“单晶热场固毡”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1799783个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种新型单晶炉热屏升降装置-CN202011163840.1在审
发明人：高德东;王珊;张西亚;高俊伟;宋生宏 -专利权人：青海大学;阳光能源（青海）有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅生产设备技术领域，具体涉及一种新型单晶炉热屏升降装置。包括热屏、升降装置、动力装置和保护装置，所述升降装置通过滑块与热屏连接，升降装置的外围设置有保护装置，包括冷却管、石墨隔热毡和密封波纹管；所述升降装置的滚珠丝杠副外侧设置有一层铜板，铜板外设置有冷却管，所述冷却管外围包括设置石墨隔热毡；所述密封波纹管设置在动力装置与上轴承之间的丝杠上。本装置采用滚珠丝杠螺母通过滑块直接与热屏相连接的方式，增强了热屏升降的平稳性能的同时升降结构简化，使用方便，不仅摩擦损失小、传动效率高、省电，而且可以实现高精度的高速进给和微进给。
一种新型单晶炉热屏升降装置

[实用新型]一种拉制大直径半导体级单晶硅棒所用的导流筒-CN201220310518.1有效
发明人：赵渭滨;路伟;刘松林;王真;甘小莎;童林剑;刘冬 -专利权人：陕西天宏硅材料有限责任公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种拉制大直径半导体级单晶硅棒使用的导流筒。在内导流筒和外导流筒的底部以中心轴线均分的四个方向上各有一突出和凹进去的卡口，内导流筒上部以75°夹角弯向导流筒中心轴线，内导流筒、外导流筒最下端弯向导流筒中心轴线，导流筒装置固定在导流筒支撑环上；所述的导流筒内部填充有两层石墨保温碳毡。本实用新型在原有设备热场以及相机检测系统不改变的前提下，设计一种新型导流筒，可以有效保证系统自动拉制12英寸大直径半导体单晶。本实用新型内导流筒和外导流筒卡口旋转方式连接，使组合的导流筒无缝密闭使用，内倒流筒保持一定的内部设计形状，内部填充两层石墨碳毡，可以有效保护氩气的流速以及晶棒的保温。
一种拉制直径半导体单晶硅所用导流

[实用新型]带导气环的晶体生长炉热场装置-CN201120086499.4有效
发明人：刘振广 -专利权人：宁夏日晶新能源装备股份有限公司
申请日： 2011-03-29 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅领域，尤其涉及一种晶体生长炉。一种带导气环的晶体生长炉热场装置，包括炉筒体、保温桶、加热器、石墨坩埚、石英坩埚和导流筒，所述的保温桶安装在炉筒体内，加热器安装在炉筒体的底部，所述的保温桶外包覆有保温碳毡，所述的石墨坩埚放置在保温桶内与加热器相配合本实用新型中的导气环让保护气体更易回流，同时可以阻止导气环外侧的氧化物杂质跟随气流飘浮到单晶硅棒或硅液中，导气环保温毡可以使晶体生长更稳定，增加了设备运转时的成晶率。
带导气环晶体生长炉热场装置

[发明专利]一种单晶炉参数自动调节的工艺方法-CN202111605785.1在审
发明人：赵国伟 -专利权人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请日： 2021-12-25 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶炉参数自动调节的工艺方法，包括，设定剩料重量参考值；获取在拉晶过程中坩埚内剩料重量实际值；根据剩料重量参考值和剩料实际值，计算减重比；根据减重比，计算执行系数；根据执行系数，计算热场温度的变化量，控制拉晶过程中热场温度。本发明的有益效果是以不同剩料重量为依据自动调节参数，保证单晶拉制后期单晶炉内温度一致，无需调节，减少单晶尾部因温度不适造成的品质缺陷及断苞现象，提高单晶品质、增加产出。
一种单晶炉参数自动调节工艺方法

[实用新型]一种可调节热场的八英寸PVT生长炉-CN202222917890.5有效
发明人：许彬杰;韩学峰;皮孝东;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可调节热场的八英寸PVT生长炉，包括保温层、坩埚、侧边加热器、碳化硅粉源区与八英寸碳化硅籽晶，坩埚的顶部设有可分离的顶部加热器，所述顶部加热器从里至外分成四层，每一层包括N个加热器，本实用新型利用电动传控装置，移动单晶生长装置顶端的可分离，可移动的石墨加热器，在单晶生长的过程中，将石墨加热器移动至最佳位置，优化碳化硅单晶生长过程中的热场，使得在整个生长过程中，随碳化硅单晶逐渐变厚，始终能处于最优的热场中，在实现轴向温度和径向温度分离控制的基础上，仍可以在碳化硅单晶生长的过程中随时调节顶部加热器的结构，在生长过程中优化热场。
一种调节英寸 pvt 生长

[实用新型]单晶炉的保温装置-CN200520011104.9无效
发明人：荀建华 -专利权人：荀建华
申请日： 2005-03-28 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种单晶炉的保温装置。该装置具有热屏、保温罩和保温炉底。保温罩为碳纤维或石墨制成的中空柱体，保温罩设置在保温炉底的上端，热屏设置在保温罩的上端。本实用新型的碳纤维制成的保温罩和保温炉底，大大降低了单晶炉的使用功率，相对于现有的单晶炉可节能20％至30％；同时使单晶炉中的熔硅和晶体具有较好的纵向温度梯度，利于提高单晶硅晶体生长的成品率。当保温炉底上还具有碳毡制成的隔温层时，能进一步提高保温性能。当在隔温层上设置压片，在隔温层的轴孔和电源孔处设置空心隔离圆柱时，能提高的受压强度，同时隔温层中的碳毡不易变形，延长了使用寿命。当保温裹层裹绕在保温罩外侧时，能提高单晶炉侧面的保温性能。
单晶炉保温装置

[实用新型]一种直拉单晶炉用热屏-CN201020653403.3无效
发明人：査建洪;施宇峰;査如德 -专利权人：江阴市华英光伏科技有限公司
申请日： 2010-12-11 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种直拉单晶炉用热屏，属于单晶硅的生产制造设备领域。它包括外层(1)和内层(3)，所述外层(1)和内层(3)固定连接，且所述外层(1)和内层(3)之间设置有保温层(2)。所述保温层(2)的材料为石墨毡。本实用新型的一种直拉单晶炉用热屏具有隔热性能好、热能损耗小的优点。
一种直拉单晶炉用热屏

[实用新型]应用于长晶炉的热场结构和长晶炉-CN202022880185.3有效
发明人：何亮;徐云飞;毛伟;雷琦;邹贵付;钱逸泰;甘胜泉;饶森林;张发云 -专利权人：新余赛维铸晶技术有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种应用于长晶炉的热场结构，包括坩埚，保温层，所述坩埚周围设有保温层，所述保温层全部或部分为氧化锆纤维硬毡，所述氧化锆纤维硬毡表面全部或部分涂覆氮化硅层。该热场结构可有效降低能耗，从而有效降低了长晶炉制备的最终产品的成本。
应用于长晶炉结构

[发明专利]一种控制热场温度工艺-CN201910833770.7在审
发明人：赵国伟;王建平;周泽;王鑫;皇甫亚楠;杨志;刘学;吴树飞;刘振宇;郭志荣;王林;徐强 -专利权人：内蒙古中环光伏材料有限公司
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种控制热场温度工艺，在直拉单晶过程中，根据坩埚内剩料的重量进行热场温度的调节，以使得单晶生长保持一致性。本发明的有益效果是能够保证单晶拉制后期温度一致，无需调节，而且便于拉制单晶全程使用同一套参数，极大的提高拉晶过程温度的一致性。
热场温度工艺单晶拉制单晶生长温度一致一套参数直拉单晶拉制单晶拉晶坩埚全程保证

[实用新型]一种拼接型直拉单晶炉固化保温桶-CN201420095085.1有效
发明人：李磊 -专利权人：无锡宝优科技有限公司
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种拼接型直拉单晶炉固化保温桶，整体呈锥筒体结构，包括上、中、下三个分段的保温桶，上中下三个分段的保温桶均为双层结构，分为内层结构和外层结构，所述外层结构由多晶炉热场加工切割下来的固化毡边角料按照具体单晶炉保温桶的尺寸加工而成
一种拼接型直拉单晶炉固化保温桶

[实用新型]真空炉保温系统防氧化处理结构-CN201120126400.9有效
发明人：韩伶俐 -专利权人：石金精密科技（深圳）有限公司
申请日： 2011-04-26 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种真空炉保温系统防氧化处理结构，包括位于真空炉内的热场箱，热场箱包括箱体及箱盖，箱体与箱盖均为保温碳毡材料，箱体的一侧开口，用于与箱盖扣合；箱体的开口边缘包裹有用于防氧化的碳碳复合材料层本实用新型通过在热场箱的内壁的保温碳毡表面喷涂耐高温涂料，并在箱体出口的边缘及风窗处除了喷涂耐高温涂料外，还包裹一层碳碳复合材料，增强了热场箱的防氧化效果，增加了其使用寿命，提高了保温效果，并降低了成本
真空炉保温系统氧化处理结构

[发明专利]一种ＭＥＭＳ器件制作用硅单晶材料的热场和制备方法-CN201610939982.X在审
发明人：韩焕鹏;杨洪星;陈晨;何远东;杨静;范红娜;庞炳远;王雄龙;张伟才 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种ＭＥＭＳ器件制作用硅单晶材料的热场和制备方法，改变了单晶炉热场的上下保温层厚度，优化了热场的纵向温度梯度，使用新型结构的导流筒，改善了氩气流场结构，采用磁场拉晶，并随着熔硅减少，逐渐增强磁场强度，以保证晶体的氧碳杂质含量得到有效控制，减少后期单晶中氧沉淀及相关缺陷的生成，掺入电中性锗元素，起到抑制微缺陷形成的作用，改善晶体的微缺陷密度参数。
一种 mems 器件制作用硅单晶材料制备方法

[发明专利]一种单晶炉热场保温筒及其制备方法-CN202110733046.4有效
发明人：张全顺;郝志奋;焦李周;任佳乐;李志强 -专利权人：内蒙古中晶科技研究院有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶炉热场保温筒及其制备方法，属于高温炉用热场材料技术领域。该单晶炉热场保温筒由六瓣保温筒片组合而成，所述保温筒片之间通过凹凸槽切合，所述六瓣保温筒片分为A片和B片，A片和B片各三瓣，间隔交错组合；A片制备工艺为：将炭纤维布、涤纶芳纶混合纤维叠加，浸渍预浸液，然后平铺在模具中避免了整体制作过程中易变形，不易生产的缺点，同时其在应用于单晶炉热场时拆装简易，免去了整体保温筒搬运及应用时带来的不便。且组合后的保温筒力学、热物理性能高，尺寸稳定性好，使用寿命长。
一种单晶炉热场保温及其制备方法

[实用新型]一种支撑机构及直拉单晶炉热场装置-CN201820872049.X有效
发明人：李江林;马腾飞;马新成;邹昌盛;段永兵;王军 -专利权人：新疆晶科能源有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及单晶硅加工设备技术领域，具体涉及一种支撑机构及直拉单晶炉热场装置。主要技术方案为：一种支撑机构，包括:支撑体和支撑耳；所述支撑体为圆环状，用于支撑直拉单晶炉的中保温罩；所述支撑耳沿所述支撑体的径向，固定地设置在所述支撑体的外缘上；所述支撑耳为多个；多个所述支撑耳沿所述支撑体的圆周方向间隔设置采用本实用新型能够使直拉单晶炉热场装置作业方便，提升保温效果。
支撑体支撑耳直拉单晶炉热场支撑机构本实用新型设备技术领域圆周方向间隔单晶硅加工直拉单晶炉保温效果装置作业保温罩圆环状支撑

[发明专利]一种区熔单晶硅生产工艺方法及区熔热场-CN201210301011.4无效
发明人：阮光玉;冷先锋;王楠 -专利权人：北京京运通科技股份有限公司
申请日： 2012-08-22 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： C30B13/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种区熔单晶硅生产工艺方法及区熔热场，涉及单晶硅生产技术，本发明实施例提供的区熔热场扩大了加热线圈的内径，使得加热线圈的内径大于或等于30mm，同时在加热线圈的上斜面外设置了至少一级台阶平台，从而改变磁力线的作用，使得直径较大的多晶硅料能够彻底熔化，进而实现拉制直径较大的区熔单晶硅。
一种单晶硅生产工艺方法区熔热场