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[发明专利]一种半导体芯片生产工艺-CN202010268366.2在审
发明人：刘永春 -专利权人：上海蓉创科技有限公司
申请日： 2020-04-08 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明属于半导体芯片生产技术领域，具体的说是一种半导体芯片生产工艺，该生产工艺中所使用的研磨设备，包括支架、磨头和探杆；所述支架的水平结构上表面设有安装板；所述支架顶部位置设有动力箱；所述动力箱的内部固连有电机；所述电机的下方位置设有磨头和探杆；通过本发明有效的解决了小批量生产企业设备投入资金不足的问题，且无需人工进行芯片表面水平状态的调节，解决了部分企业大量使用人工进行研磨，生产效率较低，且产品质量不稳定情况
一种半导体芯片生产工艺

[发明专利]半导体陶瓷电容器的基片生产工艺-CN99116249.8无效
发明人：章士瀛;赵俊斌;陈荣春 -专利权人：东莞宏明南方电子陶瓷有限公司
申请日： 1999-06-24 - 公布日： 2001-01-10 - 主分类号： H01G4/00 文献下载
摘要：半导体陶瓷电容器的基片生产工艺,涉及一种半导体陶瓷电容器基片的生产工艺,主要通过排胶、烧成,混合气氛中半导化处理等步骤烧制而成,本发明因采用氨分解的混合气氛条件下,在组合炉内连续自动化进行半导化处理,适合大规模生产的要求
半导体陶瓷电容器生产工艺

[其他]台面半导体器件玻璃钝化工艺-CN85100410无效
发明人：薛成山;赵富贤;田淑芬;刘瑞兰;庄惠照 -专利权人：山东师范大学
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1987-08-19 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种台面半导体器件玻璃钝化工艺，属于台面半导体器件生产工艺的一部分。该工艺利用加硝酸铝为电解质的电泳法在台阶状PN结台面沟槽内涂敷玻璃粉和在通入纯氧的烧结炉中熔烧玻璃粉的方法，做出的玻璃钝化层表面光洁，内里无气泡，厚度均匀可控，从而提高了该类半导体器件的可靠性、稳定性和耐压强度等电气性能
台面半导体器件玻璃钝化工艺

[发明专利]N沟道半导体元器件的制造方法及N沟道半导体元器件-CN201811088522.6在审
发明人：金兴成;陈晓亮;陈天 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种N沟道半导体元器件的制造方法，形成栅极结构之后，通过在P阱表面表面注入中性杂质，然后再进行P阱表面注入第一N型杂质，因此上述制造方法可以与目前CMOS生产工艺的主流注入工艺兼容，制造方法简单且容易实现并且根据上述制造方法在N沟道半导体元器件中掺杂中性杂质，不影响N沟道半导体元器件的器件结构，对该N沟道半导体元器件的电参数(例如开启电压和饱和电流)影响很小，但是却可以有效抑制N沟道半导体元器件的热载流子注入效应，保证了N沟道半导体元器件的性能，提高N沟道半导体元器件的使用寿命。
沟道半导体元器件制造方法

[发明专利]具有有效且高效设计的背接触太阳能电池及相对应的图案化工艺-CN201080022069.4有效
发明人：乌马·斯里尼瓦桑;赵新;亨利·希斯洛麦尔;尼拉杰·帕卡拉 -专利权人：纳克公司
申请日： 2010-05-13 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：单独或组合使用基于激光的工艺以有效地处理半导体的掺杂域和/或电流采集结构。举例来说，可使用激光束将掺杂剂从裸露的硅/锗表面驱入硅/锗半导体层中。已发现深触点可有效产生高效太阳能电池。可有效地图案化电介质层以在集电器与沿半导体表面的掺杂域之间提供所选触点。快速处理方法适于高效生产工艺。
具有有效高效设计接触太阳能电池相对图案化工

[发明专利]一种TVS生产工艺-CN202111579088.3在审
发明人：焦丹钧;钱林春;刘宗帅;王超 -专利权人：江苏汀普微电子有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：一种TVS生产工艺，属于半导体技术领域。其特征是，在硅片光刻后通过带胶蒸发的芯片生产工艺，在引线孔光刻后不需要去胶清洗后蒸发，而是进行带胶蒸发，之后可通过贴膜揭膜将正面不需要的金属和胶以物理方式去除，减省了金属光刻工艺，从而达到缩短生产周期、减少生产成本的目的。
一种 tvs 生产工艺

[发明专利]一种将半导体衬底主体与其上功能层进行分离的方法-CN202210457276.7在审
发明人：胡兵;马亮;裴晓将;刘素绢 -专利权人：胡兵
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种将半导体衬底主体与其上功能层进行分离的方法，包括以下步骤：提供离子注入的半导体衬底，离子注入通过半导体衬底上表面，离子注入深度位于上表面下0.1μm－100μm，离子注入在半导体衬底表面下产生一层离子损伤层；在离子注入的半导体衬底上表面制备功能层；在所述功能层上制作至少一层应力导入层，至少一层应力导入层中存在张应力，至少一层应力导入层在功能层中产生压应力；由此可将半导体衬底及其上的功能层在离子损伤层处进行分离本发明直接在半导体衬底表面进行电子器件的制备，由于离子的注入深度决定了半导体衬底的厚度，本发明的半导体衬底具有与SOI薄膜相同的作用效果，且不需要键合工艺，减少了生产工艺，降低了生产成本。
一种半导体衬底主体与其功能进行分离方法

[发明专利]光伏电池的制备方法-CN202011104361.2有效
发明人：杨洁;郑霈霆;张昕宇;孙海杰;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种光伏电池的制备方法，包括：提供半导体基材；在所述半导体基材上形成初级钝化接触结构；形成所述初级钝化接触结构后，在所述半导体基材上形成电极；形成所述电极后，对所述电极以及所述初级钝化接触结构进行烧结处理本发明实施例提供的光伏电池的制备方法将钝化接触结构的激活以及电极的烧结集成在同一工艺中，能够简化生产工艺，降低生产成本。
电池制备方法

[发明专利]电子辐照方法-CN202110449120.X有效
发明人：李晴;马栋;陈正嵘;倪运春;王岩;赵蕴琦;谭建兵 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-04-25 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子辐照方法，其用于半导体器件生产中的电子辐照工艺，包括：执行计划半导体生产工艺，至金属层刻蚀步骤；通过热处理使金属层形成金属合金层；形成钝化层；第一次量测阈值电压；执行电子辐照；第二次量测阈值电压；执行炉管加热工艺；第三次量测阈值电压；执行聚酰亚胺工艺；执行背面金属减薄工艺。本发明在不改变设计工艺和生产条件前提下，能提高电子辐照产品阈值电压，满足生产设计要求。
电子辐照方法

[发明专利]制造半导体致冷件所用的材料、半导体晶粒和致冷件-CN202110379634.2在审
发明人：陈建民;赵丽萍;张文涛;惠小青;李永校;蔡水占;钱俊有;张建中;任保国;韩笑;冯玉洁;王军霞 -专利权人：河南鸿昌电子有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L35/16 文献下载
摘要：本发明涉及半导体生产工艺技术领域，具体地说是涉及制造半导体致冷件所用的材料，包括N型半导体材料和P型半导体材料；所述的N型半导体材料按照重量份为含有四碘化碲1～1.5、硒33～35、碲620～650、铋790～800、铜2～4、银1～2；所述的P型半导体材料按照重量份为含有硒11.5～12.5、铋180～190、锑320～330、碲620～650，铜2～4、银1～2，还涉及一种半导体晶粒和一种半导体致冷件这样的制造半导体致冷件所用的材料具有可以制成致冷效果更好、和金属导体焊接更牢固的晶粒。
制造半导体致冷所用材料晶粒

[发明专利]一种半导体生产机台硬件性能的动态监控系统及监控方法-CN201410801945.3有效
发明人：余志贤 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体生产机台硬件性能的动态监控系统及监控方法，包括步骤：1)收集半导体生产机台的质量信息，整合所有的质量信息进数据库系统；2)由数据库系统分析并获得所述半导体生产机台的异常发生等级；3)判断所述异常发生等级是否超过正常标准；4)若所述异常发生等级在正常标准内，则半导体生产机台可继续进行生产工艺，不需检测维护；若所述异常发生等级在正常标准之外，则半导体生产机台需要检测维护，并且异常发生等级越高通过本发明的监控方法可以以合理的频率进行生产机台的检测维护，降低晶圆报废的风险，同时降低生产成本。
一种半导体生产机台硬件性能动态监控系统方法

[实用新型]第一半导体组件、第二半导体组件以及半导体器件-CN201721780172.0有效
发明人：王子昊;朱忻 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种第一半导体组件、第二半导体组件以及半导体器件，其中半导体器件，包括第一半导体组件，以及第二半导体组件；所述第一半导体组件与所述第二半导体组件层叠设置，且，所述第一半导体组件中的半导体功能层与所述第二半导体组件中的键合区结构键合连接通过将第一半导体组件与第二半导体组件层叠设置且第一半导体组件中的半导体功能层与第二半导体组件中的键合区键合连接，该结构的半导体器件能够避免半导体功能层与光波导结构精准对位的问题，降低了半导体器件的生产工艺难度
半导体组件半导体器件半导体功能层叠设置键合区半导体技术领域生产工艺难度本实用新型光波导结构键合连接结构键合精准对位

[发明专利]半导体工艺中温度测定的方法-CN200510110602.3有效
发明人：陈俭 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2005-11-22 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体工艺中温度测定的方法，首先在硅片上淀积一层钛层和一层铝合金层，然后用光刻的方法制作出金属线条和大块金属，并测定金属线条的电阻，再将使硅片完成正常的生产工艺，之后再次测定金属线条的电阻，通过比较两次电阻值的变化，得到生产工艺流程中的温度。本发明与现有的温度监控方法比较，可以实时精确地测定在250℃到550℃温度范围之间的实际工艺温度及其均匀性，而不是以静态温度设定推算，采用的材料在半导体工艺中也最为常见，因此成本低廉，简便易行。
半导体工艺温度测定方法

[实用新型]半导体温差电致冷致热装置-CN200520035902.5无效
发明人：郑涛;郑才君 -专利权人：郑涛;郑才君
申请日： 2005-10-28 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体温差电致冷致热装置。包括冷端传感器，热端传感器，其特征是冷端传感器与热端传感器面上分别有导流片，由P型半导体元件和N型半导体元件组成的电偶与导流片连接。生产工艺简单，无毒，无污染，减少成本，减少材料，节能、省电，致冷、致热效果佳。
半导体温差致冷装置

[发明专利]一种阻变层和具有该阻变层的阻变存储器及制备工艺-CN200910082890.4有效
发明人：康晋锋;高滨;余诗孟;刘力锋;孙兵;刘晓彦;韩汝琦 -专利权人：北京大学
申请日： 2009-04-22 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及微电子半导体技术领域，公开了一种阻变层和具有该阻变层的阻变存储器及制备工艺。通过在阻变存储器的底电极上连续淀积三层金属薄膜形成合金层，然后形成阻变层的工艺方法，实现了对阻变层中细丝导电通道产生的有效控制，从而改善了阻变存储器的一致性。本发明能与传统的半导体生产工艺相兼容，工艺简单，生产成本低。
一种阻变层具有存储器制备工艺