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[发明专利]间隔件用膜和使用该膜形成间隔件的方法-CN202210587694.8在审
发明人：金荣建;朴钟贤;金镇范;崔裁源;金晓临 -专利权人：韩商利诺士尖端材料有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于多芯片封装件的间隔件用膜和使用该间隔件用膜形成间隔件的方法，其中根据本发明的间隔件用膜包括具有130℃以上的玻璃化转变温度(Glass Transition Temperature，Tg)的第一膜和布置在所述第一膜的下方的粘接层。根据本发明的间隔件用膜包括第一膜来代替虚拟晶片并且其(热膨胀系数/储能模量)的值为1ppm/GPa至15ppm/GPa。因此，能够抑制在切割工艺中发生的芯片识别不良并提高可拾取性。
间隔件用膜使用形成方法

[发明专利]一种膜元件的干化工艺-CN201910674516.7在审
发明人：张晓龙;唐崧棉 -专利权人：杭州华滤膜科技有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： B01D65/10 文献下载
摘要：本发明提供一种膜元件的干化工艺，步骤A、对需要进行测试的干膜进行称重并记录，对其进行测试变成湿膜；步骤B、对测试过的膜元件进行甩干；用离心甩干机进行甩干，甩干至膜元件含水率在20‑30％，这样甩干的目的是干化药液更容易接触膜面；步骤C、将甩干后的膜元件装在机器上，使用干化液对膜元件进行循环冲洗2小时，或者将膜元件竖直浸泡在干化液里24小时；步骤D、将上述冲洗好的或者是浸泡好的膜元件进行甩干；采用离心甩干机进行甩干，甩干至膜元件含水率在20‑30％；等其他多个步骤；采用本发明中干化处理工艺，能够将通水测试后的湿膜进行干化得到的干膜，其通量性能符合市场要求，实现对湿膜的干化回收利用。
膜元件甩干干化湿膜测试离心甩干机含水率干膜浸泡干化处理回收利用市场要求通量性能循环冲洗接触膜称重竖直通水冲洗记录

[发明专利]一种钯基双功能膜及其制备方法-CN201110325678.3有效
发明人：黄彦;严文俊;胡小娟 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： B01D69/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种钯基双功能膜及其制备方法。所述的钯基双功能膜，包括沉积在多孔陶瓷表面的钯膜或钯合金膜，其特征在于，多孔陶瓷的孔道中负载有甲烷化催化剂。其制备方法为：采用浸渍法将甲烷化催化剂负载于多孔陶瓷孔道中，然后采用化学镀或化学镀与电镀相结合的方法在多孔陶瓷表面制备钯或钯合金膜。本发明的钯基双功能膜在钯膜或钯合金膜多孔载体的孔道中负载甲烷化催化剂，可实现膜分离和一氧化碳催化甲烷化的耦合。该膜用于氢气分离与纯化时，可将膜缺陷处泄漏的微量一氧化碳、二氧化碳催化甲烷化，满足特殊用氢要求。本发明的钯基双功能膜制备工艺成熟，简单易行，可工业化应用。
一种钯基双功能及其制备方法

[发明专利]温室用一体化排水沟-CN201710036952.2在审
发明人：谢俊 -专利权人：绵阳兴隆科技发展有限公司
申请日： 2017-01-17 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： E04D13/064 文献下载
摘要：本发明公开了一种温室用一体化排水沟，主要解决了现有的温室排水沟密封性能差、排水效果不好的问题。温室用一体化排水沟，包括左侧壁、右侧壁和槽底，左侧壁、右侧壁和槽底连接组成一开口向上的槽，左侧壁和右侧壁上设有与其一体成型的固膜槽，所述槽底还设有V型沟；所述固膜槽上设有压膜机构，压膜机构扣合在固膜槽里，与固膜槽一起固定温室薄膜。
温室一体化排水沟

[发明专利]离子电极用响应玻璃膜的制造方法、离子电极用响应玻璃膜和离子电极-CN200780045503.9有效
发明人：西尾友志;岩本惠和;桥本忠范 -专利权人：株式会社堀场制作所;国立大学法人三重大学
申请日： 2007-12-11 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： G01N27/36 文献下载
摘要：提供一种pH电极用响应玻璃膜以及具有其的pH电极，所述pH电极用响应玻璃膜不损害玻璃的强度和pH测定功能、污渍不易附着、容易脱落。为此，使含有金红石型或板钛矿型二氧化钛的微细颗粒或含有非结晶化二氧化钛的微细颗粒直接附着在pH电极用响应玻璃膜的玻璃膜的表面。
离子电极响应玻璃制造方法

[发明专利]在石墨材料上将热分解氮化硼涂布的方法以及用该方法得到的被覆物-CN201310172453.8有效
发明人：狩野正树 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： C04B41/85 文献下载
摘要：提供一种在石墨材料的表面，可以形成耐热冲击强，坚固且不剥离的热分解氮素化硼（PBN）被膜，在石墨材料进行热分解氮素化硼涂布的方法以及由该方法得到的被覆物。本发明为一种将石墨材料的表面用CVI处理致密化，进一步用反应性气体进行表面处理后，在该处理面，使热分解氮素化硼被膜形成的热分解氮素化硼的涂布方法，以及由该方法得到的被覆物。
石墨材料上将分解氮化硼涂布方法以及得到被覆

[发明专利]崩散剂、崩散剂的制造方法和应用方法-CN200810097395.6无效
发明人：陈俊仁;李宗勋;杨竹茂 -专利权人：嘉南药理科技大学
申请日： 2008-05-15 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： A61K47/46 文献下载
摘要：一种崩散剂、崩散剂的制造方法和应用方法，其崩散剂，由蛋膜所制成，其制造方法是先将蛋壳及与蛋壳黏在一起的蛋膜用清水洗涤干净，以去除污物；之后再将已清洁的蛋壳及与蛋壳黏在一起的蛋膜，加入水中，并用机器打碎，使蛋壳和蛋膜分离，然后以滤网过滤液体而取得蛋膜，之后利用干燥机使蛋膜干燥；最后，再利用粉碎机将蛋膜粉末化，以获得崩散剂。本发明是利用该粉末化蛋膜，作为锭剂中崩散剂用，借由蛋膜本身成本低廉且制成简单的优点，以取代一般锭剂或胶囊中较为昂贵的崩散剂。
散剂制造方法应用

[实用新型]一种蒸汽加压抗高温盒装OBC用金属化薄膜电容器-CN202220096807.X有效
发明人：周小毛 -专利权人：艾华新动力电容（苏州）有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型涉及电容器技术领域，尤其涉及一种蒸汽加压抗高温盒装OBC用金属化薄膜电容器，包括塑胶外壳及设置在塑胶外壳一侧的焊接引线，所述塑胶外壳内侧设有电晕粗化层，所述电晕粗化层内侧设有芯体，所述芯体包括喷金层及高耐温金属化膜，所述高耐温金属化膜包括第一金属化膜及第二金属化膜，所述第一金属化膜与第二金属化膜之间错开，且同步卷绕设置，所述焊接引线与喷金层电性连接，所述塑胶外壳内部一侧设有填充料。本实用新型外壳采用PPS材质，内部采用电晕粗化处理，增强了环氧树脂与外壳内部的结合力，提高电容器整体强度，同时芯体采用高温125℃金属化聚丙烯膜，有效提高耐高温特性。
一种蒸汽加压高温盒装 obc 金属化薄膜电容器

[实用新型]一种手机膜生产用全自动打包机-CN201921162816.9有效
发明人：马增龙 -专利权人：武汉光大同创新材料有限公司
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： B65B35/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种手机膜生产用全自动打包机，包括传送台、安装在传送台底部四个拐角处的支撑腿、传送带和打包台，所述传送台的顶部通过连接柱固定连接有打包台，所述打包台的顶部沿打包台竖直中心呈对称设置有包装盒箱和钢化膜箱本实用新型中，首先，通过通过第一电动伸缩杆与第二电动伸缩杆将包装盒和钢化膜向传送孔方向推动，完成钢化膜的自动化打包，提升了打包的效率，其次，通过钢化膜出孔高度与钢化膜高度相同，以及包装盒出孔与包装盒高度相同，使得每次只能从包装盒箱和钢化膜箱内推出一个包装盒和钢化膜，提升了打包的精度。
一种手机生产全自动打包机

[发明专利]无线充电用超薄黑色覆盖膜及其制备方法-CN201811382570.6在审
发明人：刘仁成;谢文波;王绍亮;洪腾;张格 -专利权人：深圳市弘海电子材料技术有限公司
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本发明提供一种无线充电用黑色覆盖膜，包括高填充性的黑色的PI膜和设于其一侧的离型膜，以及二者之间的高填充性的胶粘剂层，PI膜的另一侧设有PET载体膜，PI膜与PET载体膜之间设有阻胶层；PI膜是由分子量大于10万、固含量小于25％的黑色聚酰胺酸溶液直接流延干燥、酰亚胺化不经双向拉伸形成的厚度为1～8μm的膜层，PI膜的断裂伸长率大于35％，拉伸强度小于105MPa，剥离化温度低于330℃，黑度30～90，光泽度20～30；本发明无线充电用超薄黑色覆盖膜具有填充性更高、韧性更好、厚度更薄的特点，实现生产线路板压合覆盖膜时，覆盖膜可以更好地填充在铜线间隙内。
黑色覆盖膜无线充电覆盖膜高填充聚酰胺酸溶液断裂伸长率生产线路板胶粘剂层流延干燥双向拉伸酰亚胺化铜线固含量光泽度离型膜填充性阻胶层黑度拉伸膜层压合制备填充剥离

[发明专利]用于局部应力调节的UV固化-CN202180011870.7在审
发明人：阿尼尔万·西卡;法亚兹·A·谢赫;凯文·M·麦克劳克林;亚历山大·雷·福克斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：通过用紫外线(UV)辐射选择性并局部地固化膜，可调节沉积在弯曲半导体衬底上的膜中的局部化应力。弯曲半导体衬底可不对称弯曲。在弯曲半导体衬底的前侧或背侧上沉积UV可固化膜。在UV可固化膜与UV源之间提供掩模，其中掩模中的开口被图案化以选择性地定义UV可固化膜的暴露区域与未暴露区域。UV可固化膜的暴露区域调节局部化应力以减轻弯曲半导体衬底中的弯曲。
用于局部应力调节 uv 固化

[发明专利]配列用掩膜及其制造方法、焊料凸块的形成方法-CN201610341803.2有效
发明人：小林良弘;田丸裕仁;中岛贵士;石川树一郎 -专利权人：麦克赛尔株式会社
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及配列用掩膜及其制造方法、焊料凸块的形成方法。[课题]在于提供：即使随着凸块的微小化及窄间距化而缩小突起部的外形尺寸的情况下，仍在耐久性方面优异、可长期间使用的配列用掩膜。[解决手段]一种配列用掩膜，将焊球(2)撒入至对应于既定的配列图案的通孔(12)内，从而将前述焊球(2)搭载于工件(3)上的既定位置，具备具有通孔(12)的掩膜主体(10)、及设于掩膜主体(10)的与工件
配列用掩膜及其制造方法焊料形成

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200710162689.8无效
发明人：佐藤好弘 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-10-16 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：在半导体基板(10)上，形成具有比有源区域(11)高的上面的元件分离区域(12)之后，在有源区域(11)及元件分离区域(12)之上，形成栅极布线形成用膜(14)及保护膜形成用膜(15)。然后，研磨保护膜形成用膜(15)，使其平坦化。接着，进行布图，从而在形成栅电极部(14a)、栅极布线部(14b)及保护膜(15a)之后，形成侧壁(17)。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]夹层玻璃用中间膜以及夹层玻璃-CN202211252638.5在审
发明人：岩本达矢;水口奈美;武田祐磨 -专利权人：积水化学工业株式会社
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： B32B27/30 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高夹层玻璃的弯曲刚性且能够提高夹层玻璃的隔音性的夹层玻璃用中间膜。本发明所涉及的夹层玻璃用中间膜为具有1层结构或2层以上的结构的夹层玻璃用中间膜，其具备包含热塑性树脂的第1层，所述第1层的玻璃化转变温度为10℃以下，夹层玻璃用中间膜在25℃下的等效刚度为2.4MPa以上
夹层玻璃中间以及

[发明专利]夹层玻璃用中间膜以及夹层玻璃-CN201580049142.X在审
发明人：岩本达矢;水口奈美;武田祐磨 -专利权人：积水化学工业株式会社
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： C03C27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高夹层玻璃的弯曲刚性且能够提高夹层玻璃的隔音性的夹层玻璃用中间膜。本发明所涉及的夹层玻璃用中间膜为具有1层结构或2层以上的结构的夹层玻璃用中间膜，其具备包含热塑性树脂的第1层，所述第1层的玻璃化转变温度为10℃以下，夹层玻璃用中间膜在25℃下的等效刚度为2.4MPa以上
夹层玻璃中间以及

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