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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体封装及制造方法-CN95105049.4无效
发明人：林田澄人;梅本一宽 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1995-04-27 - 公布日： 1996-05-08 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明的目的是为了降低半导体封装的制造成本同时又保持半导体封装具有良好的热耗散。借助于用碱去油、用水清洗并干燥来对热沉22进行羟基化。然后把载于压模垫16上的芯片12和用引线20连接于芯片12的引线框18置于模件中，热沉22置于同一模件中，此系统即注模成一个半导体封装10。
半导体封装制造方法

[发明专利]真空镊子-CN96105164.7无效
发明人：李敏镐;赵显祥 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1996-05-23 - 公布日： 1997-06-25 - 主分类号： B65G49/07 文献下载
摘要：本发明涉及在半导体制造工艺中传送半导体晶片时所用的真空镊子，它包含具有一个与抽空管道相连接的前表面扁平的壳体和二个从该壳体延长的扁平的延长部)的呈‘Y’形的真空吸头，设于前述真空吸头的扁平的前表面的至少三个吸附部根据前述的真空镊子，设于真空吸头的扁平的前表面上的至少三个吸附部，提高对晶片的吸附力，另外，该真空吸头具有‘Y’形结构，即使由于吸头弯曲，导致真空状态被破坏，由部分吸附部也能完全吸附半导体晶片。
真空镊子

[发明专利]制造抗辐射半导体集成电路的方法-CN96112904.2无效
发明人：濑罗佳晓 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1996-09-06 - 公布日： 1997-06-25 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：制造含有MOS(金属-氧化物-半导体)晶体管的半导体集成电路的方法，该方法制造的集成电路不会因放射性辐照而引起泄漏电流的增加，此方法中没有杂质从沟道阻挡层的横向扩散。该方法包括(a)借助于相对的高能量向场氧化薄膜的中心区域施加一种导电类型的杂质的离子，生成的场氧化薄膜用来在具有和所述的一种导电类型相同的导电类型的半导体基片中作为隔离区域；以及(b)借助于相对的低能量至少向场氧化薄膜的周围区域施加杂质的离子
制造辐射半导体集成电路方法

[发明专利]具有异形掺杂岛的半导体器件耐压层-CN93115356.5无效
发明人：陈星弼 -专利权人：电子科技大学
申请日： 1993-10-29 - 公布日： 1997-06-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明介绍了具有异型掺杂岛的半导体功率器件的耐压层，其特征是在耐压层中引入异型掺杂岛代替以往的一种导电类型的耐压层。同时本发明还提供了一些半导体高压功率器件的新结构，采用本发明可得到性能更优良的各类新结构的半导体高压功率器件。
具有异形掺杂半导体器件耐压

[发明专利]半导体装置的封装组装装置及其制造方法-CN00122612.6无效
发明人：陈世冠;徐正陆;林光汉;徐润文 -专利权人：台湾通用器材股份有限公司
申请日： 2000-08-04 - 公布日： 2002-02-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种半导体装置的封装组装装置及其制造方法,其封装组装装置包含一具有一主要表面的半导体晶片;至少一底部导线架单元,其具有一用以与该晶片主要表面的相对面结合并支撑该晶片的底部支撑部,及一底部框架部分;以及至少一桥接架单元本发明可以一次同时处理多个半导体晶片封装组装,其制程简化、生产效率极高,而且稳固性佳,封装的散热性较佳。
半导体装置封装组装及其制造方法

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN200710152601.4无效
发明人：李玟炯 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-09-21 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：根据本发明一个实施例的图像传感器包括：半导体衬底，其中形成有CMOS电路；层间介电层，形成在所述半导体衬底上并包括形成于其中的沟槽；金属布线和第一导电层，形成在所述层间介电层的沟槽内；本征层，形成在包括所述第一导电层和所述层间介电层的半导体衬底上
图像传感器及其制造方法

[发明专利]GaN衬底以及采用该衬底的外延衬底和半导体发光器件-CN200810097184.2无效
发明人：秋田胜史 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2008-05-19 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：GaN衬底以及采用该衬底的外延衬底和半导体发光器件。GaN衬底(30)的生长面(30a)是相对于m－面或a－面离轴定向的平面。由于，m－面和a－面是非极性面，利用该GaN衬底(30)，制造半导体发光器件，避免压电场的影响，使之可以实现优越的发射效率。根据m－面或a－面来对生长面施加离轴角，在衬底上生长晶体中实现高质量形态。利用该GaN衬底制造半导体发光器件，能够进一步提高发射效率。
gan 衬底以及采用外延半导体发光器件

[发明专利]集成电子热泵式空调系统-CN200610136877.9无效
发明人：邓贤金;王勇 -专利权人：邓贤金
申请日： 2006-12-15 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：一种集成电子热泵式空调系统，由集成电子热泵组、室内机、室外散热器及循环泵、电磁阀、连接管道组成，集成电子热泵组由多个平行排列紧密连接的电子热泵单元构成，每个电子热泵单元又由半导体致冷芯片组件和紧贴在半导体致冷芯片组件上的鳍片式换能箱组成，半导体致冷芯片组件两边紧贴的鳍片式换能箱分别与室内机、室外散热器连通，构成室内循环通道和室外循环通道。
集成电子热泵式空调系统

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN200610101154.5无效
发明人：饶瑞孟;郭建利;陈慧玲;陈宝娟 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-07-05 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种半导体结构，此半导体结构位于晶片的切割道区的基底上。此半导体结构包括一第一介电层、一第一测试焊垫以及一保护层。第一介电层配置于基底上。第一测试焊垫配置于第一介电层上。
半导体结构及其制作方法

[发明专利]集成散热片式大功率半导体热电芯片组件-CN200610032142.1无效
发明人：邓贤金;王勇;胡善荣;谢建雄 -专利权人：邓贤金
申请日： 2006-08-28 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：一种集成散热片式大功率半导体热电芯片组件，在大功率半导体热电芯片组件的上、下导流板上通过绝缘层、金属层连接固定散热片，或者上、下导流板加厚，在厚导流板上直接加工出散热片，散热片上根据需要可绝缘化处理。同时大功率半导体热电芯片组件优化了工艺，降低了成本，提高了可靠性，有利于工业化大批量生产。
集成散热片大功率半导体热电芯片组件

[发明专利]用于半导体封装的印刷电路板以及其制造方法-CN200710003625.3无效
发明人：李容彬;裵暻元;崔钟敏;刘义娟 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2007-01-18 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明披露了一种用于半导体封装的印刷电路板及其制造方法。具体地说，用于半导体封装的印刷电路板包括预定电路图案，具有用于安装半导体的引线结合部和凸块部以及用于连接至外部部件的焊接部，其中所述凸块部具有利用锡或锡合金电镀工艺形成的预焊料。
用于半导体封装印刷电路板及其制造方法

[发明专利]用于电气设备的操作装置以及具有该操作装置的电气设备-CN200710007912.1无效
发明人： M·贝尔 -专利权人： E.G.O.电气设备制造股份有限公司
申请日： 2007-01-30 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H03K17/96 文献下载
摘要：在具有液晶显示器(该液晶显示器有两个液晶显示器板)的炉灶的操作装置中，在两个液晶显示器板中的下部板的顶部直接施加有成半导体芯片形式的微控制器，例如使用COG技术。半导体芯片不仅控制液晶显示器，而且还具有位于所述液晶显示器上的电容传感器元件，且通过半导体芯片来进行估测，从而形成独立模块。
用于电气设备操作装置以及具有

[发明专利]氮化物半导体发光元件-CN200710008167.2无效
发明人：京野孝史;平山秀树 -专利权人：住友电气工业株式会社;独立行政法人理化学研究所
申请日： 2007-01-26 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供氮化物半导体发光元件。InAlGaN层(19)设置在量子阱发光层(13)与n型氮化镓类半导体层(15)之间。量子阱发光层(13)的氧浓度低于InAlGaN层(19)的氧浓度。量子阱发光层(13)设置在p型AlGaN半导体层(17)与InAlGaN层(19)之间。InAlGaN层(19)的铟组分大于InAlGaN势阱层(13a)的铟组分。
氮化物半导体发光元件

[发明专利]场效应晶体管、有机薄膜晶体管及有机晶体管的制造方法-CN200710084820.3无效
发明人：桥诘富博;藤森正成;诹访雄二;新井唯 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2007-02-27 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明的目的是提供在有机TFT中，对电子注入效率和空穴注入效率得以改善的电极和有机半导体组合分别进行判别的方法，实现n型沟道FET和p型沟道FET两种FET，进而提供互补型TFT(CTFT)晶体管。为此，推导出通常从电极和有机半导体构成元素的物理常数推导出电极金属－有机半导体界面中真空能级位移Δ的方法。通过电化学手段使电极金属变化，制成可以控制电子注入和空穴注入的电极。
场效应晶体管有机薄膜晶体管制造方法

[发明专利]光拾取装置和信息记录再现装置-CN200710102560.8无效
发明人：矢野泰一朗 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-05-14 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： G11B7/135 文献下载
摘要：在正像镜(14)的入射面(14a)上设置了波长选择膜，该波长选择膜具有使从第一半导体激光元件发射的第一波长的光束反射并且使从第二半导体激光元件发射的第二波长的光束透过的第一区域(21)，以及使从第一和第二半导体激光元件发射的各个光束反射的第二区域
拾取装置信息记录再现

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