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- [实用新型]屋型中国结-CN200920219922.6无效
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袁铎
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袁铎
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2009-10-22
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2010-11-17
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B44C3/00
- 一种屋型中国结，本实用新型涉及民间工艺品领域，本实用新型的特点是：利用钢性材料制成屋型框架，在框架(A)上包覆编织中国结式装饰，在框架(B)上编织传统大屋顶型状中国结。在屋型中国结主体可连接吉祥结、盘长结、梅花结等装饰，也可连接各种色彩流苏或其他装饰物。两种传统艺术(中国结和古建筑)巧妙结合在一起使得本实用新型既具喜庆吉祥的中国特色，又有名胜古建筑的纪念意义。
- 中国结
- [发明专利]氮化物半导体发光装置-CN200810085293.2无效
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驹田聪
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夏普株式会社
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2008-03-10
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2008-09-10
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H01L33/00
- 本发明公开了一种氮化物半导体发光装置，其包括：基板；形成于所述基板上的第一n型氮化物半导体层、发光层、p型氮化物半导体层、p型氮化物半导体隧道结层、n型氮化物半导体隧道结层、和第二n型半导体层，其中p型氮化物半导体隧道结层和n型氮化物半导体隧道结层形成隧道结，p型氮化物半导体隧道结层和n型氮化物半导体隧道结层的至少之一包含In，至少一含In层与具有比所述含In层更大的带隙的层接触，并且所述含In层和所述具有更大的带隙的层的界面与p型氮化物半导体隧道结层和n型氮化物半导体隧道结层的界面之间的至少一最短距离小于40nm。
- 氮化物半导体发光装置
- [发明专利]结型场效应晶体管-CN202310622347.9在审
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焦庆
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先之科半导体科技（东莞）有限公司
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2023-05-30
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2023-08-15
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H01L23/31
- 本发明涉及结型场效应晶体管技术领域，提供结型场效应晶体管，包括晶体管主体、防尘套和固定座，所述晶体管主体的两端均设置有金属条，所述晶体管主体的顶部设置有绝缘结构，所述绝缘结构包括第一包裹层、泡沫层以及第二包裹层，所述第一包裹层设置于晶体管主体的顶端，所述晶体管主体两侧的顶部均固定有固定座。本发明通过设置有绝缘结构，将泡沫层与第二包裹层和第一包裹层的外侧相连接不受机械损伤和化学腐蚀、不接触水蒸汽受潮、防止接触导体触电,可增强机械强度和延长使用寿命，实现了该装置具有绝缘的功能，从而延长了该结型场效应晶体管的使用寿命
- 场效应晶体管
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