸金刚石及其制备方法

[发明专利]单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法-CN201010167218.8无效
发明人：野口仁 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-04-23 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法。本发明的目的在于提供一种能够以良好的再现性和低成本制造均匀并且结晶性高的单晶金刚石的单晶金刚石层生长用基板以及单晶金刚石基板的制造方法。该单晶金刚石层生长用基板是用于生长单晶金刚石层的基板，其由材质为单晶金刚石的基材，以及在基材的单晶金刚石层生长侧上异质外延生长成的铱膜或铑膜形成，并且基材的单晶金刚石层生长侧的表面的周端部形成曲率半径(
金刚石生长用基板以及制造方法

[发明专利]单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法-CN201010226110.1有效
发明人：野口仁 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-07-06 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶金刚石生长用基材及单晶金刚石基板的制造方法，可以使面积大且结晶性良好的单晶金刚石生长，且可以便宜地制造高品质的单晶金刚石基板。所述单晶金刚石生长用基材是用于使单晶金刚石生长的基材，具有单晶SiC基板和在单晶SiC基板的生长单晶金刚石的一侧异质外延生长的铱膜或铑膜。
金刚石生长基材制造方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 77780 条