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[发明专利]具有接触区域的芯片卡和制造这种接触区域的方法-CN200480028298.1无效
发明人： F·皮施纳;W·欣德勒;E·辛默莱因－埃尔巴赫;P·斯坦普卡 -专利权人：英飞凌科技股份公司
申请日： 2004-09-23 - 公布日： 2006-11-08 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：一种具有芯片模块的芯片卡，该芯片模块包含集成电路，并且对于外部接触来说，该芯片模块在正面上具有带有互相隔开并与该集成电路电连接的多个接触区域的接触区，其中至少一个接触区域由具有第一表面的第一功能区和具有第二表面的第二功能区构成
具有接触区域芯片制造这种方法

[发明专利]芯片卡接触区域装置-CN201210538364.6有效
发明人： T.格里斯霍费尔;P.拉加姆;A.韦尔勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及在不同的实施例中提供芯片卡接触区域装置，具有：载体；多个布置在载体第一侧上的接触区域；布置在与载体第一侧相对布置的载体第二侧上的导电结构；第一穿通接触部和第二穿通接触部，其中第一穿通接触部与该导电结构耦合；布置在载体第一侧上的连接结构，其中该连接结构将第一穿通接触部与第二穿通接触部连接，其中该连接结构具有纵向伸展，该纵向伸展平行于如下方向延伸，即读取装置的接触装置沿着所述方向相对于多个接触部运动。
芯片接触区域装置

[发明专利]位于不同接触区域层级上的接触方案-CN201711017950.5有效
发明人： C·K·彼得斯;P·巴尔斯 -专利权人：格芯美国公司
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明涉及位于不同接触区域层级上的接触方案。本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及用于位于半导体结构的不同接触区域层级上的接触方案及其制造方法。该结构包括：在结构的第一层级处的第一接触；在结构的第二、更高层级处的跨接接触；蚀刻停止层，其具有在第一接触之上的开口，并且部分地包封跨接接触并具有暴露跨接接触的开口；以及通过开口与第一层级处的第一接触和第二、更高层级处的跨接接触电接触的接触。
位于不同接触区域层级方案

[发明专利]具有可更换的接触区域的功率接触件-CN201780024974.5有效
发明人：马丁·文茨 -专利权人：菲尼克斯电动交通有限公司
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01R13/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于充电插头(100)和/或用于充电插座的功率接触件(10)，其中，此功率接触件(10)具有用于与电能接收方或者电能发送方电连接的第一连接区域(21)以及用于与充电导线(120)电连接的第二连接区域(31)，其中，功率接触件(10)的特征在于：‑功率接触件(10)两件式地构造并具有基础元件(30)和能够与基础元件(30)相连的接触元件(20)，其中，接触元件(20)构造为能够从基础元件(30)上拆卸，从而能够更换功率接触件(10)的接触元件(20)；‑第一连接区域(21)布置于接触元件(20)中，第二连接区域(31)布置于基础元件(30)中；并且‑在接触元件(20)与基础元件(30)相连时，第一连接区域(21)和第二连接区域(31)电接触。
具有更换接触区域功率

[发明专利]微区域接触电阻测量系统-CN201811554520.1在审
发明人：林雪燕;郝海涛;谢敏;王跃昌;庞洪良 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： G01R31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种微区域接触电阻测量系统。本发明提供的微区域接触电阻测量系统包括镜头、夹具、转换器、载物台、微动装置、第一电源、电压采集装置、摄像头。该微区域接触电阻测量系统可通过微动装置产生微动条件进行微动实验，还可通过摄像头、镜头、夹具和转换器实现历史接触点的重新定位，使得在进行了其他环境试验后可再次进行微动实验，从而实现了电子连接器各类实验的反复进行
接触电阻测量微区域微动转换器夹具电子连接器摄像头微动装置电压采集装置环境试验实验环境实验效果使用环境重新定位镜头接触点载物台电源

[发明专利]接触镜片中的动态流体区域-CN201810945804.7在审
发明人： S.G.卡尔达赖斯;J.H.罗夫曼;L.L.科珀;R.豪克;D.B.奥茨 -专利权人：庄臣及庄臣视力保护公司
申请日： 2013-03-13 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： A61F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及接触镜片中的动态流体区域。本发明公开了一种结合一个或多个动态流体区域的接触镜片，所述一个或多个动态流体区域由可易于在眨眼期间在眼睑压力下变形的材料制成，所述接触镜片允许将一种或多种药剂递送至眼睛、动态美容性眼睛增强、和/或动态旋转未对准校正
动态流体接触镜片药理学药剂动态旋转药剂递送变形的未对准营养剂治疗剂眼睑校正眨眼美容

[发明专利]晶体管接触区域增强-CN201910455181.X在审
发明人： R·梅汉德鲁;T·加尼;S·塞亚 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开内容涉及晶体管接触区域增强，一种半导体器件，包括：包含表面的半导体主体；形成在半导体主体中的第一区域和第二区域，其中沟道区位于第一区域和第二区域之间，并且其中第二区域包括包含毯覆掺杂物的子区域；在半导体主体的位于第一区域上方的表面上的第一导电接触部；位于第一区域的底部的绝缘体上半导体(SOI)；形成在沟道中的袋状沟道掺杂物(PCD)，其中PCD的第一部分与SOI的第一部分相邻；以及在子区域的底部部分上的第二导电接触部，其中第二导电接触部的第一部分与SOI的第二部分相邻，并且第二导电接触部的第二部分与PCD的第二部分相邻。
导电接触部第一区域半导体主体第二区域子区域绝缘体上半导体半导体器件沟道掺杂物接触区域掺杂物沟道区晶体管袋状沟道

[发明专利]接触镜片中的动态流体区域-CN201310079417.7有效
发明人： S.G.卡尔达赖斯;J.H.罗夫曼;L.L.科珀;R.豪克;D.B.奥茨 -专利权人：庄臣及庄臣视力保护公司
申请日： 2013-03-13 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： A61F9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种结合一个或多个动态流体区域的接触镜片，所述一个或多个动态流体区域由可易于在眨眼期间在眼睑压力下变形的材料制成，所述接触镜片允许将一种或多种药剂递送至眼睛、动态美容性眼睛增强、和/或动态旋转未对准校正
接触镜片中的动态流体区域

[发明专利]与纳米结构区域的电接触-CN201280045443.1无效
发明人：马西·R·布莱克;乔安妮·福齐亚蒂;迈克尔·朱拉;杰夫·米勒;布赖恩·默菲;亚当·斯坦德利 -专利权人：班德加普工程有限公司
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种接触纳米结构表面的方法。在此方法中，提供在表面上具有纳米结构材料的基片，基片为导电性，并且纳米结构材料用绝缘材料涂覆。至少部分去除纳米结构材料的一部分。以使得导体通过已至少部分去除纳米结构材料的区域与基片电接触的方式，在基片上沉积导体。
纳米结构区域接触

[发明专利]用于角膜接触镜片的动态稳定区域-CN201310049963.6有效
发明人： R.豪克;D.B.奥茨 -专利权人：庄臣及庄臣视力保护公司
申请日： 2013-02-08 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： G02C7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种结合一个或多个动态稳定区域的角膜接触镜片，所述角膜接触镜片允许控制角膜接触镜片在眼睛上的旋转，所述一个或多个动态稳定区域由可在眨眼期间在眼睑压力下易于变形的材料加工而成。随着材料变形，在眼睑与一个或多个动态稳定区域之间的接触角改变，同时作用在角膜接触镜片上的旋转力也改变。
用于角膜接触镜片动态稳定区域

[发明专利]具有增强转换区域的接触器-CN200810109279.1无效
发明人：约翰·M·迈尔;约翰·W·霍尔;赫尔利·C·莫尔 -专利权人：泰科电子公司
申请日： 2008-05-04 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： H01R13/04 文献下载
摘要：一种电接触器(1)具有配合部分(2)和卷曲部分(3)和连接两部分的转换区域(4)。所述转换区域具有底壁(41)和两个仰壁(42，44)，每个侧壁具有第一高度(H1，H2)和第二高度(H3，H4)，所述第二高度小于所述第一高度。转换区域(4)的侧壁被折叠以保护多个导体，并且所述侧壁的第二高度允许多个导体被看到以便检查。另外，转换区域(4)的侧壁(42，44)具有侧面凸起(5)，底壁(24，41)具有底部凸起(6)，用以增强这些壁的强度。
具有增强转换区域接触器

[发明专利]缩小控制栅接触窗区域尺寸的方法-CN201610596121.6在审
发明人：张怡;刘宪周 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种缩小控制栅接触窗区域尺寸的方法，包括：第一步骤：在晶圆中形成控制栅接触窗区域、闪存单元区域和外围区域；第二步骤：在控制栅接触窗区域、闪存单元区域和外围区域上执行控制栅多晶硅层的沉积；第三步骤：在控制栅多晶硅层上形成硬掩膜层；第四步骤：在硬掩膜层涂覆光刻胶并进行光刻以定义出需要打开的区域，其中在控制栅接触窗区域形成控制栅连接窗口；第五步骤：在硬掩膜层的控制栅连接窗口侧壁上形成侧壁结构；第六步骤：利用未被刻蚀掉的硬掩膜层以及侧壁结构，对控制栅多晶硅层进行刻蚀，从而在控制栅接触窗区域的控制栅多晶硅层中形成控制栅接触窗凹槽。
缩小控制接触区域尺寸方法

[发明专利]表征、区分和测量接触区域的方法-CN202110669909.6在审
发明人： D·休姆;D·兰德里;A·伊万斯 -专利权人：瑟姆泰斯公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明涉及确定接触区域的热特性的方法。该方法包括接收传感器的温度数据；确定从传感器到至少一种材料的热穿透的温度分布；对温度分布应用校正；迭代分析所校正的温度分布；以及输出接触区域的热属性，该接触区域是传感器与至少一种材料之间的区域。该方法可进一步包括确定至少一种材料的热属性；以及利用接触区域的热属性确定材料的校正热属性。该方法可进一步包括自动确定适当的时间窗口，用于测量至少一种材料的特性，以使接触区域的影响最小化。
表征区分测量接触区域方法

[发明专利]全区域铁路接触网检修作业装置-CN202111649612.X在审
发明人：张伟娟;齐育鹏;王鹏;郭宏伟;吕志斌;李艳妮;朱红军 -专利权人：宝鸡中车时代工程机械有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： B66F11/04 文献下载
摘要：提供一种全区域铁路接触网检修作业装置，包括1个主平台和2个回转平台，所述主平台下部通过主平台安装底座固定在车体顶棚上，所述2个回转平台分别设于主平台两端，所述回转平台下部通过回转平台升降柱固定在车体底架上本发明可满足接触网导线、吊弦、承力索、支撑装置、定位装置和附加悬挂的全区域检修、维护，可实现接触网四个悬挂点承力索和接触线的同时作业，作业效率较既有作业装置至少提高到4倍以上，作业面积较既有作业装置至少提到高
区域铁路接触检修作业装置

[发明专利]用于电气接触区域的阻挡层-CN202180040793.8在审
发明人： D·J·里克腾沃纳;E·R·范布伦特 -专利权人：沃孚半导体公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：功率开关装置包括：半导体层结构，该半导体层结构包括有源区域和非有源区域，有源区域包括多个单位单元，并且非有源区域包括半导体层结构上的栅极焊盘以及在栅极焊盘上并电连接到栅极焊盘的栅极接合焊盘；在栅极焊盘和栅极接合焊盘之间的隔离层
用于电气接触区域阻挡

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