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- [发明专利]具有垂直超薄体晶体管的开放位线动态随机存储器-CN02807549.8无效
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L·福布斯;K·Y·阿恩
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微米技术有限公司
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2002-02-06
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2004-05-26
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H01L27/108
- 支柱(840)包括单晶体第一接触层(812)和被氧化层(814)隔开的单晶体第二接触层(816)。在各个存储单元中沿着支柱(840)的侧面形成单晶体垂直晶体管。单晶体垂直晶体管包括连接到第一接触层(812)的超薄单晶体垂直第一源极/漏极(851)区和连接到第二接触层(816)的超薄单晶体垂直第二源极/漏极(852)区,与氧化层(814)相对并且连接第一和第二源极/漏极区的超薄单晶体垂直体区(853),以及与垂直体区相对并且被栅极氧化物(825)与其隔开的栅极(842)。用单晶体半导体材料形成并被设置在阵列存储单元的支柱(840)下面的多个埋藏位线(802),用来互连存储单元阵列中列相邻支柱的第一接触层(812)。还包括多个字线(842)。各个字线(842)与多个埋藏位线(802)垂直地设置在支柱行之间的沟槽内,用于对邻接沟槽的单晶体垂直晶体管的栅极(842)寻址。
- 具有垂直超薄晶体管开放动态随机存储器
- [发明专利]差分电路-CN200480001651.7有效
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西蒙·塔姆
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精工爱普生株式会社
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2004-08-04
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2006-01-11
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H03K5/08
- 一种单晶体管电流镜像与适当的负载相接合,其中结合了适当的开关集合,以实现比较器功能。具体地,差分电路包括单晶体管电流镜像,所述单晶体管电流镜像包括通过开关与晶体管相连的电容器以及通过各自独立的开关与电流镜像相连的两个电流源,与电容器开关一起操作电流源之一的开关,以便充电电容器,并且操作另一个电流源的开关因此,晶体管特性的空间分布不会影响比较器功能。
- 电路
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