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[发明专利]用于电光器件的电荷注入层-CN200780019948.X无效
发明人：亨德里克·扬·伯林克;欧热尼奥·科罗纳多·米拉莱斯 -专利权人：巴伦西亚大学
申请日： 2007-05-07 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及从金属导体到半导体或绝缘材料的电荷注入，所述半导体或绝缘材料基于具有电性能或光性能的有机或无机分子和大分子，并且本发明特别涉及新的用于电光器件的电荷注入层，该电荷注入层包含具有共轭单元的聚合物以及与前述聚合物混合的盐，其特征在于当聚合物与盐混合时，其氧化态没有变化。尽管聚合物的氧化态没有变化，但是根据本发明的聚合物和盐的混合物使得足够高数目的电荷可以到达光学活性层，因此电荷注入过程中的效率提高到甚至超过由标准PEDOT提供的效率的水平。
用于电光器件电荷注入

[发明专利]一种全共轭侧链聚合物及其在聚合物太阳能器件中的应用-CN201310111099.8有效
发明人：袁建宇;马万里;陆佳灵;徐忠杰 -专利权人：苏州大学
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种全共轭侧链聚合物及其在聚合物太阳能器件中的应用。通过对聚合物化学结构的修饰，制备了一种具有全共轭侧链的半导体聚合物材料，它由于含有全共轭的侧链结构，又具较低的HOMO能级，获得了优良的光电性能，有利于开发低成本高性能的聚合物太阳能电池产品。它与一种富勒烯衍生物PCBM按质量比1:0.8～1：0.1制备成的聚合物太阳能器件，在富勒烯衍射物的使用量很少的情况下（1:0.5），该太阳能电池的最大能量转换效率可达到约6%。
一种共轭聚合物及其太阳能器件中的应用

[发明专利]一种基于多环芳烃的共轭聚合物的应用-CN201810299092.6有效
发明人：赵保敏;胡月明;仪明东;傅妮娜;刘书利;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于多环芳烃的共轭聚合物的应用，共轭聚合物用于有机场效应晶体管光可编程线性存储器中，有机场效应晶体管光可编程线性存储器包括衬底，在所述衬底的上表面设置有栅电极，在所述栅电极的上表面设置有栅绝缘层，在所述栅绝缘层的上表面设置有共轭聚合物薄膜层，所述共轭聚合物薄膜层的上表面中部具有沟道区域，在所述共轭聚合物薄膜层的上表面位于沟道区域两侧设置有源漏电极。本发明的优点是通过简单的工艺手段使器件既有半导体性能又有存储性能，获得存储容量、开关速度和光响应能力、线性存储能力优异的有机场效应晶体管存储器。
一种基于芳烃共轭聚合物应用

[发明专利]一种基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物及其制备方法和应用、有机场效应晶体管-CN202110023958.2有效
发明人：张海昌;邓志峰;李锐;戴志诚;王成;崔帅玮;石昕;梁东旭 -专利权人：青岛科技大学;陕西理工大学
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明属于有机半导体材料技术领域，特别涉及一种基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物及其制备方法和应用、有机场效应晶体管。本发明提供的基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物中含有3,6‑双(4‑溴)苯并[2,1‑b:3,4‑b’]二呋喃‑2,7‑二酮活性基团，能与(4,4,9,9‑四辛基‑4,9‑二氢‑s‑二癸烯[1,2‑b:5,6‑b’]二噻吩‑2,7‑二取代)双(四甲基锡)构造出平面性良好的聚合物，有利于提供较高的空穴迁移率，从而提高基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物在形成半导体薄膜时的分子间自组装和有序排列性能，有利于得到更好的分子晶体
一种基于呋喃芳杂环型共轭聚合物及其制备方法应用有机场效应晶体管

[发明专利]一类含3,4-二氰基噻吩的p-型共轭聚合物及其制备方法与应用-CN201910472899.X有效
发明人：段春晖;张拨;曹镛 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一类含3,4‑二氰基噻吩的p‑型共轭聚合物及其制备方法与应用。所述方法包括：将含3,4‑二氰基噻吩的噻吩单元单体、含共轭单元Ar1的单体及含共轭单元Ar2的单体混合，然后在催化剂的催化下进行聚合反应，纯化得到所述含3,4‑二氰基噻吩的p‑型共轭聚合物。本发明提供的聚合物合成简单，氰基的引入能够调控分子的能级，具有较低的分子轨道能级和较宽的光学带隙，与n‑型有机半导体材料可以实现较好的光学吸收互补；相较于无氰基取代的共轭聚合物，含3,4‑二氰基噻吩的共轭聚合物具有较大的偶极矩和较高的介电常数
一类二氰基噻吩共轭聚合物及其制备方法应用

[发明专利]基于3-氰基噻吩的p-型共轭聚合物及其制备方法与光伏应用-CN202011488805.7有效
发明人：段春晖;袁熙越;曹镛 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明属于有机光电技术领域，具体涉及基于3‑氰基噻吩的p‑型共轭聚合物及其制备方法与光伏应用。本发明方法为：将含3‑氰基噻吩的噻吩单元单体、含共轭单元Ar的单体混合，在催化剂的催化下进行聚合反应，纯化得到所述含3‑氰基噻吩的p‑型共轭聚合物。本发明在噻吩的3位引入强吸电子基团CN，能保证聚合物具有较深分子轨道能级。更重要的是，基于3‑氰基噻吩及其衍生物的p‑型共轭聚合物，具有合成简单、结构易于修饰、便于衍生化合物制备等优点。基于以上优势，3‑氰基噻吩有望成为一类重要的有机半导体材料结构砌块，用于构筑高性能、新功能的有机光电材料。
基于噻吩共轭聚合物及其制备方法应用

[发明专利]一种用于有机半导体的共轭聚合物及其制备方法-CN201510989075.1在审
发明人：杨荣 -专利权人：杨荣
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于有机半导体的共轭聚合物及其制备方法，共轭聚合物的结构通式如下：该共轭聚合物可以用于有机太阳能电池器件、有机电致发光器件、有机场效应晶体管、有机激光等中。
一种用于有机半导体共轭聚合物及其制备方法

[发明专利]共轭聚合物-CN201580015244.X有效
发明人：马里厄斯·库恩;托本·阿德曼;曼纽尔·汉布格尔;克劳斯·米伦;詹努兹·申克;亚历山大·科尔斯曼;斯特凡·赫夫勒;乌尔里希·莱麦尔 -专利权人：创新实验室有限公司;卡尔斯鲁厄理工学院;布伦瑞克工业大学;马克斯·普朗克科学促进协会
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明涉及含有可热裂解的侧基的新型共轭半导体聚合物。所述可热裂解的侧基选自碳酸酯基团和氨基甲酸酯基团。通过热裂解侧基，能以定向的方式降低所述聚合物的溶解性。所述聚合物在有机电子(OE)器件中，尤其是在有机光伏(OPV)器件、有机光电检测器(OPD)、有机发光二极管(OLED)和有机场效应晶体管(OFET)中用作半导体。
共轭聚合物

[发明专利]一种基于苝酰亚胺共轭平面扩展的D-A聚合物及其制备方法-CN202010783916.4有效
发明人：岳晚;于亚苹;吴凡;朱修远 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的、稳定的、溶解性好的基于苝酰亚胺共轭平面扩展的D‑A聚合物及其制备方法，该聚合物有效提高了有机半导体的器件性能。所述基于苝酰亚胺共轭平面扩展的D‑A聚合物，该聚合物的结构通式如式(I)、(II)所示：一种基于亚胺共轭平面扩展聚合物及其制备方法

[发明专利]N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物及其制备、用途-CN201210144479.7有效
发明人：邓平;张清;李树岗;曹康丽;胡超 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种N-酰基化的苯并吡咯二酮基共轭聚合物及其制备、用途。所述共轭聚合物的结构式如下：其中，R为C₆～C_{29共轭聚合物的制备方法以及其作为半导体活性层在有机薄膜场效应晶体管器件中的用途。本发明的N-酰基取代的苯并吡咯二酮基的共轭聚合物具有大π共轭的可溶性的苯并吡咯二酮单元和柔性促溶的酰基化侧链，是主链共轭的可溶液加工的低LUMO（最低未占有轨道）能级的低能隙聚合物；薄膜场效应晶体管器件研究表明这类材料具有薄膜场效应晶体管器件的应用潜力}
酰基化吡咯二酮基共轭聚合物及其制备用途

[发明专利]一种共轭/非共轭共聚物及其制备方法与应用-CN00105101.6无效
发明人：张瑞丰;唐杰丛;张明;沈家骢 -专利权人：吉林大学
申请日： 2000-03-24 - 公布日： 2000-08-30 - 主分类号： C08F212/08 文献下载
摘要：本发明涉及一类新的具有共轭和非共轭链段同时出现的共聚物,它们具有光电活性和可溶性、可加工性相结合的优点。可用于有机/聚合物半导体器件、特别是在电致发光器件和作为乳化剂合成纳米微粒中的应用。本发明所涉及的聚合物可以以下结构式来表示,本聚合物可以通过油相途径(以叔丁醇钾催化)或水相途径(以氢氧化钠催化)与单体共聚合而获得。聚合物具有合成路径简单等特点,通过控制聚合单体的量可以制备出发不同颜色光的聚合物。
一种共轭共聚物及其制备方法应用

[发明专利]聚合物半导体材料和有机薄膜晶体管-CN201110088350.4有效
发明人：耿延候;陈亚刚;田洪坤 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2011-04-08 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： C07D495/14 文献下载
摘要：本发明提供一种具有式(I)结构的化合物、聚合物及聚合物半导体材料，本发明通过引入N原子，并在N原子上引入烷基链，从而使本发明提供的基于含N、S两种杂原子的化合物的聚合物在有机溶剂中具有良好的溶解性。此外，本发明提供的化合物具有位于化合物两端的噻吩环，可以有效降低基于含N、S两种杂原子的化合物的聚合物中相邻单元间位阻，提高聚合物共轭程度，从而保证了使用该聚合物半导体材料的有机薄膜晶体管具有较高的迁移率本发明还提供一种使用该聚合物半导体材料的有机薄膜晶体管，实验结果表明，本发明提供的有机薄膜晶体管迁移率为0.073cm²/V·s。
聚合物半导体材料有机薄膜晶体管

[发明专利]噻吩为空间隔离基团的异靛蓝共轭聚合物的制备、用途-CN201510875870.8在审
发明人：吴建;黄灏;金钊;张爱迪;卞燕南;张芳超;张清 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2015-12-02 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种噻吩为空间隔离基团的异靛蓝共轭聚合物的制备、用途；所述共轭聚合物的结构如式I或式II所示：共轭聚合物可作为半导体有机层应用于聚合物太阳能电池测试中；材料可以溶液加工，紫外光谱吸收优异，薄膜光伏器件测试表明，聚合物材料可以应用于薄膜光伏器件活性层，倒置结构的器件测试中，能量转化效率为
噻吩空间隔离基团靛蓝共轭聚合物制备用途

[发明专利]复合石墨烯/炭黑为导电介质的半导体聚合物及制备方法-CN201710258567.2有效
发明人：朱铭;王一菲;姚一一;廖文俊;曾乐才 -专利权人：上海电气集团股份有限公司
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： C08L23/08 文献下载
摘要：本发明公开了复合石墨烯/炭黑为导电介质的半导体聚合物及制备方法。半导体聚合物的原料包括：乙烯‑醋酸乙烯共聚物60‑70％，石墨烯/聚苯胺复合物1‑3％，无机填料10‑15％，炭黑15‑20％和交联剂1‑1.4％；制备方法包括步骤：(1)将石墨烯/聚苯胺复合物分散在有机溶剂中，之后再与无机填料混合，过滤，干燥，即得填料复合物；(2)将所得填料复合物与其它组分熔融共混或者在溶剂中混合后再除去溶剂，经热压得到。本发明利用苯环与石墨烯间的共轭作用在石墨烯表面原位聚合上聚苯胺，保持了石墨烯完整的共轭结构，并通过与无机填料和炭黑复合使用，有效解决了石墨烯与聚合物混合时的团聚问题，同时降低了炭黑的使用量。
石墨烯炭黑无机填料聚苯胺半导体聚合物填料复合物复合物溶剂制备醋酸乙烯共聚物聚合物混合表面原位导电介质复合石墨复合使用共轭结构熔融共混有机溶剂有效解决交联剂苯环共轭热压乙烯聚合过滤团聚

[发明专利]一种超低能带隙给体-受体共轭聚合物及其制备方法-CN201410216688.7在审
发明人：张国兵;李朋;郭景华;吕国强 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低能带隙给体-受体共轭聚合物及其制备方法，具体的是一种基于联二噻吩和（5-氧-噻吩并吡咯-6-亚基）苯并二呋喃-二酮的半导体共轭聚合物及其制备。本发明涉及合成的新型给体-受体共轭聚合物具有宽的吸收峰，覆盖可见光甚至延伸至近红外区域，不仅能用于有机太阳能电池、有机场效应管，在有机光电探测器中也非常有用，还可应用于近红外光谱的调制如热辐射。本发明所制得的共轭聚合物可溶液加工处理，在有机电子领域有一定的应用前景。
一种能带受体共轭聚合物及其制备方法