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[实用新型]单晶炉小副室-CN202120171922.4有效
发明人：王怡然;罗建明;关成 -专利权人：包头晶澳太阳能科技有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了提供一种单晶炉小副室，包括单晶炉小副室主体和用于封闭单晶炉小副室主体开口部的盖板，盖板端部与单晶炉小副室主体之间连接有使得盖板于第一位置与第二位置之间翻转的连接件，盖板封闭单晶炉小副室主体开口部时位于第一位置，盖板位于第二位置时，盖板与单晶炉小副室主体开口部形成大于90°的夹角；在单晶炉小副室主体开口部设置能封闭单晶炉小副室主体的盖板，在副室旋开后，盖板能阻隔外部的金属碎屑、灰尘等杂质从而防止外部杂质落入小副室中污染原料，盖板与单晶炉小副室主体开口部之间通过铰链连接，使得盖板打开时翻转至单晶炉小副室主体侧面，在副室复位时盖板打开翻转至单晶炉小副室主体侧面，避免阻碍后续拉晶操作。
单晶炉小副室

[实用新型]单晶炉加热器及单晶炉加热系统-CN201720150898.X有效
发明人：王会敏;张浩强;曹祥瑞;颜超;陈二星;王东;孔哲;何志国 -专利权人：邢台晶龙电子材料有限公司
申请日： 2017-02-20 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型适用于直拉型单晶硅制备装置技术领域，提供了一种单晶炉加热器及单晶炉加热系统。本实用新型的单晶炉加热器包括下发热体、与所述下发热体相连的加热器脚和上发热体，所述上发热体与所述下发热体可拆卸地连接。本实用新型的单晶炉加热系统包括坩埚、保温套、一个单晶炉加热器和一个电源系统。本实用新型提供的单晶炉加热系统，仅使用一个单晶炉加热器和一个电源系统，就可应用在大尺寸的热场，较一般的单电源单晶炉加热系统产量高、品质高，较一般的双电源单晶炉加热系统功率小，结构简单，操作简便。
单晶炉加热器加热系统

[发明专利]拆炉装置和拆炉方法-CN202211408232.1在审
发明人：刘娜;闫广宁;王怡然 -专利权人：包头晶澳太阳能科技有限公司
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本申请属于单晶炉技术领域，具体涉及拆炉装置和拆炉方法。拆炉装置包括：挂臂包括相对的第一端和第二端，第一端设置有挂板，挂板设置有挂孔，挂孔用于与单晶炉的上盖外部的挂柱配合；第二端设置有吊取板，吊取板与挂板同侧，吊取板用于承载单晶炉中的成型盖板。在拆除单晶炉的上盖时，单晶炉中的升降装置已经将单晶炉的上盖带动至最大行程，此时可以将拆炉装置中挂板处的挂孔与单晶炉上盖的挂柱配合；同时将吊取板放置于成型盖板的下侧以承载成型盖板，如此能够使得在转移单晶炉的上盖时，也能够通过拆炉装置带动成型盖板移动。由于导流筒与成型盖板同步移动，因此较好地避免了导流筒与成型盖板之间在拆除单晶炉时发生干涉的问题。
装置方法

[实用新型]单晶炉炉盖观察窗冷却系统-CN201220040687.8有效
发明人：梁冬方;莫丹君 -专利权人：浙江宏业新能源有限公司
申请日： 2012-02-08 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型的目的是提供一种单晶炉炉盖观察窗冷却系统，基于单晶炉整体循环系统，其特征在于：单晶炉整体循环系统与炉盖观察窗冷却系统隔绝，炉盖观察窗位于单晶炉炉壁上，炉盖观察窗内部中空，一端设冷却进口，另一端设冷却出口本实用新型的单晶炉炉盖观察窗冷却系统弥补了传统单晶炉整体循环系统在观察窗位置出现冷却死角的缺陷，避免了观察安全隐患。
单晶炉炉盖观察窗冷却系统

[发明专利]磁场装置及具有该磁场装置的单晶生长设备-CN201410682106.4在审
发明人：邓浩;周锐;李定武 -专利权人：银川隆基硅材料有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明公开的磁场装置，用于在单晶炉中产生磁场，磁场装置套设于单晶炉外，磁场装置包括磁体和内导磁板，内导磁板位于单晶炉和磁体之间，且与单晶炉的外炉筒壁相接触；本发明公开的具有该磁场装置的单晶生长设备包括上述磁场装置以及套设于磁场装置内部的单晶炉本发明的磁场装置及具有该磁场装置的单晶生长设备中的磁场装置不仅结构简单、占用空间少，还尽可能缩短了磁场装置与单晶炉的间距，避免了磁场强度的损失，可向单晶炉提供强度最理想的磁场；而具有该磁场装置的单晶生长设备由于磁场装置的作用，其能够有效地抑制单晶炉中的熔体对流，并降低固液界面温度波动，从而降低晶体中的氧含量并减少光致衰减现象，减少黑心低效片的产生几率。
磁场装置具有生长设备

[发明专利]一种单晶硅制造用单晶炉及其安装固定方法-CN202011292168.6在审
发明人：高俊伟;宋生宏;高玉顺;张培顺;韩永龙;祁永福;何旭;杨延生 -专利权人：阳光能源（青海）有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅制造用单晶炉及其安装固定方法，该单晶炉包括单晶炉本体、固定座和底座，单晶炉本体固定安装于底座顶端的中部，底座底端的中部设置有圆柱形凸起，固定座顶端的中部固定安装有安装座，安装座内端的顶部设置有圆槽，圆柱形凸起的底部滑动安装于圆槽内，圆槽内端的底部固定安装有缓冲垫；本发明的有益效果是：本发明一种单晶硅制造用单晶炉，通过在圆槽内设置缓冲垫可以在安装时起到缓冲作用，通过加固机构和固定环均可进一步的对单晶炉本体进行加固，稳固性较好，安装时首先将固定座安装在地面上，然后再进行单晶炉本体进行安装，简化了单晶炉本体的安装流程，安装过程中不易对单晶炉本体造成损坏。
一种单晶硅制造用单晶炉及其安装固定方法

[发明专利]液口距调节方法和单晶炉-CN202111435699.0在审
发明人：郭力;李朋朋;赵会刚;曹宇;李靖;闫颖;王博 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B15/26 文献下载
摘要：本公开涉及一种液口距调节方法和单晶炉，应用于单晶炉的液口距调节方法包括：接收控制系统发送的液口距调整参数，液口距调整参数包括目标液口距；若确定单晶炉的当前工况满足预设的放置条件，则根据目标液口距调整单晶炉的坩埚与单晶炉的热屏的高度差如此，单晶炉可以通过控制系统发送的液口距调整参数调整单晶炉的当前液口距，能够提高液口距的调节效率，同时可以减少人工操作导致的误差。
液口距调节方法单晶炉

[实用新型]单晶炉热场加热器及包括该单晶炉热场加热器的单晶炉-CN201220313158.0有效
发明人：郭凯;高文宽;乔松;尹东坡;周浩 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-06-29 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种单晶炉热场加热器及包括该单晶炉热场加热器的单晶炉。其中单晶炉热场加热器包括：加热器主体(10)以及固定设置在加热器主体(10)上的加热器脚(20)，加热器主体(10)与加热器脚(20)可拆卸地连接。采用本实用新型的单晶炉热场加热器及包括该单晶炉热场加热器的单晶炉，可以只更换磨损的加热器脚，而保留加热器主体，降低维修成本。
单晶炉热场加热器包括单晶炉

[发明专利]单晶炉的水冷热屏结构、单晶炉及单晶硅的生长方法-CN202210287527.1有效
发明人：杨政;王新强;秦现东;景华玉;张正 -专利权人：双良硅材料(包头)有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及单晶硅制造技术领域，尤其涉及一种单晶炉的水冷热屏结构、单晶炉及单晶硅的生长方法。所述单晶炉的水冷热屏结构包括：单晶炉炉盖；在所述单晶炉炉盖上方的喉口处设置有充气法兰；所述充气法兰设置有气体进口；与所述炉盖滑动配合的环状水冷热屏；设置在所述环状水冷热屏内部的盘旋状气管；气体进入所述充气法兰，经过所述盘旋状气管吹向所述单晶炉内的熔体液面。本发明在炉盖上方喉口法兰处增加一条气路，气路沿盘旋状气管环绕在环状水冷热屏内部，气体流出后以环流形式吹向液面。此设计增大了换热面积的同时引入气体换热，提升结晶潜热的带走速率，从而提升单晶生长速率。
单晶炉水冷结构单晶硅生长方法

[发明专利]拉晶集控系统及单晶炉-CN202210039661.X在审
发明人：李朋朋;李靖;李侨;闫颖;赵会刚;郭力;马方强 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种拉晶集控系统及单晶炉，涉及晶体生长技术领域。拉晶集控系统连接各个单晶炉，拉晶集控系统包括：数据采集模块、任务调度模块、远程控制模块；数据采集模块采集各个单晶炉的运行数据；任务调度模块基于拉晶阶段基准信息、各个单晶炉的运行数据，分别生成各个单晶炉对应的调度任务包，并进行调度任务提醒；远程控制模块在接收到与调度任务包对应的任务包控制操作的情况下，将任务包控制操作对应的指令发送至对应的单晶炉，以实现对对应的单晶炉远程操控。代替人工巡视，自动生成单晶炉对应的调度任务，对对应的单晶炉远程操控，无需操作人员去拉晶现场，无需在各个单晶炉之间来回移动，减少了人工工作量，提升了生产效率。
拉晶集控系统单晶炉

[实用新型]一种氮化镓半导体生产用的单晶炉-CN202023235916.5有效
发明人：鲁煜;王祎;刘玉良;姜经理;谭大胜 -专利权人：浙江中电环境科技有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓半导体生产用的单晶炉，包括固定框、单晶炉本体、抽气口、搅拌轴和伺服电机，所述固定框的内部通过轴承安装有单晶炉本体，且单晶炉本体的内部设置有加热管，所述单晶炉本体的底端开设有下料槽，所述固定框顶端通过轴承安装有贯穿单晶炉本体的第一转轴，且第一转轴的外壁皆设置有搅拌轴，所述第一转轴的外壁设置有第一锥形齿轮，所述单晶炉本体的外壁设置有第二锥形齿轮，所述固定框的内侧通过轴承安装有第二转轴该氮化镓半导体生产用的单晶炉，通过第三锥形齿轮带动第二锥形齿轮相啮合，进而第二锥形齿轮带动单晶炉本体与第一转轴异向转动，便于对单晶炉本体内材料充分搅拌，调高了搅拌效率。
一种氮化半导体生产单晶炉

[发明专利]一种大热场单晶炉-CN201811458849.8在审
发明人：李德建;申朝伦;张志耀 -专利权人：邢台晶龙新能源有限责任公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种大热场单晶炉，包括单晶炉主体，单晶炉主体底部设置有电熔炉，电熔炉内设有坩埚槽，坩埚槽内设置有石英坩埚；单晶炉主体上端设置有提拉杆，且提拉杆在驱动单元的带动下在单晶炉主体内上下移动；单晶炉主体内部设置有保温层，保温层厚度为48‑50mm；石英坩埚的直径为660‑730mm，高度为500‑520mm；本发明通过优化单晶炉内部部结构部件的尺寸参数，在有限的炉体空间内，增加石英坩埚的直径，同步缩减保温部件的厚度，提高单晶的拉制长度，起到单产提升的目的。
单晶炉石英坩埚保温层电熔炉提拉杆坩埚槽大热保温部件尺寸参数结构部件炉体空间驱动单元上下移动主体内部拉制上端单晶优化

[发明专利]单晶炉导流筒及单晶炉-CN202310685822.7在审
发明人：郭艳敏;王楠;赵堃;莫宇 -专利权人：中电科先进材料技术创新有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本申请适用于半导体技术领域，提供了一种单晶炉导流筒及单晶炉。该单晶炉导流筒包括：外导流筒和设置于外导流筒内部的内导流筒；内导流筒包括锥筒部件和直筒部件；锥筒部件靠近单晶炉的炉口，直筒部件靠近单晶炉的炉底；锥筒部件为倒锥形结构，锥筒部件的下口与直筒部件的上口相连接本申请提供的单晶炉导流筒能够有效减小固液生长界面径向方向上单晶中心与边缘的温度梯度差异，提高固液生长界面的径向V/G的均匀性，同时增大单晶上半部分的散热，从而减小直拉生长的单晶中COP缺陷的尺寸和数量。
单晶炉导流

[实用新型]单晶炉石英坩埚的升降装置-CN201721408207.8有效
发明人：陈五奎;刘强;耿荣军 -专利权人：乐山新天源太阳能科技有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能够对单晶炉内石英坩埚在竖直方向上的高度可以调节的单晶炉石英坩埚的升降装置。该单晶炉石英坩埚的升降装置，包括坩埚托盘；所述坩埚托盘下方设置有拖杆；所述拖杆穿过单晶炉的底部；所述单晶炉下方设置有坩埚旋转系统；所述拖杆与坩埚旋转系统传动连接；所述单晶炉内腔底部设置有环形凸台；所述环形凸台的内圈内设置有与环形凸台螺纹配合的旋转套采用该单晶炉石英坩埚的升降装置，便于单晶炉内单晶硅的取出，便于对设备的安装调试。
单晶炉石英坩埚升降装置

[实用新型]一种单晶炉用支撑块及单晶炉-CN202320122776.5有效
发明人：王建龙;王凯;王建平;许建;赵子龙 -专利权人：内蒙古中环晶体材料有限公司
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种单晶炉用支撑块，设置在单晶炉底部，所述支撑块沿所述单晶炉底部的周向设置在炉底保温软毡的外侧，所述支撑块包括连接设置的上层部、支撑部和下层部，所述上层部设置在所述炉底保温软毡的上部，用于支撑位于所述炉底保温软毡上部的护盘压片和炉壁保温软毡，所述下层部设置在所述炉底保温软毡的下部放置在所述单晶炉底部，所述支撑部远离所述单晶炉侧壁的一侧与所述炉底保温软毡的侧面接触。本实用新型的有益效果是提高了炉底保温软毡的稳固性，确保单晶炉热场在工作过程中不会下沉，使单晶在拉制过程中受热均匀，提高了单晶的质量。
一种单晶炉用支撑单晶炉